EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d芯片
3d芯片 文章 進(jìn)入3d芯片技術(shù)社區
混合鍵合在3D芯片中發(fā)揮著(zhù)重要作用
- 上周，IEEE電子元件與技術(shù)會(huì )議（ECTC）的研究人員推動(dòng)了一項對尖端處理器和存儲器至關(guān)重要的技術(shù)。該技術(shù)被稱(chēng)為混合鍵合，將兩個(gè)或多個(gè)芯片堆疊在同一封裝中，使芯片制造商能夠增加其處理器和存儲器中的晶體管數量，盡管曾經(jīng)定義摩爾定律的傳統晶體管收縮速度普遍放緩。來(lái)自主要芯片制造商和大學(xué)的研究小組展示了各種艱苦奮斗的改進(jìn)，包括應用材料公司、Imec、英特爾和索尼在內的一些研究小組顯示的結果可能導致3D堆疊芯片之間的連接密度達到創(chuàng )紀錄的密度，即在一平方毫米的硅中約有700萬(wàn)個(gè)鏈接。Imec設法在每2微米放置一次的
- 關(guān)鍵字： 混合鍵合 3D芯片
默克：3D芯片是摩爾定律物理極限的最佳解答
- 隨著(zhù)半導體先進(jìn)制程持續往5奈米、3奈米逼近的同時(shí)，摩爾定律也正逐漸走向物理極限。制程的微縮不只越來(lái)越困難，耗用的時(shí)間也越來(lái)越長(cháng)，成本也越走越高。這使得半導體也必須從材料端與封裝端來(lái)打破制程技術(shù)的限制，并達到技術(shù)上的突破。也由于臺灣的半導體實(shí)力在全世界有目共睹，這使得默克決定在臺灣高雄成立其亞洲地區集成電路材料應用研究與開(kāi)發(fā)中心。 默克研發(fā)中心的重點(diǎn)領(lǐng)域，包括用于薄膜制程的CVD/ALD材料，和用于后段封裝連接和黏晶的導電膠。默克對此研發(fā)中心的投資超過(guò)280萬(wàn)歐元(約1億新臺幣)，此研發(fā)中心同時(shí)與
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 摩爾定律
3D芯片設計趨于成熟 半導體未來(lái)走向整合開(kāi)發(fā)
- 電子系統層級(ESL)和高階合成(HLS)方案試圖以硬體取代軟件。法新社在過(guò)去，由于軟件內容不多、產(chǎn)品制備不容易延滯，開(kāi)發(fā)業(yè)者會(huì )先設計硬體，再完成軟件設計。時(shí)至今日，軟件內容大增，軟件設計逐漸比硬體占更多時(shí)間與成本，且是產(chǎn)品功能重要實(shí)現關(guān)鍵。 軟件功能受到重視之甚，使得硬體開(kāi)始被視為支援軟件最佳化之平臺?，F在許多開(kāi)發(fā)業(yè)者會(huì )先設計軟件，并依據成本、功耗、存儲器容量、體積等軟件效能限制，去建造支援該軟件的硬體設計。 軟、硬體不只是技術(shù)層面需要顧及，還牽涉到公司結構問(wèn)題，傳統公司部門(mén)分化根深蒂固
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3D芯片
美光轉向3D芯片 40億美元擴建工廠(chǎng)
- 傳統的平面閃存在16/15nm工藝之后面臨瓶頸，廠(chǎng)商開(kāi)始轉向3D閃存，這其中三星動(dòng)作最快，去年就已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第二代V-NAND閃存了，850 Pro及850 Evo硬盤(pán)也上市了。東芝/閃迪系也在跟進(jìn)，在日本擴建Fab 2工廠(chǎng)準備3D閃存生產(chǎn)，Intel/美光系去年底也公開(kāi)了他們的3D NAND閃存，現在也準備量產(chǎn)了。日前美光宣布投資40億美元擴建新加坡的Fab 10晶圓廠(chǎng)，明年底開(kāi)始量產(chǎn)第二代3D NAND閃存。 ? 美光斥資40億美元升級Fab 10X晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)3D N
- 關(guān)鍵字： 美光 3D芯片
腦科學(xué)屆的革命：3D芯片精確控制腦神經(jīng)
- 用光精確地控制神經(jīng)元可以在腦科學(xué)研究和腦疾病治療方面掀起一場(chǎng)革命。 光遺傳學(xué)把光敏基因和光源結合在一起，用來(lái)選擇性地打開(kāi)或關(guān)閉大腦。光遺傳學(xué)已經(jīng)成為有希望的研究工具和潛在療法。不過(guò)，這一技術(shù)大部分時(shí)候只把光打到某個(gè)點(diǎn)上，而腦部活動(dòng)經(jīng)常包括不同區域以復雜的順序被激活。一個(gè)新的設備可以讓光遺傳學(xué)變成三維技術(shù)，把光的模式發(fā)送到腦部不同坐標的神經(jīng)元上。 “在接下來(lái)的幾年里，會(huì )出現大量的類(lèi)似設備，”布朗大學(xué)納米光學(xué)和神經(jīng)工程實(shí)驗室(Nanophotonics and Neur
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 腦神經(jīng)
三星將3D芯片制造技術(shù)授權給GlobalFoundries
- 4月18日消息，據路透社報道，三星電子周五表示，公司已將最新的芯片制造技術(shù)授權給美國制造商GlobalFoundries。此舉旨在幫助后者改善生產(chǎn)力，以提高其在面對像蘋(píng)果這樣的大訂單時(shí)與臺積電的競爭力。 GlobalFoundries是全球第二大合同芯片制造商。而根據周五公布的聲明，該公司如今已從三星獲得了3D芯片制造工藝的授權，或稱(chēng)為FinFET。 三星已計劃在今年第四季度展開(kāi)14納米工藝的FinFET量產(chǎn)。公司希望不斷提高產(chǎn)能，以滿(mǎn)足當前日趨增加的市場(chǎng)需求。 3D晶體管比傳統平面
- 關(guān)鍵字： GlobalFoundries 3D芯片
3D芯片時(shí)代將至 光學(xué)檢測設備應用空間擴大
- 美商陸得斯科技(RudolphTechnologies,Inc.)指出，到了3D晶片時(shí)代，矽鉆孔(TSV)、微凸塊(microbumping)等半導體制程技術(shù)越趨復雜，每一道程式的精密控制均開(kāi)出新的檢測需求，預料光學(xué)檢測設備扮演角色依舊吃重，甚至將自表面量測等現行主流用途，開(kāi)展出更大應用空間。 光學(xué)檢測作為制程式控制制(processcontrol)的重要環(huán)節，無(wú)論是在半導體前段抑或后段制程，都扮演著(zhù)決定成品可靠度的重要關(guān)鍵。隨著(zhù)3D晶片時(shí)代箭在弦上，不僅晶片尺寸縮微，制程也更加精密，自動(dòng)光
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 光學(xué)檢測
3D芯片封測準備就緒但成本需降低
- 來(lái)自全球11個(gè)國家、超過(guò)200位的半導體封裝技術(shù)專(zhuān)家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng )新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專(zhuān)家們的結論是， 3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒，但有需要再進(jìn)一步降低成本。 由美國喬治亞理工大學(xué)(Georgia Tech)封裝研究中心(Packaging Research Center，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會(huì )上，來(lái)自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠(chǎng)的專(zhuān)家明確指出，他們已經(jīng)準備好為以中介層基礎的設計進(jìn)行封裝與測試;此
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 封測
3D芯片封測準備就緒但成本需降低
- 來(lái)自全球11個(gè)國家、超過(guò)200位的半導體封裝技術(shù)專(zhuān)家，近日齊聚一堂探討能有助于維持半導體技術(shù)創(chuàng )新步伐的中介層(interposer)與IC封裝技術(shù);專(zhuān)家們的結論是，3D晶片堆疊技術(shù)已經(jīng)準備就緒，但有需要再進(jìn)一步降低成本。 由美國喬治亞理工大學(xué)(GeorgiaTech)封裝研究中心(PackagingResearchCenter，PRC)所主辦的第三屆年度中介層技術(shù)研討會(huì )上，來(lái)自Amkor、日月光(ASE)等半導體封裝大廠(chǎng)的專(zhuān)家明確指出，他們已經(jīng)準備好為以中介層基礎的設計進(jìn)行封裝與測試;此外晶圓代
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 封測
各芯片廠(chǎng)積極研發(fā) 臺積電日月光笑看3D芯片量產(chǎn)
- 臺積電、日月光、矽品等大廠(chǎng)積極架構2.5D及3DIC封測產(chǎn)能，一般預料明年將進(jìn)入3DIC量產(chǎn)元年，啟動(dòng)高階生產(chǎn)線(xiàn)及3DIC設備商機，國內主要設備供應商弘塑、辛耘及萬(wàn)潤等業(yè)績(jì)吃香。 設備廠(chǎng)表示，3DIC可以改善存儲器產(chǎn)品的性能表現與可靠度，并可協(xié)助減低成本與縮小產(chǎn)品尺寸，現今全球包括臺積電、日月光、矽品、意法、三星、爾必達、美光、格羅方德、IBM、英特爾等多家公司都已陸續投入3DIC的研發(fā)與生產(chǎn)。 日月光集團研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明透露，目前3DIC從設計工具、制造、封裝測試等所有流程的
- 關(guān)鍵字： 臺積電 3D芯片
先進(jìn)3D芯片堆疊的精細節距微凸點(diǎn)互連
- 本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連 ...
- 關(guān)鍵字： 3D芯片 堆疊 距微凸點(diǎn)
NVIDIA首席科學(xué)家談3D芯片、中國崛起
- GTC2012大會(huì )上，曾擔任斯坦福大學(xué)計算機科學(xué)系主任的NVIDIA首席科學(xué)家BillDally在接受EETimes采訪(fǎng)時(shí)談到了3D整合電路，技術(shù)層面上中國的崛起以及美國研發(fā)投資的現狀。 關(guān)于3D芯片方面，Dally稱(chēng)GPU的未來(lái)存在著(zhù)整合若干塊3D堆疊顯存的一條道路，這種設計比較有潛力發(fā)揮出更高的帶寬效果，同時(shí)整體功耗更低。此前開(kāi)發(fā)出HyperMemoryCube的美光實(shí)際上已經(jīng)與NVIDIA商議過(guò)這一點(diǎn)，但Dally表示由于NVIDIA只想要自己獨立設計芯片，而美光提出的要求帶有在價(jià)值鏈上攫
- 關(guān)鍵字： 驅動(dòng)之家 3D芯片
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473