2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機、SSD市場(chǎng)需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國公司介入存儲芯片市場(chǎng)的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著(zhù)上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。

　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶(hù)武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠(chǎng)正式動(dòng)工，整個(gè)項目預計投資240億美元，分為三期建設，現在啟動(dòng)的是第一期，主要目標是生產(chǎn)3D NAND閃存，2018年將啟動(dòng)第二期建設，規劃是上DRAM內存芯片，2019年啟動(dòng)第三期建設，主要目標是代工服務(wù)，產(chǎn)能也會(huì )越來(lái)越大，2020年目標是30萬(wàn)片晶圓/月，2030年則是100萬(wàn)片晶圓/月。

　　今年7月份的時(shí)候，紫光公司收購了新芯科技公司多數股份，成立了武漢長(cháng)江存儲科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)TRST)，紫光公司控股一半多，董事長(cháng)趙偉國也將擔任長(cháng)江科技公司的董事長(cháng)，這個(gè)項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢(mèng)想無(wú)法實(shí)現，收購西數硬盤(pán)的事也黃了，不過(guò)紫光現在總算可以正式進(jìn)軍存儲芯片領(lǐng)域了。

　　Digitimes援引業(yè)界消息稱(chēng)，長(cháng)江存儲公司最快2017年底正式推出3D NAND閃存，32層堆棧結構，也就是說(shuō)明年我們就有可能看到真正國產(chǎn)的閃存芯片了。

　　新芯科技現在主要生產(chǎn)NOR閃存，而NAND閃存比NOR閃存技術(shù)難度要高，他們的技術(shù)來(lái)源是飛索半導體(Spansion)公司?？紤]到與三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術(shù)差距，國產(chǎn)3D NAND閃存32層堆棧的起點(diǎn)不低了，這幾家公司研發(fā)多年，第一代3D閃存也不過(guò)是24層堆棧，32層堆棧的還算是主流，不過(guò)等到明年的時(shí)候，48層甚至64層堆棧的3D閃存恐怕也早就問(wèn)世了。

　　根據之前的報道，新芯科技預計2018年推出48層堆棧的3D閃存，那時(shí)候雖然還是追不上最頂級的水平，不過(guò)差距應該會(huì )縮小很多，國產(chǎn)3D閃存還有追趕的機會(huì )。