3d-nand 文章進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區

儲存技術(shù)不斷演進(jìn)　NAND Flash僅是開(kāi)端

　　在進(jìn)展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據TechTarget報導，NAND Flash剛推出時(shí)是市場(chǎng)上最昂貴的儲存裝置，后來(lái)供應商發(fā)現只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎的儲存裝置也開(kāi)始大受歡迎。　　由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開(kāi)發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開(kāi)發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨霸、大戰一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫(huà)下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰即將開(kāi)打!
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Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進(jìn)光掩模生產(chǎn)線(xiàn)項目

　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴T(mén)oppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠(chǎng)的下一階段投資計劃;該廠(chǎng)由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營(yíng)。TPI將對此工廠(chǎng)再投資8000萬(wàn)美元以展現其對中國快速成長(cháng)的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶(hù)之長(cháng)期承諾。TPI先前已投資2000萬(wàn)美元擴建上海二廠(chǎng)(TPCS Shanghai II);該廠(chǎng)現已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠(chǎng)。　　
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美光科技推出適用于下一代智能手機的移動(dòng) 3D NAND 解決方案

　　美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動(dòng)設備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動(dòng) 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場(chǎng)，這一細分市場(chǎng)大約占據全球智能手機總量的 50%[1]。隨著(zhù)移動(dòng)設備替代個(gè)人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶(hù)行為對設備的移動(dòng)內存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動(dòng) 3D NAND 解決了這些問(wèn)題，實(shí)現了無(wú)與倫比的用戶(hù)體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動(dòng)時(shí)間、更好的
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鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內存容量

　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì )(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場(chǎng)為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。　　　　鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來(lái)越高，虛擬現實(shí)應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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解讀實(shí)現中國存儲器夢(mèng)的三條路徑

中中國下決心做存儲器芯片，是個(gè)特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的實(shí)踐，有一定進(jìn)展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過(guò)研發(fā)的早日成功，才能扭轉被動(dòng)的局面。
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面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資

　　據韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。　　市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長(cháng)率(CARG)47%的速度成長(cháng);清華紫光以新成立的長(cháng)江存儲進(jìn)行武漢新芯的股權收購，成立長(cháng)江存儲科技有限責任公司，未來(lái)可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì )上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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東芝超車(chē)失?。喝悄甑浊傲慨a(chǎn)64層3D NAND

　　上周東芝及WD(西部數據)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開(kāi)始量產(chǎn)，不過(guò)恐怕仍無(wú)法超車(chē)NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。　　SSD(固態(tài)硬盤(pán))近年來(lái)制程技術(shù)演進(jìn)，成本價(jià)格逐漸逼近硬盤(pán)(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠(chǎng)陸續將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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半導體行業(yè)掀起并購潮背后的推動(dòng)力是什么？

我們獲取和存儲數據的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來(lái)半導體行業(yè)出現并購潮的原因所在。
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陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進(jìn)半導體制造化學(xué)機械研磨液(CMP)平臺

　　陶氏電子材料是陶氏化學(xué)公司的一個(gè)事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學(xué)機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開(kāi)發(fā)是為了滿(mǎn)足客戶(hù)對先進(jìn)半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規格，適合用來(lái)製造新一代先進(jìn)半導體裝置。　　全球 CMP 消耗品市場(chǎng)持續成長(cháng)，部分的成長(cháng)驅動(dòng)力來(lái)自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無(wú)數先進(jìn)電子裝置的性能需求。　　「生產(chǎn)先進(jìn)半導體晶圓
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英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)

　　經(jīng)過(guò)8個(gè)多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實(shí)現提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠(chǎng)區內看到，1000多名英特爾員工和來(lái)自全世界的數千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著(zhù)，他們的共同目標只有一個(gè)：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠(chǎng)建設為世界上最先進(jìn)的非易失性存儲器制造工廠(chǎng)。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開(kāi)放以來(lái)最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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NAND快閃記憶體價(jià)格上漲創(chuàng )見(jiàn)威剛笑開(kāi)懷

　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售熱絡(luò )，加上智能手機搭載容量提高，帶動(dòng)近月價(jià)格持續上漲，創(chuàng )見(jiàn)、威剛等模組廠(chǎng)營(yíng)運受惠，市場(chǎng)預期蘋(píng)果將推出的iPhone 7拉貨動(dòng)能如何，將攸關(guān)NAND快閃記憶體價(jià)格續漲力道。　　市場(chǎng)指出，上半年非蘋(píng)陣營(yíng)智能手機產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動(dòng)記憶體需求大增，加上6月三星西安廠(chǎng)因變電廠(chǎng)爆炸導致停工，帶動(dòng)NAND快閃記憶體價(jià)格上漲，主流產(chǎn)品在1個(gè)月內漲幅超過(guò)2成。　　市況變化帶動(dòng)記憶體模組廠(chǎng)營(yíng)運增溫，創(chuàng )見(jiàn)表示，在漲價(jià)預期心理帶動(dòng)下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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三星西安廠(chǎng)事故導致NAND價(jià)格爆沖22%

　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠(chǎng)商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動(dòng)記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠(chǎng)6月因附近變電廠(chǎng)爆炸而一度停工，帶動(dòng)使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價(jià)格轉趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價(jià)在1個(gè)月期間內飆漲22%。　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類(lèi)型64Gb NAND價(jià)格揚升至每個(gè)2.75美元、為2年9個(gè)月以來(lái)首度走升，其中也有部分交易價(jià)格超過(guò)3美元，且進(jìn)入7月以來(lái)價(jià)格仍持續走揚。據英國調查公司指出，2016年全球NA
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東芝將領(lǐng)先三星推出64層3D NAND Flash

　　據海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領(lǐng)先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠(chǎng)啟用儀式，未來(lái)將在此工廠(chǎng)生產(chǎn)64層NAND Flash。　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價(jià)格較高，但每單位容量會(huì )比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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