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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統籌存儲器事業(yè)的副社長(cháng)成毛康雄于6日舉行的投資人說(shuō)明會(huì )上表示，將沖刺NAND Flash產(chǎn)量，目標在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開(kāi)始量產(chǎn)的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產(chǎn)，目標在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準。 東芝為全球第2大NAND Flash廠(chǎng)商，市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅報(
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D NAND
Cell on Peri構造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力
- Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱(chēng)Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開(kāi)發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀(guān)察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類(lèi)似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(chǎng)(Integrated Device Ma
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 美光
2016年下半3D NAND供應商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進(jìn)，短期內仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢。 三星已自2013年下半起陸續量產(chǎn)24層、32層
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
3D保護玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護玻璃
- 觸摸屏的保護玻璃，又稱(chēng)之為保護蓋，用來(lái)保護顯示屏和觸控面板。為了適應智能機的不同設計需求，保護玻璃有不同的形狀。保護玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部，再根據保護玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著(zhù)智能手機廠(chǎng)商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設計方面競爭，舒適的手感和靈敏的觸控反應越來(lái)越重要，這 也鼓勵著(zhù)觸控面板廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)形狀更好的保護玻璃。 2016年用于手機的3D保護玻璃出貨量預計將增至4,900萬(wàn)片，占手機用保護玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預測2017年其出貨量將飛漲103.9%達1億片的規模，
- 關(guān)鍵字： 3D 2D保護玻璃
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過(guò)引線(xiàn)鍵合技術(shù)實(shí)現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著(zhù)每個(gè)NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
3D NAND成半導體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 半導體
NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚，而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
中國成為全球新建晶圓廠(chǎng)主要推手
- 全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠(chǎng)至少有19座，其中有半數以上都是在中國。 根據SEMI的統計，全球在2016年與2017年將開(kāi)始興建的晶圓廠(chǎng)至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠(chǎng)商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長(cháng)13%、達到407億美元。 包括全新、二手與專(zhuān)屬(in-house)晶圓廠(chǎng)設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
三星否認擴產(chǎn)3D NAND？外資：三星明年3D產(chǎn)能將擴充至37.5%
- 據韓國時(shí)報報導，三星電子于15日宣稱(chēng)“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產(chǎn)能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。 barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會(huì )在今年底將3D NAND的月產(chǎn)能拉高至接近16萬(wàn)片晶圓 (西安廠(chǎng)12萬(wàn)片、Line 16廠(chǎng)接近4萬(wàn)片)。三星的西安廠(chǎng)目前已接近產(chǎn)能全開(kāi)，且該公司還計劃把Line 16廠(chǎng)的部分2D NAND產(chǎn)能轉換為3D。 另外，三星也將善用Line
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
中國半導體成效驚人 包攬近兩年過(guò)半全球新增產(chǎn)能
- 中國砸銀彈扶植半導體進(jìn)度、成效驚人，國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產(chǎn)能，預估有超過(guò)一半都將來(lái)自中國。 據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠(chǎng)，當中有10座設在中國，其中兩座生產(chǎn)存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規模較小，主要生產(chǎn)類(lèi)比式芯片、微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems)與
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
NAND需求好轉 將帶動(dòng)DRAM市場(chǎng)趨于健康
- 蘋(píng)果iPhone 7已展開(kāi)備貨，記憶體容量倍增，銷(xiāo)售也看好，業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠(chǎng)的產(chǎn)能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動(dòng)DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻等，預估下半年營(yíng)運會(huì )比上半年好。 創(chuàng )見(jiàn)預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠(chǎng)資本支出較保守，產(chǎn)能增加有限，致使價(jià)格趨緩跌;受惠智能手機等產(chǎn)品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤(pán)態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。 威剛董事長(cháng)陳立白日
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
從Nand特性談其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)
- 為什么燒錄Nand Flash經(jīng)常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統卻運行不起來(lái)?…，等等，問(wèn)了那么多為什么，那我反問(wèn)一個(gè)問(wèn)題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關(guān)鍵點(diǎn)嗎? ? 一、Nand flash的特性 1、位翻轉 在 NAND 閃存是通過(guò)對存儲單元(Cell)進(jìn)行充電來(lái)完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著(zhù)數據值。當讀取的時(shí)候，通過(guò)將它的閾值電壓與參考點(diǎn)對比來(lái)獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個(gè)
- 關(guān)鍵字： Nand 燒錄
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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