EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d-nand
3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量
- 據韓媒報道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達到此前用量的一半。報道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機的轉速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應商，為三星第7代（11微米）和第
- 關(guān)鍵字： 三星 光刻膠 3D NAND
消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結構
- 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟日報》當地時(shí)間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線(xiàn)圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過(guò) 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲 V-NAND
TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調 3% 至 8%
- IT之家?10 月 15 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現季減 3% 至
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 存儲 市場(chǎng)分析
臺積電OIP推3D IC設計新標準
- 臺積電OIP（開(kāi)放創(chuàng )新平臺）于美西當地時(shí)間25日展開(kāi)，除表?yè)P包括力旺、M31在內之業(yè)者外，更計劃推出3Dblox新標準，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統創(chuàng )新，并提高EDA工具的通用性。 臺積電設計構建管理處負責人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構中的物理挑戰，幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現優(yōu)化的設計。臺積電OIP生態(tài)系統論壇今年由北美站起跑，與設計合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作，推動(dòng)AI芯片設計的創(chuàng )新。 Dan Kochpa
- 關(guān)鍵字： 臺積電 OIP 3D IC設計
三星電子開(kāi)發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車(chē)載SSD
- 三星電子今日宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD。三星新款AM9C1車(chē)載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性，成為適配車(chē)載應用端側人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車(chē)載SSD相比前代產(chǎn)品AM991，能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達4,400MB/s和400MB/s。三星半導體基于第八代V-NAND技術(shù)的車(chē)載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲器事業(yè)部汽車(chē)業(yè)務(wù)負責人Hyunduk Cho表示：“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車(chē)廠(chǎng)商合作，為這些企業(yè)提
- 關(guān)鍵字： 三星電子 V-NAND 車(chē)載SSD
三星首款！第八代V-NAND車(chē)載SSD發(fā)布：讀取4400MB/s
- 9月24日消息，今日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車(chē)載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991，AM9C1能效提高約50%，順序讀寫(xiě)速度分別高達4400MB/s和400MB/s。三星表示，AM9C1能滿(mǎn)足汽車(chē)半導體質(zhì)量標準AEC-Q1003的2級溫度測試標準，在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內能保持穩定運行。據介紹，AM9C1采用三星5nm主控，用戶(hù)可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式，以此大幅提升讀寫(xiě)速度。其中，讀取速度高達4700MB/s，寫(xiě)入速度高達1
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND PCIe 4.0 車(chē)載SSD
2024二季度NAND Flash出貨增長(cháng)放緩，AI SSD推動(dòng)營(yíng)收季增14%
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，由于Server（服務(wù)器）終端庫存調整接近尾聲，加上AI推動(dòng)了大容量存儲產(chǎn)品需求，2024年第二季NAND Flash（閃存）價(jià)格持續上漲，但因為PC和智能手機廠(chǎng)商庫存偏高，導致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了15%，總營(yíng)收達167.96億美元，較前一季增長(cháng)了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應商已恢復盈利狀態(tài)，并計劃在第三季擴大產(chǎn)能，以滿(mǎn)足AI和服務(wù)器的強勁需求，但由于PC和智能手機今年上半年市場(chǎng)表現不佳，
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) NAND Flash AI SSD
TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(cháng)放緩，AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(cháng) 14%
- IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)今天下午發(fā)布報告指出，由于服務(wù)器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲產(chǎn)品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價(jià)格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠(chǎng)商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%，平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%，總營(yíng)收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實(shí)現環(huán)比增長(cháng) 14.2%。各廠(chǎng)商營(yíng)收情況如下：三星：第二季時(shí)積極回應客戶(hù)對
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash
消息稱(chēng)三星電子確認平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標明年 6 月投運
- IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠(chǎng)建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)的投資計劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標明年 6 月投入運營(yíng)。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 三星電子
1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來(lái)
- Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù)，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
存儲亮劍！NAND技術(shù)多點(diǎn)突破
- 人工智能（AI）市場(chǎng)持續火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí)，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會(huì )議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢(xún)四位資深分析師針對HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開(kāi)了深度討論，廓清存儲行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。此外，大會(huì )現場(chǎng)，NVM Express組織在會(huì )中發(fā)布了 NVMe 2.1 規范，進(jìn)一步統一存儲架構、簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)流程。另外包括Kioxia
- 關(guān)鍵字： 存儲 NAND TrendForce
為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0
- IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產(chǎn)品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶(hù)實(shí)現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬(wàn)片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng )建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 泛林集團
消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計劃于 2025 上半年實(shí)現量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
- 關(guān)鍵字： SK海力士 內存 NAND
3d-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
3d-nand相關(guān)帖子
3d-nand資料下載
3d-nand專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473