消息稱(chēng)三星電子確認平澤 P4 工廠(chǎng) 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)投資，目標明年 6 月投運

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠(chǎng)建設 1c nm DRAM 內存產(chǎn)線(xiàn)的投資計劃，該產(chǎn)線(xiàn)目標明年 6 月投入運營(yíng)。

平澤 P4 是一座綜合性半導體生產(chǎn)中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產(chǎn)設備，但擱置了二期建設。

而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產(chǎn)品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱(chēng)，三星電子計劃在今年底啟動(dòng) 1c nm 內存生產(chǎn)。

▲ 三星平澤廠(chǎng)區

根據IT之家此前報道，三星電子考慮在明年下半年推出的 HBM4 內存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先進(jìn)的 DRAM 制程提升 HBM4 產(chǎn)品的能效競爭力，追趕 HBM 領(lǐng)域領(lǐng)先者 SK 海力士。

考慮到 HBM 內存對 DRAM 晶圓的消耗量遠高于傳統內存，平澤 P4 建設 1c nm DRAM 產(chǎn)線(xiàn)也是在為可能的 HBM4 生產(chǎn)需求做好準備。