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3d-nand 文章 進(jìn)入3d-nand技術(shù)社區
十年磨一劍：三星引入長(cháng)江存儲專(zhuān)利技術(shù)
- 近日，三星與長(cháng)江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專(zhuān)利許可協(xié)議。不過(guò)，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專(zhuān)利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開(kāi)始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長(cháng)江存儲的專(zhuān)利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現?——?通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著(zhù)提高了傳輸
- 關(guān)鍵字： 三星 長(cháng)江存儲 NAND 混合鍵合 晶棧 Xtacking 閃存
NAND Flash市況 有望6月復蘇
- NAND Flash控制芯片廠(chǎng)慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開(kāi)始堅守價(jià)格，避免市場(chǎng)陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場(chǎng)狀況自然調節供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務(wù)部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實(shí)施管制，也將延緩中國大陸廠(chǎng)商在DRAM領(lǐng)域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
- 關(guān)鍵字： TrendForce 集邦咨詢(xún) NAND Flash
稱(chēng)三星與長(cháng)江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專(zhuān)利
- 據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開(kāi)始，將使用長(cháng)江存儲(YMTC)的專(zhuān)利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專(zhuān)利的許可協(xié)議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。據了解，長(cháng)江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨立加工負責
- 關(guān)鍵字： 三星 長(cháng)江存儲 NAND
鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，日前， 鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進(jìn)的3D閃存技術(shù)，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹(shù)立了行業(yè)標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術(shù)，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類(lèi)似長(cháng)江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產(chǎn)的第八代產(chǎn)品（BiCS FLASH? generation 8）實(shí)現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
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NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%
- 據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產(chǎn)計劃。當前，存儲器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀(guān)態(tài)度。長(cháng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項目將擇機啟動(dòng)
- 日前，紫光國微在投資者互動(dòng)平臺透露，公司在無(wú)錫建設的高可靠性芯片封裝測試項目已于2024年6月產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)，現正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì )根據產(chǎn)線(xiàn)運行情況擇機啟動(dòng)。據了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項目是紫光集團在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標準塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線(xiàn)，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍
- 據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來(lái)自L(fǎng)am Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗進(jìn)行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng )建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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NAND Flash廠(chǎng)商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩定價(jià)格
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究報告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計劃，可能長(cháng)期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，NAND Flash廠(chǎng)商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級等方式達成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅動(dòng)：第一，需求疲軟
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應對降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠(chǎng)NAND閃存！
- 1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠(chǎng)的NAND閃存生產(chǎn)，以此應對全球NAND供應過(guò)剩導致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠(chǎng)的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預計將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線(xiàn)也將調整其供應，導致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當時(shí)
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李飛飛對計算機視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機器提供 3D 空間智能
- 斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏(yíng)得了自己的地位。她在深度學(xué)習革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng )建 ImageNet 數據集和競賽，挑戰 AI 系統識別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠遠超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型，并贏(yíng)得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現在提供的大量免費訓練數據和提供前所未有的計算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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SK 海力士新設 AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
- 12 月 5 日消息，據 Businesses Korea 今日報道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構優(yōu)化。本次調整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據核心職能分工明確責任與權限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎設施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內的五大部門(mén)。據介紹，新設的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著(zhù)眼于下一代 AI 內存等
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型 可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界
- 12月5日消息，美國當地時(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機構DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng )造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng )立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著(zhù)異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng)，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級SSD需求強勁，消費性訂單未復蘇
- 根據TrendForce集邦咨詢(xún)最新調查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，不同應用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢在今年第三季出現分化，企業(yè)級SSD需求強勁，推升價(jià)格季增近15%，消費級SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產(chǎn)品因中國手機品牌嚴守低庫存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
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Teledyne推出用于在線(xiàn)3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具
- Teledyne DALSA推出在線(xiàn)3D機器視覺(jué)應用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線(xiàn)上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機定子等）、汽車(chē)、電子、半導體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠(chǎng)自動(dòng)化應用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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