NAND價(jià)格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價(jià)格已連續四個(gè)月下跌，為應對這一不利局面，廠(chǎng)商開(kāi)始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產(chǎn)量以及中國西安工廠(chǎng)的開(kāi)工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產(chǎn)量。后續預計還會(huì )有其他大廠(chǎng)跟進(jìn)，消息人士透露鎧俠預計也會(huì )減產(chǎn)。

· 美國存儲芯片大廠(chǎng)美光發(fā)布的最新財報顯示，其2025財年第一季度（截至2024年11月）總營(yíng)收87.1億美元，同比上升84.3%，符合市場(chǎng)預期。但從細分業(yè)務(wù)來(lái)看，美光的DRAM和NAND業(yè)務(wù)在環(huán)比層面卻有明顯分化，其中DRAM業(yè)務(wù)環(huán)比增長(cháng)20%，而NAND業(yè)務(wù)卻下滑了5%，主要原因是受到了手機、汽車(chē)及工業(yè)等市場(chǎng)需求持續走低的影響。

預計2025財年第二季度NAND出貨量仍將環(huán)比下降，并且影響下一季度業(yè)績(jì)，美光高管確認在閃存市場(chǎng)需求放緩的背景下將其N(xiāo)AND晶圓啟動(dòng)率較此前水平下調10%并減慢制程節點(diǎn)轉移。美光執行副總裁首席財務(wù)官Mark Murphy表示：“在NAND業(yè)務(wù)方面，我們正在采取迅速而果斷的行動(dòng)來(lái)降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量?！?/span>

· 三星決定在西安的NAND閃存工廠(chǎng)削減產(chǎn)量，平均月產(chǎn)量將從20萬(wàn)片晶圓降至17萬(wàn)片，減產(chǎn)幅度超過(guò)10%。這一舉措被視為三星維護盈利能力和促進(jìn)市場(chǎng)價(jià)格穩定的戰略部署。與此同時(shí)，三星在韓國華城的12號和17號生產(chǎn)線(xiàn)也將進(jìn)行產(chǎn)量調整，以進(jìn)一步縮減整體產(chǎn)能規模。

回顧2023年初，三星在面對嚴峻市場(chǎng)環(huán)境時(shí)，已經(jīng)采取過(guò)減產(chǎn)措施。西安第一工廠(chǎng)的12英寸晶圓月產(chǎn)量從2022年第四季度的12.5萬(wàn)塊削減至次年第一季度的11萬(wàn)塊，減幅約12%；西安第二工廠(chǎng)的產(chǎn)量也從每月14.5萬(wàn)塊調整至13.5萬(wàn)塊，減幅約7%。三星此次再次減產(chǎn)，展現了其在全球NAND閃存市場(chǎng)波動(dòng)中的審慎態(tài)度和策略調整。

· SK海力士是全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商，銷(xiāo)售額僅次于三星，目前的NAND閃存產(chǎn)能為每月30萬(wàn)片晶圓，計劃在今年上半年削減10%（30000片晶圓）的產(chǎn)量。

· 鎧俠原定于2024年10月在東京證券交易所上市，但此次IPO再次被推遲。盡管該公司在過(guò)去兩個(gè)季度開(kāi)始盈利，但NAND市場(chǎng)仍然不穩定。由于擔心庫存上升，以及為應對生成性AI浪潮而于2025年大規模生產(chǎn)第八代NAND設備，鎧俠計劃在第四季度（市場(chǎng)需求的過(guò)渡期）減少產(chǎn)量，以避免產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題。

在此前的上升周期時(shí)，NAND廠(chǎng)商為了滿(mǎn)足市場(chǎng)需求增長(cháng)，不斷擴大產(chǎn)能，但此次的上升周期過(guò)于短暫，導致產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題凸顯。三星、SK海力士等主要廠(chǎng)商的部分NAND產(chǎn)能處于閑置或低利用率狀態(tài)。

據TrendForce半導體研究中心（DRAMeXchange）發(fā)布的數據顯示，通用NAND固定價(jià)格自2023年10月起連續五個(gè)月上漲后，在2024年3月增速減緩，維持平穩狀態(tài)，而后從9月開(kāi)始轉為下跌趨勢；2024年9月至11月，NAND價(jià)格環(huán)比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，顯示面向存儲卡和USB設備的通用型NAND閃存（128Gb 16Gx8 MLC）的固定價(jià)格在去年8月時(shí)為4.9美元，但此后逐月下跌至2.08美元 —— 跌幅已經(jīng)超過(guò)50%，是繼2015年8月統計以來(lái)的最低價(jià)格。

NAND市場(chǎng)仍處于下行周期

2025年第一季度NAND市場(chǎng)將面臨嚴峻挑戰，供貨商庫存持續上升，訂單需求下降，平均合約價(jià)預計環(huán)比將再下降10%-15%。獲利能力進(jìn)一步減弱，因此今年或許會(huì )有部分產(chǎn)品線(xiàn)從NAND轉向DRAM，消費端NAND價(jià)格一直到2025年下半年才可能反彈回升。

NAND制造商面臨的最緊迫問(wèn)題是庫存控制。由于該行業(yè)預期制造商將降價(jià)，庫存成本上升可能會(huì )破壞定價(jià)策略并產(chǎn)生過(guò)剩供應壓力。系統運營(yíng)商和主要云服務(wù)商（CSP）預計價(jià)格會(huì )下降，導致對短期訂單持謹慎態(tài)度，這可能會(huì )形成惡性循環(huán)，這對NAND制造商來(lái)說(shuō)是不利的。

面對NAND市場(chǎng)持續走低的態(tài)勢，不僅美光，三星、SK海力士、鎧俠等頭部廠(chǎng)商也都采取了減產(chǎn)措施，以阻止NAND價(jià)格的下跌趨勢，NAND市場(chǎng)的“寒冬”仍在無(wú)限期拉長(cháng)。但如果這些減產(chǎn)措施激發(fā)整個(gè)行業(yè)采取類(lèi)似行動(dòng)，NAND價(jià)格可能會(huì )回升。此前實(shí)施的減產(chǎn)措施，帶動(dòng)了整個(gè)供應鏈主動(dòng)下單、價(jià)格上漲，使得上游企業(yè)認為限制產(chǎn)能可以平衡市場(chǎng)供需，從而鼓勵下游客戶(hù)提前備貨。

中國臺灣工商時(shí)報在報道指出，目前全球主要內存制造商的庫存周轉期已恢復到10-12周的正常范圍。業(yè)界預計，如果削減產(chǎn)能無(wú)法增加出貨量，可能會(huì )實(shí)施更嚴厲的措施來(lái)減少整體供應量。

企業(yè)大規模減產(chǎn)其實(shí)難度很大：一方面，生產(chǎn)線(xiàn)的關(guān)停與重啟并非易事，涉及到高昂的成本、復雜的設備維護以及技術(shù)人員的調配。一旦減產(chǎn)過(guò)度，后續若市場(chǎng)回暖，產(chǎn)能恢復的時(shí)間差可能導致錯失商機；另一方面，減產(chǎn)決策的協(xié)同性較差，各廠(chǎng)商出于自身利益考量，難以達成完全一致的減產(chǎn)步調，有可能導致市場(chǎng)上的供應波動(dòng)頻繁，價(jià)格體系混亂。

根據報道稱(chēng)，三星正在考慮將其P4 NAND生產(chǎn)線(xiàn)的一部分產(chǎn)能轉換為DRAM。三星設備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場(chǎng)需求；SK海力士也有消息稱(chēng)，可能將清州M14、M15X和M16工廠(chǎng)的部分NAND產(chǎn)能轉用于生產(chǎn)HBM；鎧俠方面消息顯示，由于擔心未來(lái)庫存上升，選擇減少第四季度NAND產(chǎn)量，但同時(shí)為應對生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規模生產(chǎn)第八代NAND設備，并準備投產(chǎn)最先進(jìn)存儲產(chǎn)品。

PC、移動(dòng)及消費產(chǎn)業(yè)出貨量維持低迷，相比之下，隨著(zhù)人工智能（AI）相關(guān)半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動(dòng)，面向AI數據中心的企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格相對穩定。這在一定程度上能夠緩解今年第一季度市場(chǎng)所面臨的供應過(guò)剩壓力，AI驅動(dòng)的大容量SSD需求成為了市場(chǎng)復蘇的關(guān)鍵。目前，NAND閃存市場(chǎng)的競爭正在慢慢升溫，加緊提升NAND產(chǎn)品的性能和容量。

NAND閃存市場(chǎng)新競爭

其實(shí)，自NAND閃存進(jìn)入3D時(shí)代以來(lái)，芯片層數一直是各大NAND閃存芯片廠(chǎng)商競爭的焦點(diǎn)，堆棧層數越來(lái)越高。今年以來(lái)，隨著(zhù)存儲原廠(chǎng)NAND制程相繼迭代，200層以上NAND的供應增加，高密度NAND在市場(chǎng)應用中逐步取得進(jìn)展：

· 三星236層V8 TLC NAND產(chǎn)能放量增長(cháng)，同時(shí)290層V9 TLC/QLC NAND開(kāi)始量產(chǎn)；

· SK海力士擴大238層NAND在企業(yè)級SSD的應用，并推出321層NAND Flash；

· 鎧俠及西部數據推動(dòng)218層BiSC8 NAND加速在OEM廠(chǎng)商的導入，采用BiSC8和CMOS鍵合技術(shù)生產(chǎn)的2Tb QLC NAND已開(kāi)始送樣；

· 美光量產(chǎn)276層G9 TLC NAND，并已在面向客戶(hù)端OEM的SSD中采用。

三星宣布其半導體研究所成功完成突破性的400層NAND技術(shù)開(kāi)發(fā)，且于11月將這項技術(shù)轉移到平澤P1廠(chǎng)的量產(chǎn)線(xiàn)上，預計將于明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)。另外，三星計劃采用新型鍵合技術(shù)，在不同的晶圓上分別創(chuàng )建單元和外圍設備，然后進(jìn)行鍵合；這種方法將實(shí)現具有大存儲容量和出色散熱性能的“超高”NAND堆棧，非常適合用于A(yíng)I數據中心的超高容量SSD。這款芯片被稱(chēng)為「Bonding Vertical NAND Flash，簡(jiǎn)稱(chēng)BV NAND」，其單位面積的位密度將提高1.6倍，三星的目標是到2030年開(kāi)發(fā)超過(guò)1000層的NAND芯片。

需要注意的是，1000層NAND可沒(méi)有那么好做。從理論上講，堆疊1000層以上的NAND是可行的，但需要解決堆棧過(guò)程中的沉積和蝕刻問(wèn)題。具體來(lái)看，在2D NAND的發(fā)展進(jìn)程中，光刻技術(shù)是推動(dòng)其發(fā)展的關(guān)鍵工藝，3D NAND則完全不同，存儲單元以垂直堆疊的方式實(shí)現容量的增長(cháng)。

除此之外，3D NAND工藝流程中最困難的部分當屬高縱深比要求的蝕刻工藝。在3D NAND結構中，必須通過(guò)蝕刻工藝從器件的頂層到底層蝕刻出微小的圓形孔道，將存儲單元能夠垂直聯(lián)通起來(lái)。這也意味著(zhù)倘若未來(lái)堆疊的層數超過(guò)1000層，芯片廠(chǎng)商或將需要面臨越來(lái)越復雜、昂貴的工藝。存儲產(chǎn)業(yè)需要找到新的解決方法不斷滿(mǎn)足人們日益增長(cháng)的存儲需求，當然，這也可能是一種全新的存儲介質(zhì)，各大原廠(chǎng)同樣深知這一點(diǎn)，目前也在積極投入研發(fā)當中，例如：FeRAM、MRAM、PCM、RRAM等。然而，哪種器件能夠突出重圍，成為下一代非易失性存儲器件，還需時(shí)間給出答案。

隨著(zhù)AI時(shí)代的到來(lái)和對存儲需求的不斷增長(cháng)，SSD在數據傳輸速度、耐用性和存儲容量方面都面臨著(zhù)巨大的挑戰。然而，QLC SSD以其高存儲密度和優(yōu)化服務(wù)器空間的能力，以及降低能耗和總體擁有成本的優(yōu)勢，有望在市場(chǎng)中占據一席之地。行業(yè)專(zhuān)家預測，隨著(zhù)視頻和圖像數據量的持續增長(cháng)，TLC/QLC SSD將成為AI推理應用的主要選擇。

市場(chǎng)研究公司Omdia最新報告顯示，今年QLC NAND的市場(chǎng)規模預計將比去年增長(cháng)85%，其在整個(gè)NAND閃存市場(chǎng)的份額將從去年的12.9%增長(cháng)到今年的20.7%，增長(cháng)近8個(gè)百分點(diǎn)。到2027年，QLC NAND將占整個(gè)NAND市場(chǎng)的46.4%，在短短三年內份額有望增長(cháng)超過(guò)一倍，接近目前以51%的份額占據市場(chǎng)主導地位的TLC產(chǎn)品。

QLC技術(shù)允許每個(gè)單元存儲4個(gè)比特（bit），而TLC為3個(gè)比特，MLC和SLC分別為2個(gè)和1個(gè)比特。這意味著(zhù)與其他NAND類(lèi)型相比，QLC NAND可大幅提高存儲容量。因此，QLC NAND的特性非常符合大型科技公司的需求，與傳統機械硬盤(pán)（HDD）相比，QLC NAND有著(zhù)讀取速度更快、單位面積存儲密度更高以及功耗更低的優(yōu)勢。盡管長(cháng)期以來(lái)QLC NAND有著(zhù)壽命較短、寫(xiě)入速度較慢的劣勢，但數據中心逐漸轉向讀取密集型工作負載之后，這些缺點(diǎn)已被抵消。

NAND制造商也在迅速應對QLC NAND需求的激增。業(yè)界樂(lè )觀(guān)地認為，“NAND的春天”可能會(huì )比預期來(lái)得更猛烈。與去年基于人工智能需求的HBM增長(cháng)一樣，NAND市場(chǎng)也可能經(jīng)歷類(lèi)似的長(cháng)期市場(chǎng)形態(tài)。

目前，SSD、HDD之間的價(jià)格差距也在迅速縮小，單位容量?jì)r(jià)格差距從2015年的20倍減少至當前的約10倍。業(yè)界預計，SK海力士旗下的NAND子公司Solidigm預計將大大受益，截至2023年年底，Solidigm總產(chǎn)量的60%是QLC NAND，雖然美光的市場(chǎng)份額達40.1%，高于Solidigm的21.1%，但美光的產(chǎn)品主要集中在消費領(lǐng)域。用于A(yíng)I服務(wù)器的高附加值QLC NAND供應很可能由Solidigm和三星主導，三星計劃在今年下半年量產(chǎn)第九代280層QLC NAND，而SK海力士通過(guò)Solidigm推出了容量達60TB的QLC固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，并在2025年準備300TB產(chǎn)品，以最大程度滿(mǎn)足AI導向的需求。

NAND技術(shù)的發(fā)展進(jìn)度并沒(méi)有減緩，各大廠(chǎng)商投入大量資金進(jìn)行研發(fā)和設備升級，以提高存儲密度、性能和降低成本。然而，市場(chǎng)低迷使得產(chǎn)品價(jià)格下降，廠(chǎng)商的利潤空間受到壓縮，進(jìn)一步加大了成本壓力，再加上NAND市場(chǎng)競爭激烈，三星、鎧俠、西部數據等廠(chǎng)商為了爭奪市場(chǎng)份額，紛紛采取降價(jià)等策略，導致產(chǎn)品價(jià)格下降，市場(chǎng)整體利潤水平降低。就目前的種種跡象來(lái)看，NAND存儲芯片市場(chǎng)并未真正“復蘇”，行業(yè)仍然需要大量時(shí)間“去庫存”，而迎來(lái)真正復蘇或許還需要更多的時(shí)間。