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DRAM市場(chǎng)基礎繼續惡化 預計08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%

  •   Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據三星日前的報告,我們分析2008年上半年DRAM內存市場(chǎng)基礎繼續惡化,大多數DRAM供應商,尤其韓國之外的廠(chǎng)商2008年資本開(kāi)支出現大幅削減?!?   預計2008年,DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%,原來(lái)預計下降20%。這將導致總體內存資本開(kāi)支減少10-12%。   在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(cháng)的低迷之后,該市場(chǎng)仍然存在嚴重的供過(guò)于求情況?!斑@主要由于按容量計
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各類(lèi)器件增長(cháng)強勁 出貨量增長(cháng)率預測調高

  •   據市場(chǎng)調研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長(cháng)10%。該公司先前的預測是增長(cháng)8%。   ICInsights將調高增長(cháng)率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長(cháng):DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(cháng)60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。   ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高水平,將是連續第六年以?xún)晌粩档乃俣仍鲩L(cháng),創(chuàng )下前所未有的強勁增長(cháng)紀錄。   ICInsights認為,
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內存芯片廠(chǎng)商提出新設計欲破摩爾定律

  •   很多廠(chǎng)商都設計出了未來(lái)的閃存技術(shù),但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢?   Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術(shù),這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。   Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示,Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng),希望向其它制造商許可一些技術(shù)。   伯特蘭說(shuō),三星、東芝、Hynix公開(kāi)表示對電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
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第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(cháng)37%,達42億美元

  •   市場(chǎng)調研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導體全球銷(xiāo)售額增長(cháng)37%,達到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋(píng)果iPod在內的消費電子產(chǎn)品需求刺激下的連續增長(cháng)勢頭,本季度可能結束。由于產(chǎn)量增長(cháng)速度快于需求,本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。   韓國海力士半導體第三季度增長(cháng)最快,其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%,達到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%,在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子,市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數量
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閃存成本下滑固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格將下降 筆記本很有優(yōu)勢

  •   固態(tài)硬盤(pán)明年仍然少見(jiàn)且價(jià)格昂貴,但隨著(zhù)其量產(chǎn),閃存成本的下滑,固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格從2009年,2010年開(kāi)始將開(kāi)始下降。   DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展計劃。這種硬盤(pán)功能與常規硬盤(pán)無(wú)異,但與一般硬盤(pán)將數據存儲在磁碟上不同,固態(tài)硬盤(pán)將數據保存在NAND內存芯片上,就像MP3播放器保存文件的方式一樣。   Micron將從明年第一季度開(kāi)始大規模生產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號。雖然容量是現在筆記本電腦硬盤(pán)平均容量的一半,但Micron內存
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三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺灣廠(chǎng)商

  •   近期,三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降,另一方面,英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng),許多分析人士認為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì )出現另一番局面。   三星和海力士減少向臺灣內存廠(chǎng)商的供貨量,是為了滿(mǎn)足蘋(píng)果這類(lèi)國際大客戶(hù)的供貨需求。東芝也限制了供應量,唯獨沒(méi)有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施,這使得不少臺灣企業(yè)開(kāi)始考慮降低對大廠(chǎng)商產(chǎn)品的依賴(lài)。   一些臺灣內存廠(chǎng)商指出,它們都不愿意繼續向三星和海力士采購,
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大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò )存儲中的應用

  •   1 引言   隨著(zhù)嵌入式系統廣泛應用,嵌入式系統中的數據存儲和數據管理則成為設計人員考慮的重點(diǎn)。在許多現場(chǎng)不可達數據采集應用中采用分布式數據存儲,必然帶來(lái)數據管理的不便,因此,集中管理數據成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò )傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統數據,采用C/S模式管理數據。對于大容量數據存儲,選擇介質(zhì)存儲是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲,但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(cháng)期在惡劣的環(huán)境中長(cháng)期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
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供應過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

  •   美國iSuppli調研結果顯示,由于供應過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內進(jìn)一步惡化。   NAND閃存方面,預計512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著(zhù)價(jià)格下跌,行情出現惡化,短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國內存廠(chǎng)商將生產(chǎn)能力從DRAM轉移至NAND閃存,從而導
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年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩

  •   11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因為下游客戶(hù)在10月已陸續進(jìn)行降低庫存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預期11月中旬要開(kāi)始準備年底旺季的備貨需求,根據集邦科技(DRAMeXchange)觀(guān)察,NAND Flash價(jià)格走勢在11月初已經(jīng)出現止跌回穩的現象。   隨著(zhù)NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應量提高后,下游客戶(hù)采購顆粒開(kāi)始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流,導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規格來(lái)得顯著(zhù)。有鑒于9月以來(lái)
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FAT文件系統在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設計

  •        嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統,并闡述具體的設計思想。該系統改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲方式,延長(cháng)了存儲器的使用壽命,提高了穩定性。        NAND Flash存儲器是一種數據正確性非理想的器件,容易出現位反轉現象,同時(shí)在使用中可
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07年第三季NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收逼近39億美元

  •   根據集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報告指出,NANDFlash品牌廠(chǎng)商在2007年第三季整體營(yíng)收表現亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長(cháng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(cháng)約30%;而就營(yíng)收排行而言,三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著(zhù)的增長(cháng)。      由于第三季為傳統NANDFlash下游客戶(hù)的備貨旺
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IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增

  •   IDC在最新的《全球半導體市場(chǎng)預測》中預測,2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)速度放慢將為2008年的大增長(cháng)奠定基礎。   據國外媒體報道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度將只有4.8%,2006年的這一數字只有8.8%。IDC預測,2008年的增長(cháng)速度將達到8.1%。   報告指出,如果產(chǎn)能增長(cháng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(cháng)速度會(huì )更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購,這可能會(huì )改變業(yè)界的競爭格局。   IDC負責《全球半導體市場(chǎng)預測》的項目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對各
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IC單位出貨量強勁 面臨廠(chǎng)商無(wú)利潤繁榮局面

  •   最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長(cháng)10%,略高于市場(chǎng)調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長(cháng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長(cháng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現連續三年保持兩位數增長(cháng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(cháng)速
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觸控面板告急 NAND Flash廠(chǎng)失良機原地嘆息

  •   iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠(chǎng)最著(zhù)急,NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。   據境外媒體報道,為迎圣誕買(mǎi)氣,各大NANDFlash廠(chǎng)商鉚足了勁,原本寄望因蘋(píng)果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價(jià)格回升,然后,卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠(chǎng)商。   蘋(píng)果原計劃九月起開(kāi)始出貨,但因沒(méi)有足夠的
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集成電路出貨量增長(cháng) 廠(chǎng)商面臨無(wú)利潤繁榮局面

  •   最近公布的數據顯示,2007年IC單位出貨量將增長(cháng)10%,略高于市場(chǎng)調研公司ICInsights最初預計的8%。自2002年以來(lái),IC單位出貨量一直保持兩位數的年增長(cháng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數據轉換(58%)、和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長(cháng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來(lái),IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現連續三年保持兩位數增長(cháng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(cháng)速
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3d nand介紹

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