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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
恒憶?（NUMONYX）強勢進(jìn)軍存儲器市場(chǎng)
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng )新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(cháng)，在成立之初就成為存儲器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠(chǎng)商，專(zhuān)注于存儲器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
NAND市場(chǎng)增長(cháng)放緩芯片廠(chǎng)欲推遲建廠(chǎng)計劃
- 日前，全球領(lǐng)先的閃存供應商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(chǎng)(Fab5)，以應對未來(lái)市場(chǎng)對NAND閃存的需求，該工廠(chǎng)預計將于2010年投產(chǎn)。 市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠(chǎng)能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因為現在的供求關(guān)系依然比較樂(lè )觀(guān)?！? 但是閃存供應商們延遲其工廠(chǎng)興建計劃也再一次證明了NAN
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
GPS 3D導航設計的穩定性考慮
- 摘要：?3D地圖的出現和推廣、更多信息點(diǎn)的地圖，使大容量的存儲器成為2008年導航產(chǎn)品發(fā)展的一個(gè)重要方向。大容量存儲器的需要還來(lái)源于對數據保護的需求。本文通過(guò)對比Embedded Raw MLC和Managed Nand兩種存儲方式，介紹了系統硬件和軟件設計對GPS導航設備穩定性的影響。 關(guān)鍵詞：?GPS；SLC；MLC；3D導航 GPS 3D導航地圖的出現并非偶然，3D導航比2D顯示更多的信息量，通過(guò)3D圖像來(lái)真實(shí)地模擬顯示現實(shí)世界中的街道和交叉路口，駕駛者不僅可以看到詳細而
- 關(guān)鍵字： GPS 3D 導航設計 穩定性考慮 200803
ZigBee技術(shù) 無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò )節點(diǎn) MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統中的應用，完成了硬件接口設計和軟件設計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點(diǎn)，被廣泛地應用于手
- 關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線(xiàn)測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價(jià)格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統存儲的新寵，因此其上的文件系統研究也日益廣泛，本文簡(jiǎn)要介紹了常用的NAND Flash文件系統YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進(jìn)行在線(xiàn)測試。在給出測試結果的同時(shí)，著(zhù)重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進(jìn)行分析，并提出改進(jìn)方案和適用環(huán)境。 關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著(zhù)嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應用，嵌入式系統中的數據存儲和管理已經(jīng)成為一個(gè)重要
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問(wèn)題
- 北京時(shí)間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產(chǎn)品銷(xiāo)售增長(cháng)減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內存芯片，這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來(lái)，英特爾巧妙地避過(guò)了那些芯片的價(jià)格波動(dòng)。 全球最大電腦芯片廠(chǎng)商英特爾在3月3日晚間宣布，它預計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于：NAND閃存的價(jià)格低于預期水平。在第
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關(guān)鍵字： NAND NOR flash
分析師稱(chēng)NAND閃存市場(chǎng)可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類(lèi)短缺和平均銷(xiāo)售價(jià)格走平之后，NAND閃存市場(chǎng)可能會(huì )再一次崩潰。 據Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱(chēng)，全球最大的NAND閃存買(mǎi)主蘋(píng)果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類(lèi)型NAND閃存芯片的采購?，F在NAND閃存還沒(méi)有殺手應用。這些因素都會(huì )對NAND閃存市場(chǎng)產(chǎn)生影響。 Mok稱(chēng)，蘋(píng)果在2006年就曾采取過(guò)同樣的減少采購的行動(dòng)，導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過(guò)了需求的70%和價(jià)格的下降。 這位分析師稱(chēng)，雖然自從2
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 芯片
內存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰線(xiàn)不斷擴大
- 快閃內存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點(diǎn)出乎各界意料，整個(gè)產(chǎn)業(yè)的高點(diǎn)反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒(méi)有傳統的消費性電子產(chǎn)品旺季出現，反而NAND Flash價(jià)格劇烈的忽上忽下，可說(shuō)是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來(lái)襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀(guān)點(diǎn)： 2007年內存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個(gè)事件，就是Samsun
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開(kāi)支將降9.9%
- 據市場(chǎng)研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱(chēng)，2008年全球半導體設備開(kāi)支預計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱(chēng)，2007年的特點(diǎn)是DRAM內存不顧供過(guò)于求的現實(shí)繼續加大投資、NAND閃存開(kāi)支增速減緩和代工廠(chǎng)商恢復開(kāi)支的狀況令人失望。在2008年，我們預計隨著(zhù)DRAM內存市場(chǎng)將糾正資本開(kāi)支的長(cháng)期錯誤，半導體主要設備市場(chǎng)的開(kāi)支將減少。代工廠(chǎng)商開(kāi)支增長(cháng)速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND 閃存 IC自動(dòng)測試設備 ATE
供大于求 明年NAND閃存市場(chǎng)難以復蘇
- 比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人 編譯) 據國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱(chēng)，NAND閃存市場(chǎng)仍將處于供大于求的局面，這不僅對現貨市場(chǎng)造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產(chǎn)品合同價(jià)格。 12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價(jià)格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價(jià)格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產(chǎn)量，價(jià)格沒(méi)有出現大幅滑落。 NAND閃存合同價(jià)格的下降，主要是由于蘋(píng)果每年戰略性削減其12月份的NAND
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存市場(chǎng) 存儲器
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應用領(lǐng)域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場(chǎng)發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用，以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場(chǎng)占有率，市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(cháng)至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領(lǐng)域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調低08年半導體預期
- 市場(chǎng)研究機構iSuppli以全球經(jīng)濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預期，不過(guò)對于整個(gè)市場(chǎng)形勢仍持樂(lè )觀(guān)態(tài)度。 據國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數據)增長(cháng)7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli表示，2008年半導體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響，美國經(jīng)濟2008年的預期并不樂(lè )觀(guān)，而美國經(jīng)濟的影響力自然會(huì )波及全球
- 關(guān)鍵字： 半導體 芯片 NAND 半導體材料
東芝推出首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對應多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤(pán))產(chǎn)品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開(kāi)的世界最大規模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問(wèn)題，目前還沒(méi)有真正普及。因此，搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 東芝 NAND 閃存
3d nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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