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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
報告:9月全球微芯片銷(xiāo)售收入同比增長(cháng)5.9%
- 據美國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)周一稱(chēng)，在PC和手機等消費電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下，今年9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)了5.9%。 9月份全球微芯片銷(xiāo)售收入從去年同期的213億美元增長(cháng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷(xiāo)售收入增長(cháng)6%，從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱(chēng)，第三季度的全球銷(xiāo)售比今年第二季度增長(cháng)了13.2%反映了為圣誕節假日銷(xiāo)售準備產(chǎn)品的傳統模式已經(jīng)開(kāi)始。 消費電子產(chǎn)品的需求非常強勁。第三季度用于傳統消費電子產(chǎn)品的
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NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接著(zhù)，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內人
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各類(lèi)器件增長(cháng)強勁 出貨量增長(cháng)率預測調高
- 據市場(chǎng)調研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長(cháng)10%。該公司先前的預測是增長(cháng)8%。 ICInsights將調高增長(cháng)率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長(cháng)：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(cháng)60%)、數據轉換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高水平，將是連續第六年以?xún)晌粩档乃俣仍鲩L(cháng)，創(chuàng )下前所未有的強勁增長(cháng)紀錄。 ICInsights認為，
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IC 數據轉換 NAND 模擬IC
報告稱(chēng)：07年全球集成電路出貨量將增長(cháng)10%
- 10月21日消息，據外電報道，市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(cháng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(cháng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長(cháng)，如DRAM內存出貨量增長(cháng)49%，NAND閃存出貨量增長(cháng)38%，接口集成電路出貨量增長(cháng)60%，數據轉換集成電路出貨量增長(cháng)58%，汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(cháng)32%。 ICInsights稱(chēng)，如果2007年全球集成電路出貨量增長(cháng)率達到10%或者更高，這將是連續第六年的兩位增長(cháng)
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DRAM現貨市場(chǎng)持續走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續走弱;而DDR則因供應不足價(jià)格緩步盤(pán)堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后，暫時(shí)止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面，由于現貨市場(chǎng)供給數量仍舊不足，上周也曾出現缺貨狀況，價(jià)格持續小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠(chǎng)商甚至認為，倘若預期十一
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本田投資500萬(wàn)美元于3D傳感器技術(shù)
- 日本汽車(chē)制造商本田把3維傳感器技術(shù)用于提高汽車(chē)安全性。本田汽車(chē)宣布對Canesta公司的電子感知技術(shù)投資500萬(wàn)美元。本田在過(guò)去三年中一直對Canesta進(jìn)行投資，近日表示它將采用該技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)避撞系統這樣的汽車(chē)安全應用。 Canesta的圖像傳感器可以被隱藏在車(chē)身、汽車(chē)裝飾品或汽車(chē)儀表盤(pán)中?！八峁┮环N成本比較低的芯片級3D攝像方案，可以一種安裝來(lái)提供多種應用，”本田戰略風(fēng)險投資的領(lǐng)導人ToshinoriArita在一次發(fā)言中說(shuō)。
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NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(cháng)
- 根據半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )SIA報告，2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達到215.2億美元，比2006年同期數字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(cháng)超過(guò)分析師預測，比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(cháng)4.5%。 SIA表示，增長(cháng)歸因于NAND閃存供應減少導致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(cháng)19%，與2006年8月相比增長(cháng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示，“8月份，正常的季節性增長(cháng)帶來(lái)全球半導體銷(xiāo)售連續健
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NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能滿(mǎn)載利潤大漲
- Jefferies Japan高級分析員David Motozo Rubenstein日前透露，東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上，東芝公司的業(yè)務(wù)表現正在發(fā)生變化。David表示，“東芝認為供需形勢處于有利狀況，由于晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能利用率達到100%，公司不得不回絕了25%的訂單?！?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%，東芝曾經(jīng)預計2007年更進(jìn)一步下滑50%，但是到目前為止，價(jià)格還高于預計之上?！?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲器擴展
- 摘要：NAND結構Flash數據存儲器件是超大容量數據存儲的理想選擇，當前被廣泛應用于U盤(pán)、MP3和數碼相機的數據存儲。本文對該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應用系統給予驗證，揭示了NAND結構Flash的操作規律。 關(guān)鍵詞：NAND Flash 數據存儲 C8051F 引 言 大容量數據存儲是單片機應用系統的瓶頸，受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制，可以很大程度上擴展和提高應用系統的總體功能。Sumsung公司的NAND結構Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月，NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌，較早前已堆積的存貨將使內存制造商經(jīng)歷庫存增加壓力。 根據內存市場(chǎng)研究機構DRAMeXchange最新調查顯示，多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上，而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對穩定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據臺灣內存消息人士指出，韓國三星電子8月震驚業(yè)內，使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑，反映在現貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內存庫存商8月期間已經(jīng)減少其采購，最新的報價(jià)仍然加
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基于FPGA的NAND FLASH控制器
- 1 引言在便攜式電子產(chǎn)品如U盤(pán)、MP3播放器、數碼相機中，常常需要大容量、高密度的存儲器，而在各種存儲器中，NAND FLASH以?xún)r(jià)格低、密度高、效率高等優(yōu)勢成為最理想的器件。但NAND FLASH的控制邏輯比較復雜，對時(shí)序要求也十分嚴格，而且最重要的是NAND FLASH中允許存在一定的壞塊(壞塊在使用過(guò)程中還可能增加)，這就給判斷壞塊、給壞塊做標記和擦除等操作帶來(lái)很大的難度，于是就要求有一個(gè)控制器，使系統用戶(hù)能夠方便地使用NAND FLASH,為此提出了一種基于FPGA的NAND FLASH控制器的設
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三星產(chǎn)能轉向NAND閃存 公司市場(chǎng)份額猛增
- iSuppli公司日前表示，2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷(xiāo)售額達到14億美元，比第1季度的12億美元增長(cháng)18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉向NAND閃存，該公司的NAND市場(chǎng)份額猛增至45.9%，比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli內存/存儲系統首席分析師NamHyungKim表示，“三星第2季度表現強勁主要是按容量計算增長(cháng)11%，出貨量增加歸功于擴大蘋(píng)果iPhone和iPod等消
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PISMO顧問(wèn)委員會(huì )發(fā)布新2.0多媒體標準
- 致力于簡(jiǎn)化系統級存儲驗證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問(wèn)委員會(huì )近日宣布，PISMO 2.0多媒體標準已通過(guò)審批。這一針對目前PISMO2.0規范的全新多媒體擴展版為芯片組和存儲供應商增加了 MMC存儲接口支持，從而滿(mǎn)足手機和消費產(chǎn)品中存儲豐富媒體內容的需求。PISMO™顧問(wèn)委員會(huì )于2004年由Spansion和ARM創(chuàng )建，目前共有15家成員公司。 新增MMC支持后，PISMO多媒體規范使設計者可以方便地在不同廠(chǎng)商提供的開(kāi)發(fā)平臺上測試多種存
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三星調高閃存價(jià)格 帶動(dòng)內存價(jià)格上升
- 在三星向外界透露位于韓國的工廠(chǎng)于8月3日因故停產(chǎn)后，各廠(chǎng)商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升。 業(yè)界預測DRAM內存合同價(jià)在8月還將上升，同時(shí)受三星電子上周一因某工廠(chǎng)停產(chǎn)的影響，NAND閃存的價(jià)格也持續攀升。三星近日提高了NAND閃存在現貨市場(chǎng)的價(jià)格，力晶半導體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調高了eTT DRAM內存的報價(jià)。 在三星向外界透露
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3d nand介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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