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3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區
美硅谷公司開(kāi)發(fā)出數據存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存
- 美國硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲器。 這家名為“統一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說(shuō)，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。 NAND型閃存因為存儲容量大等特點(diǎn)，目前在數碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專(zhuān)家認為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
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三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日
- 全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經(jīng)濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 據道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務(wù)總裁權五鉉當天對投資者說(shuō)，很難預測全球芯片市場(chǎng)何時(shí)回暖。他說(shuō)，隨著(zhù)企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開(kāi)支以及消費者收緊“腰包”，今年以來(lái)全球個(gè)人電腦和手機市場(chǎng)需求正在持續萎縮。 不過(guò)，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 存儲芯片
恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開(kāi)發(fā)閃存控制器
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開(kāi)發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開(kāi)發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進(jìn)的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡(jiǎn)化大容量存儲需求，提高無(wú)線(xiàn)設備和嵌入式應用的整個(gè)系統級性能。 根據這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開(kāi)發(fā)能夠支持各種NAND閃存
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND 閃存控制器
內存行業(yè)或已觸底 現貨漲價(jià)但復蘇道路漫長(cháng)
- 《華爾街日報》撰文稱(chēng)，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個(gè)半導體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)積極的信號。 雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類(lèi)似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門(mén)區分開(kāi)來(lái)，因此是芯片行業(yè)整體表現的主要指標。內存行業(yè)下滑開(kāi)始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開(kāi)始了全面衰退。 上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時(shí)稱(chēng)，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 內存
iSuppli：存儲芯片市場(chǎng)恢復盈利還為時(shí)過(guò)早
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲芯片
TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器
- TDK公司日前宣布開(kāi)發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開(kāi)始銷(xiāo)售。 TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪(fǎng)問(wèn)。該產(chǎn)品支持2KB/頁(yè)和4KB/頁(yè)結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽(tīng)設
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內存晴雨表：聲稱(chēng)內存市場(chǎng)復蘇的報告過(guò)于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內增長(cháng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計將增長(cháng)3.6%，第三和第四季度分別增長(cháng)21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
- 關(guān)鍵字： iSuppli NAND DRAM
集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 晶圓
三星和海力士獲得蘋(píng)果7000萬(wàn)NAND大單
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋(píng)果最近向韓國三星電子與海力士?jì)杉夜鞠聠?，要求供?000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋(píng)果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時(shí)報指出，有可靠的消息來(lái)源透露“三星電子被要求供應5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋(píng)果，而海力士也將供應2000萬(wàn)顆。” 部分分析師認為，蘋(píng)果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠(chǎng)商業(yè)績(jì)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 分析師還指出，N
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三維NAND內存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專(zhuān)家Geoff Burr曾說(shuō)過(guò)，如果數據中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠(chǎng)的話(huà)，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話(huà)，那么10年以后他們就會(huì )陷入那樣的噩夢(mèng)之中。 這并非危言聳聽(tīng)，過(guò)去的解決方案現在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統硬盤(pán)就可以了，而且那樣做也很方便?，F在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關(guān)鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲
人人都是魔術(shù)師 投影機3D技術(shù)淺析
- 人類(lèi)對于視覺(jué)體驗的要求總是不斷進(jìn)步的，在清晰度以及畫(huà)面尺寸均能夠得到保證的今天，人們對于視覺(jué)感受又提出了更高的要求。目前家庭影院型投影機雖然能夠提供身臨其境的感受，但效果最多與電影院相當。能不能得到再進(jìn)一步、更驚艷的視覺(jué)效果呢?3D顯示技術(shù)就解答了這個(gè)問(wèn)題。 3D投影技術(shù)日益進(jìn)取 沒(méi)有體驗過(guò)3D顯示技術(shù)的人很難想象當你親眼見(jiàn)到時(shí)的興奮感，而且僅用文字和圖片也很難將這項技術(shù)呈現出來(lái)。不過(guò)我能說(shuō)的是，3D顯示技術(shù)不僅能帶給你第一眼的震撼，更能在長(cháng)期使用中得到與傳統顯示技術(shù)完全不同的體驗效果。
- 關(guān)鍵字： 投影 3D
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)
- 關(guān)鍵字： FSI NAND 存儲器
FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)日前宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)對制造過(guò)程中無(wú)灰化光刻膠剝離法、實(shí)現用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字： FSI 半導體 NAND
3d nand介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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