半導體行業(yè)三巨頭激戰后20nm微細化

　　“半導體奧運會(huì )”的主角將重返賽場(chǎng)。在2014年2月9～13日于美國舉辦的“InternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)2014”上，世界最大的半導體企業(yè)美國英特爾公司將沉寂兩年后再次發(fā)表論文，介紹已于2013年中期投放市場(chǎng)的22nm工藝微處理器“Haswell(開(kāi)發(fā)代碼)”等8項成果(表1)。

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　　ISSCCFarEastRegionalSubcommittee的成員

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　　除了數字領(lǐng)域，英特爾在儲存器、通信、模擬、攝像元件等領(lǐng)域也收獲頗豐。小于20nm的微細化技術(shù)、著(zhù)眼于后微細化時(shí)代的三維化技術(shù)、省電力技術(shù)等最新成果也源源不斷。

　　英特爾將命運托付給工藝技術(shù)

　　面對領(lǐng)先的英特爾，臺積電(TaiwanSemiconductorManufacturing)和三星電子則發(fā)起了追擊。

　　ISSCC2014的看點(diǎn)之一是上述“三巨頭”的SoC(systemonachip)微細化之爭。英特爾在本次會(huì )議上將詳細介紹集成處理器和穩壓器、采用新電源的Haswell省電力技術(shù)。到會(huì )議舉辦之時(shí)，14nm工藝處理器“Broadwell”(開(kāi)發(fā)代碼)也有望投入量產(chǎn)。

　　在2013年11月下旬的業(yè)務(wù)說(shuō)明會(huì )上，英特爾首席執行官布萊恩·科再奇(BrianKrzanich)宣布將全力開(kāi)展代工業(yè)務(wù)。在移動(dòng)產(chǎn)品SoC陷入苦戰的局面下，憑借行業(yè)最尖端的制造技術(shù)與對手一決勝負。

　　世界第一大代工企業(yè)臺積電將發(fā)表在2013年底啟動(dòng)少量生產(chǎn)的16nm工藝技術(shù)。因為是該公司第一代采用立體晶體管(FinFET)的技術(shù)，代表制造技術(shù)成熟度的SRAM的完成情況估計會(huì )引發(fā)關(guān)注。該公司預計將在2014年上半年，為美國蘋(píng)果等客戶(hù)建立起20nm工藝技術(shù)體系。16nm工藝也將于2014年內投入量產(chǎn)。

　　三星將發(fā)表單元面積達到業(yè)內最小的14nm工藝SRAM。直到28nm工藝，三星一直壟斷著(zhù)蘋(píng)果公司SoC的代工業(yè)務(wù)。在堡壘即將被20nm工藝攻陷的今天，14nm將成為該公司力挽狂瀾的寶劍。

　　宣布正式開(kāi)展代工業(yè)務(wù)的英特爾將從何時(shí)開(kāi)始為蘋(píng)果等大公司代工生產(chǎn)SoC?這一點(diǎn)估計將吸引業(yè)內人士的目光。

　　NAND揭開(kāi)三維化大幕

　　SoC微細化競爭趨于白熱化，而在NAND閃存領(lǐng)域，一篇預示微細化終結的論文即將發(fā)表。那就是三星關(guān)于三維NAND閃存的論文。這種閃存疊加24層內存單元，實(shí)現了現行NAND閃存的最大容量——128Gbit。此次發(fā)表16nm工藝NAND閃存的美國美光科技與韓國SK海力士也計劃在這一代向三維過(guò)渡。

　　探索半導體新應用途徑的論文也有望成為關(guān)注的焦點(diǎn)。尤其引人注目的是醫療芯片(表2)。這種芯片的作用是嵌入人體內，監控健康狀態(tài)，按照需要刺激體內組織遏制發(fā)病。這種可作用于人體的半導體芯片也將在會(huì )議上亮相。(記者：大下淳一，日經(jīng)BP半導體調查)