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20納米
20納米 文章 進(jìn)入20納米技術(shù)社區
臺積電有優(yōu)勢應對IBM技術(shù)競爭
- 近年來(lái)IBM技術(shù)陣營(yíng)不斷坐大，Global Foundries與三星電子(Samsung Electronics)不僅全力爭取人才及訂單，在技術(shù)上亦加速追趕臺積電與聯(lián)電，值得注意的是，IBM陣營(yíng)將于2011年1月于美國舉辦通用平臺(Common Platform)技術(shù)論壇，揭露20納米以下制程藍圖，頗有鳴鼓備戰意味。對于競爭對手節節進(jìn)逼，臺積電董事長(cháng)張忠謀顯得老神在在，他認為，IBM技術(shù)已不是強大競爭對手，臺積電在生產(chǎn)與伙伴關(guān)系上領(lǐng)先同業(yè)，是臺積電成功關(guān)鍵。
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挑戰臺積電 全球晶圓首度公布20納米技術(shù)藍圖
- 全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇，會(huì )中展示28納米類(lèi)比/混合訊號(AMS)生產(chǎn)設計流程開(kāi)發(fā)套件，并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預計于第4季正式向客戶(hù)推出，另外也首度揭示22/20納米制程技術(shù)藍圖與時(shí)間進(jìn)程，預計2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。與會(huì )人士指出，全球晶圓在技術(shù)上進(jìn)逼至20納米，時(shí)程上亦與臺積電甚為相近，與臺積電在先進(jìn)制程較勁意味濃厚。 為因應快速成長(cháng)的智能型移動(dòng)裝置市場(chǎng)，全球晶圓在原本的28納
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臺積電、全球晶圓激戰ARM平臺 20納米世代競賽提前啟動(dòng)
- 全球晶圓(Global Foundries)挑戰臺積電晶圓代工市場(chǎng)地位來(lái)勢洶洶，2010年初甫與安謀(ARM)攜手開(kāi)發(fā)28納米制程，挑戰臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢，然臺積電亦不干示弱，正式宣布與ARM簽訂長(cháng)期合約，將技術(shù)世代延續至28與20納米制程，建立更長(cháng)遠合作關(guān)系，在看好ARM平臺于可攜式電子產(chǎn)品發(fā)展潛力，臺積電與全球晶圓雙方熱戰互不相讓。 臺積電指出，已與ARM簽訂長(cháng)期合約，在制程平臺上擴展ARM系列處理器及實(shí)體智財設計開(kāi)發(fā)，從目前技術(shù)世代延伸到未來(lái)20納米制程，以ARM處理器為設計核心，并
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臺積電中止凌動(dòng)項目轉投ARM再攻移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)
- 去年春天，臺積電與英特爾曾牽手相歡，雙方首度在處理器領(lǐng)域達成代工戰略合作，尤其面向移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、嵌入式市場(chǎng)的英特爾凌動(dòng)產(chǎn)品。今年春天，由于客戶(hù)需求不足，雙方無(wú)奈分手，中止了合作。 昨天，不甘寂寞的臺積電再度執人之手。不過(guò)，這次不是英特爾，而是英特爾在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的對手——英國ARM。 雙方表示，將在臺積電工藝平臺上擴展ARM一系列處理器以及物理IP(知識產(chǎn)權)模塊的開(kāi)發(fā)，并從目前的技術(shù)65納米延伸到未來(lái)的20納米。而且，雙方將以ARM處理器為核心，以臺積電工藝為基礎
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GlobalFoundries宣布開(kāi)發(fā)20nm工藝 與22nm共存
- GlobalFoundries近日宣布將會(huì )開(kāi)發(fā)20nm半導體制造工藝，但與臺積電不同，新工藝將與 22nm共存，而且GF認為這種半代工藝并不會(huì )消失。 臺積電不久前剛剛宣布，將跳過(guò)22nm工藝，改而直接上馬更先進(jìn)的20nm工藝，采用增強型高K金屬柵極(HKMG)、應變硅、低電阻銅超低K互聯(lián)等技術(shù)，可帶來(lái)更高的柵極密度和芯片性能。在此之前，臺積電和GF還先后宣布將跳過(guò)32nm Bulk工藝，從40nm直奔28nm。 GF目前的業(yè)務(wù)主要有兩種，一是繼續為AMD制造微處理器，二是開(kāi)拓新的代工業(yè)務(wù)，
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三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存
- 據外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開(kāi)始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。 20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。 三星電子相關(guān)負責人表示，公司同時(shí)開(kāi)發(fā)20納米制程32GB多層單元專(zhuān)用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩定性。 三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。 此外，今年2月公布開(kāi)發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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張忠謀：全球半導體市場(chǎng)連好5年
- 4月15日早間消息，據臺灣媒體報道，臺灣晶圓代工龍頭臺積電昨(14)日在美國舉行年度技術(shù)論壇，董事長(cháng)張忠謀表示，今明兩年全球半導體市場(chǎng)均將健康成長(cháng)，2011至2014年呈溫和成長(cháng)，年復合成長(cháng)率達4.2%。 張忠謀還稱(chēng)，半導體產(chǎn)業(yè)需要更多合作，且早在芯片設計開(kāi)始之前就要合作，才能有效降低成本，臺積電在20納米、14納米、10納米等先進(jìn)制程研發(fā)中不會(huì )缺席。 由于半導體市場(chǎng)景氣明顯復蘇，臺積電年度技術(shù)論壇吸引將近1800名客戶(hù)或合作伙伴代表參加，而張忠謀在演說(shuō)時(shí)則針對未來(lái)5年半導體市場(chǎng)景氣、臺積
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臺積電宣布發(fā)展20納米工藝
- TSMC于美西時(shí)間13日在美國加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì )，會(huì )中宣布將跳過(guò)22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值」而作的決定，提供客戶(hù)一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。 此次技術(shù)研討會(huì )有1,500位客戶(hù)及合作廠(chǎng)商代表參加，TSMC研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義在會(huì )中表示，TSMC20納米工藝將比22納米工藝擁有更優(yōu)異的閘密度(gate density)以及芯片性?xún)r(jià)比，為先進(jìn)技術(shù)芯片的設計人員提供了一個(gè)可靠、更具競爭優(yōu)勢的工藝平臺。此外，20納米工藝預計于2012年下半開(kāi)始導入生產(chǎn)。
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美光攜手南亞科技開(kāi)發(fā)20納米芯片制程技術(shù)
- 據國外媒體報道，臺灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來(lái)的DRAM生產(chǎn)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。 這 項先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺北的一次媒體活動(dòng)中說(shuō)，企業(yè)要想在未來(lái)五年的DRAM市場(chǎng)上 保持競爭力，擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開(kāi)更加有效的競爭。當前，三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線(xiàn)上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱(chēng)，使用30納米
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20納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條20納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對20納米的理解，并與今后在此搜索20納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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