卡位14/16nm市場(chǎng)　晶圓廠(chǎng)加碼FinFET研發(fā)

　　全球晶圓代工業(yè)者正加緊展開(kāi)FinFET布局。繼格羅方德宣布將于2013年量產(chǎn)14納米FinFET后，臺灣晶圓雙雄臺積電與聯(lián)電亦陸續公布FinFET制程發(fā)展藍圖與量產(chǎn)時(shí)程表，希冀藉此一新技術(shù)，提供IC設計業(yè)者效能更佳的制造方案，搶占通訊與消費性電子IC制造商機。

　　鰭式電晶體(FinFET)已成為晶圓制造業(yè)者角逐未來(lái)行動(dòng)通訊市場(chǎng)的關(guān)鍵利器。為進(jìn)一步提升晶片效能并縮小尺寸，各家晶圓代工業(yè)者皆已挾不同的制程技術(shù)積極研發(fā)FinFET架構，預計明后年即可開(kāi)花結果，并開(kāi)始挹注營(yíng)收貢獻。

　　在眾家晶圓廠(chǎng)中，又以臺積電在FinFET的研發(fā)進(jìn)展最快。臺積電預估2013年6月即可開(kāi)始提供客戶(hù)16納米FinFET制程的晶圓光罩共乘服務(wù)(Cybershuttle)，并于明年底開(kāi)始試產(chǎn)，后年初正式量產(chǎn)，搶先卡位市場(chǎng)商機，藉此鞏固全球晶圓代工市場(chǎng)龍頭地位。

　　研發(fā)進(jìn)度超前 臺積16納米明年試產(chǎn)

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀指出，臺積電16納米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前，預計明年底開(kāi)始試產(chǎn)。

　　臺積電董事長(cháng)暨總執行長(cháng)張忠謀(圖1)表示，盡管全球總體經(jīng)濟狀況不甚理想，但是受惠于行動(dòng)通訊市場(chǎng)需求強勁，目前臺積電包括65、40以及28納米等先進(jìn)制程的晶圓銷(xiāo)售量皆持續快速增長(cháng)當中。

　　張忠謀進(jìn)一步指出，目前20與16納米制程技術(shù)進(jìn)展已明顯加快，其中，20納米已有約十五個(gè)客戶(hù)正進(jìn)行投片(Tapeout)測試;16納米研發(fā)時(shí)程則比先前預期更快，推出時(shí)間表將會(huì )比過(guò)往的制程更早，預估明年底試產(chǎn)，后年初即可開(kāi)始放量。

　　另一方面，臺積電已于日前耗資新臺幣32億元標得竹南科學(xué)園區“園區事業(yè)專(zhuān)用區”兩筆土地，此用地未來(lái)將興建該公司18寸晶圓廠(chǎng)，并從事7納米先進(jìn)制程的研發(fā)，預計2016年開(kāi)始動(dòng)工興建，2017年相關(guān)研發(fā)設備將陸續進(jìn)駐該廠(chǎng)。

　　臺積電今年資本支出約為85億美元，且新竹科學(xué)園區的Fab 12第六期廠(chǎng)房已開(kāi)始裝機，有利20納米明年初如期量產(chǎn)。張忠謀強調，明年臺積電的資本支出仍會(huì )持續增加，以擴增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。

　　事實(shí)上，臺積電今年第三季營(yíng)收已再創(chuàng )佳績(jì)，其中先進(jìn)制程的產(chǎn)品線(xiàn)貢獻最大。臺積電財務(wù)長(cháng)暨資深副總經(jīng)理何麗梅表示，28納米制程出貨量較前一季多出一倍以上，占公司第三季晶圓銷(xiāo)售的13%;40納米的營(yíng)收占全季晶圓銷(xiāo)售的27%;而65納米制程技術(shù)的營(yíng)收則占全季晶圓銷(xiāo)售的22%?？傮w而言，上述先進(jìn)制程的晶圓銷(xiāo)售達到全季晶圓銷(xiāo)售金額62%。

　　然而，對于今年第四季與明年初的景氣展望，臺積電仍是審慎以待。張忠謀認為，半導體供應鏈將在第四季開(kāi)始進(jìn)行存貨調整，因而影響晶圓制造需求，因此第四季與明年首度的成長(cháng)幅度將向下微幅修正，但明年第二季后即可望恢復正常。

　　另一方面，聯(lián)電的14納米FinFET制程技術(shù)亦將于2014年初開(kāi)始試產(chǎn)，預計效能可較現今28納米制程提升35?40%，可提供通訊晶片與應用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。

　　導入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14納米后年亮相

　　聯(lián)電副董事長(cháng)孫世偉表示，14納米FinFET制程技術(shù)將會(huì )是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運算市場(chǎng)的最佳利器。

　　聯(lián)電副董事長(cháng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20納米制程以下的微縮過(guò)程中，勢必得使用雙重曝光(Double Patterning)微影技術(shù)才能實(shí)現，而此一技術(shù)無(wú)論是微影機臺或者人力研發(fā)等成本都相當高昂，因此造成許多出貨量不大的IC設計商不愿意投資大筆資金導入，間接使20納米市場(chǎng)需求無(wú)法擴大。

　　具備低功耗特性的FinFET制程技術(shù)，盡管仍無(wú)法省去雙重曝光微影技術(shù)的成本，但卻能大幅提升單位面積內電晶體的整體效能，降低IC設計商因雙重曝光微影技術(shù)所帶來(lái)的成本沖擊，因此遂成為各家晶圓代工業(yè)者爭相競逐的技術(shù)。

　　孫世偉進(jìn)一步指出，在IBM FinFET技術(shù)授權的基礎下，聯(lián)電將跳過(guò)20納米制程，直接跨入14納米FinFET制程技術(shù)，藉此為通訊與行動(dòng)運算領(lǐng)域客戶(hù)提供更具效能優(yōu)勢的解決方案。此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預計2014年初可完成驗證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。

　　然而，相較于臺積電與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)均表示將于2014年初量產(chǎn)16/14納米FinFET，聯(lián)電量產(chǎn)時(shí)程顯然稍慢，如何后發(fā)先至遂成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。孫世偉強調，盡管聯(lián)電在此一制程上的研發(fā)起步較晚，但相對FinFET制程所需的機臺制造技術(shù)亦較為成熟，且設備價(jià)格也較為便宜，再加上與IBM技術(shù)交流等助益，未來(lái)量產(chǎn)品質(zhì)與時(shí)程都將可較競爭對手更符合客戶(hù)需求。

　　另一方面，聯(lián)電28納米產(chǎn)品線(xiàn)則可望于年底量產(chǎn)，并于明年第一季開(kāi)始貢獻營(yíng)收。孫世偉補充，首波28納米Porting產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)幾個(gè)月元件及制程參數調整后，良率已獲得顯著(zhù)提升，且公司亦于第三季成功投片使用28納米后閘極(Gate-last)高介電質(zhì)金屬閘極(HKMG)制程的行動(dòng)通訊產(chǎn)品，并陸續與客戶(hù)密切合作中。

　　對于各大晶圓廠(chǎng)皆預期第四季與明年初營(yíng)收成長(cháng)將趨緩，孫世偉表示，現今晶圓代工制造正處在庫存調整及景氣循環(huán)周期中，聯(lián)電預估此波庫存調整將持續至明年初，景氣回溫的脈動(dòng)將取決于明年總體經(jīng)濟、終端產(chǎn)品市場(chǎng)需求與新產(chǎn)品交替力道強弱;而該公司未來(lái)將持續擴大客戶(hù)層面，改善產(chǎn)品組合，并進(jìn)一步提升產(chǎn)能調配的彈性來(lái)降低周期性波動(dòng)所帶來(lái)的沖擊。

　　盡管全球半導體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入庫存調整階段，但臺灣IC制造產(chǎn)業(yè)仍可望在晶圓制造業(yè)者的帶領(lǐng)下逆勢成長(cháng)，并在2013年達5.1%的成長(cháng)率。尤其是未來(lái)臺積電若順利接下蘋(píng)果(Apple)A7處理器訂單后，更將有機會(huì )大幅帶動(dòng)整體IC制造產(chǎn)業(yè)成長(cháng)率向上攻頂。

　　晶圓代工廠(chǎng)帶頭沖　臺灣IC制造業(yè)成長(cháng)可期

　　工研院產(chǎn)經(jīng)中心資深產(chǎn)業(yè)分析師彭茂榮表示，今年受到全球經(jīng)濟情勢不佳影響，全球各機構均陸續下修2012年半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)預測;現階段全球半導體供應鏈正面臨庫存問(wèn)題、產(chǎn)能利用率下滑等不利因素，這些都將對明年產(chǎn)業(yè)發(fā)展增添變數，而各家半導體廠(chǎng)商亦對營(yíng)運績(jì)效的預期提出警訊，顯見(jiàn)對2013年景氣展望并不看好。

　　然而，盡管產(chǎn)業(yè)界對明年半導體市場(chǎng)成長(cháng)率抱持保守看法，但臺灣明年IC制造業(yè)成長(cháng)表現仍將優(yōu)于全球平均。根據工研院最新統計報告顯示，今年臺灣晶圓制造與記憶體制造產(chǎn)值分別為新臺幣6,467億元與1,793億元，占臺灣整體半導體產(chǎn)業(yè)將近50.7%的產(chǎn)值，而明年產(chǎn)值比重分布隨著(zhù)臺積電、聯(lián)電與世界先進(jìn)等晶圓業(yè)者的先進(jìn)制程產(chǎn)品線(xiàn)出貨量提升后，亦可望隨之攀升。

　　彭茂榮進(jìn)一步指出，尤其是臺積電今年晶圓產(chǎn)能正持續穩健擴張，加上該公司明年20納米即將量產(chǎn)，可望爭取到蘋(píng)果下一代A7處理器等因素，皆將成為臺灣IC制造業(yè)明年成長(cháng)主要動(dòng)能。

　　彭茂榮補充，臺積電為持續吸引客戶(hù)下單，并搶攻蘋(píng)果處理器訂單，2012年研發(fā)經(jīng)費已為2009年的兩倍，而資本支出更是2009年的三倍。預估2013~2014年間，臺積電極有可能獲得A7處理器代工訂單，且將占整體營(yíng)收3?9%;三星(Samsung)掉單后，則將損失約30億美元的代工商機。

　　事實(shí)上，晶圓代工產(chǎn)業(yè)早已成為臺灣IC制造業(yè)最重要的骨干，而臺積電亦憑藉領(lǐng)先的制程技術(shù)，正逐漸蠶食市場(chǎng)商機。彭茂榮分析，受惠于智慧型行動(dòng)裝置滲透率持續提升、IDM委外需求增加以及中國大陸IC設計業(yè)者代工需求增加等因素，臺積電未來(lái)4年的營(yíng)收年復合成長(cháng)率(CAGR)可望大于10%，將持續帶動(dòng)臺灣IC制造業(yè)產(chǎn)值再創(chuàng )佳績(jì)。

　　綜上所述，包括臺積電、聯(lián)電與格羅方德等晶圓制造業(yè)者正展開(kāi)一場(chǎng)FinFET量產(chǎn)時(shí)程競賽，預計明、后年晶圓代工市場(chǎng)競爭勢必更加劇烈，而行動(dòng)通訊晶片的效能亦可望藉此新制程技術(shù)而更上層樓，臺灣IC制造產(chǎn)值則將在臺積電與聯(lián)電帶領(lǐng)下持續擴大。