意法半導體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內性能最好的低頻晶體管

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當開(kāi)關(guān)頻率達到8kHz時(shí)，新系列雙極器件的導通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng )市場(chǎng)新低，大幅度提升不間斷電源、太陽(yáng)能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類(lèi)似設備的電源轉換效率。

　　新S系列擁有當前1200V IGBT市場(chǎng)上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡(jiǎn)化熱管理系統。此外，正VCE(sat)溫度系數結合緊密的參數分布，不僅簡(jiǎn)化多支晶體管的并聯(lián)設計，亦滿(mǎn)足更大功率應用的要求。極低的電壓過(guò)沖和關(guān)斷零振蕩(zero oscillation)，幫助電源廠(chǎng)商使用更簡(jiǎn)單的外部電路和更少的外部組件。

　　10µs最小短路耐受時(shí)間(在150°C初始結溫時(shí))，無(wú)閂鎖(latch-up free operation)效應，擁有175°C最高結溫以及寬安全工作區。多項優(yōu)勢體現了新產(chǎn)品極強的耐用性和可靠性。

　　作為8kHz最高開(kāi)關(guān)頻率硬開(kāi)關(guān)拓撲的理想選擇，新款S系列采用第三代溝柵式場(chǎng)截止(trench-gate field-stop)型制造工藝，補充并完善了意法半導體1200V IGBT的M系列和H系列的市場(chǎng)布局，M系列和H系列產(chǎn)品分別定位在20kHz與20kHz以上的開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)，與新款S系列一起，這三大系列產(chǎn)品將成為常用開(kāi)關(guān)頻率電源廠(chǎng)商針對先進(jìn)、高能效IBGT器件的最佳選擇。

　　最新發(fā)布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三個(gè)額定電流值，采用標準引腳或TO-247加長(cháng)引腳封裝。全系產(chǎn)品標配最新的內部續流二極管(freewheeling diode)，兼備快速恢復和高恢復軟度，確保IGBT具有超低電磁干擾和導通損耗。