意法半導體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉換應用的能效

　　意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個(gè)更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統(HVAC)電機驅動(dòng)、不間斷電源、太陽(yáng)能轉換器以及所有的硬開(kāi)關(guān)(hard-switching)電路拓撲20kHz功率轉換應用。

　　采用意法半導體的第三代溝柵式場(chǎng)截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個(gè)全新溝柵(trench gate)和特殊設計的P-N-P垂直結構，可以在導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間找到了最佳平衡點(diǎn)，從而能夠大幅提升晶體管的整體性能。在150°C初始高結溫時(shí)，最小短路耐受時(shí)間為6µs，175°C最大工作結溫及寬安全工作范圍有助于延長(cháng)元器件的使用壽命，同時(shí)提高對功率耗散有極高要求的應用可靠性。

　　此外，新產(chǎn)品的封裝還集成了新一代續流二極管(Free-wheeling Diode)。新二極管提供快速恢復功能，并同時(shí)保持低正向壓降和高恢復軟度。這項設計不僅可實(shí)現優(yōu)異的EMI保護功能，同時(shí)可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗。正VCE(sat)溫度系數，結合緊密的參數分布，使新產(chǎn)品能夠安全并聯(lián)，并滿(mǎn)足更大功率的要求。

　　M系列產(chǎn)品的主要特性：

　　· 650V IGBT，大部分競爭產(chǎn)品為600V;

　　· 低VCE(sat) (1.55V @25°C) 電壓，能夠最大限度降低導通損耗;

　　· 出色的穩健性，擁有廣泛的安全工作范圍以及無(wú)閂鎖現象(latch-free operation);

　　· 業(yè)內最佳的Etot - Vce(sat) 平衡比;

　　· 175°C最大工作結溫;

　　· 高溫短路耐受時(shí)間最短6µs;

　　· 電壓過(guò)沖有限，確保關(guān)斷期間無(wú)振蕩;

　　最新發(fā)布的M系列擁有10A及30A兩種可選額定電流，提供各種功率封裝選擇，包括TO-220、D2PAK和TO-247 LL長(cháng)腳封裝，與意法半導體針對高頻工業(yè)應用研發(fā)的HB系列650V IGBT(高達60 kHz)相互補充。新產(chǎn)品已開(kāi)始量產(chǎn)。欲了解更多詳情，請訪(fǎng)問(wèn)www.st.com/igbt