東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開(kāi)發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開(kāi)始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開(kāi)始量產(chǎn)。此次開(kāi)發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過(guò)，這些產(chǎn)品的上市時(shí)間目前“尚未確定”(東芝)。

　　近年來(lái)，隨著(zhù)智能手機市場(chǎng)的迅速擴大、平板終端的亮相、以及SSD的普及等，針對NAND的大容量化和高速化的要求越來(lái)越強烈。為了滿(mǎn)足這種要求，東芝推出了組合使用19nm工藝和2bit/單元技術(shù)的64Gbit NAND。工藝由原來(lái)的24nm微細化至此次的19nm，由此縮小了芯片面積，而且可在嵌入智能手機和平板終端時(shí)使用的小型封裝內最多層疊16層。為了滿(mǎn)足高速化要求，東芝采用了最大可實(shí)現400Mbit/秒高速數據傳輸的接口標準“Toggle DDR 2.0”。