NAND Flash嵌入式存儲系統結構分析

　目前市場(chǎng)上閃存芯片主要有兩類(lèi)，即NAND Flash（Not And Flash ROM）和NOR Flash（Not Or Flash ROM）。前者具有容量大、讀寫(xiě)速度快、芯片面積小、單元密度高、擦除速度快、成本低等特點(diǎn)，更適合于大批量數據存儲的嵌入式系統。如今Windows仍是桌面系統的主流，對FAT文件系統提供了天然的支持。然而就技術(shù)而言，FAT文件系統并不適合Flash，因為Flash設備并不是塊設備［1］，為了不破壞兼容性，并在NAND型閃存中應用FAT文件系統，國際上提出了閃存轉譯層FTL（Flash Translation Layer）的解決方案。

　　1 NAND Flash嵌入式存儲系統結構

　　基于NAND Flash的存儲系統的設計首先要解決壞塊問(wèn)題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機產(chǎn)生壞塊，因此為了提高設備的可靠性應該將這兩種操作分散在閃存不同的塊中，以避免對某塊的過(guò)度操作。

　　一般的基于NAND Flash嵌入式存儲系統驅動(dòng)結構分為三個(gè)層次：最底層是硬件操作接口，負責將主控芯片與Flash的控制管腳相連，這方面的固件主要實(shí)現對NAND Flash的物理操作；中間層是閃存轉譯層NFTL（NAND FTL），是封裝在Flash驅動(dòng)中的軟件模塊，其作用是將Flash模擬成與磁盤(pán)相類(lèi)似的塊設備，使對上層操作系統而言，NAND Flash就像普通磁盤(pán)一樣被訪(fǎng)問(wèn)。這一層主要是封裝一些特殊的復雜管理控制功能；最上面的層就是文件管理層，功能類(lèi)似于普通磁盤(pán)上的通用文件系統，向上層提供標準的文件操作接口?；贜AND Flash的嵌入式系統存儲結構原理圖如圖1所示。

　　根據以上兩個(gè)方面，既要在驅動(dòng)中實(shí)現壞塊管理，又要進(jìn)行塊模擬，所以可用的方法有兩種［2］：一是在上層文件系統中解決壞塊問(wèn)題，驅動(dòng)層只實(shí)現本身的功能，文件系統為驅動(dòng)層提供不變的接口，為上層應用程序提供可靠透明的服務(wù)。這種方法較簡(jiǎn)單，開(kāi)發(fā)周期比較短，但只對特定應用的嵌入式系統有很強的適應性；第二種方法是在驅動(dòng)層的NFTL中解決壞塊問(wèn)題，將不可靠的NAND Flash虛擬成可靠的存儲設備，為上層文件系統提供可靠透明服務(wù)，這種方法較第一種更復雜，但是此法具有較強的可移植性并能徹底斷絕與文件系統的聯(lián)系，其他文件系統也同樣適用。

　　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設計了一種在NFTL上實(shí)現壞塊管理并且實(shí)現連續數據讀取的方法。

　　2 設計思想

　　2.1 閃存空間劃分

　　K9F2808U0C是16 MB×8 bit的NAND Flash，共有1 024個(gè)Block，1 Block=16 KB，32 Page/Block，1 Page=528 B=（512 B+16 B），其中16 B為備用區，主要存放NAND Flash出廠(chǎng)壞塊標記、ECC校驗碼以及用戶(hù)自定義區。K9F2808U0C地址空間是24 bit，分三個(gè)周期依次送入NAND Flash的地址鎖存器。本文使用的地址均為字節地址，數據類(lèi)型為DWORD（4 B）。

　　將K9F2808U0C的存儲空間劃分為四個(gè)區：壞塊映射表存放區、交換塊區、壞塊映射區和實(shí)際數據存放區。文件系統管理的空間就是實(shí)際的數據存放空間，如圖2所示。

　　2.2 各分區宏定義

　　#define FLASH_BLOCK_SIZE 0x40000 //16 KB/Block

　　#define FLASH_PAGE_SIZE 0x200 //512 B/Page

　　#define FLASH_SECTOR_SIZE 0x200

　　//1Page=1Sector（only K9F2808U0C）

　　#define FLASH_BLOCKS_TABLE 3//壞塊映射表存放塊數

　　#define FLASH_SWAP_BLOCKS 5 //交換區的塊數

　　#define FLASH_BAD_BLOCKS_REMAP 50

　　//壞簇重映區的塊數

　　#define FLASH_MAX_ADDR 0xFFFFFF

　　//Flash最大字節地址

　　各分區首地址計算公式：

　　FLASH_BLOCK_TABLE_ADDR=FLASH_MAX_ADDR+

　　1-3*FLASH_BLOCK_SIZE）；

　　FLASH_SWAP_BLOCK_ADDR=（FLASH_BLOCK_

　　TABLE_ADDR-5*FLASH_BLOCK_SIZE）;

　　FLASH_BAD_BLOCK_REMAP_ADDR=（FLASH_SWAP_

　　BLOCK_ADDR-50*FLASH_BLOCK_SIZE）;

　　FLASH_MAX_SECTOR_ADDR=（FLASH_MAX_ADDR-

　　3*FLASH_BLOCK_TABLE_ADDR-5*FLASH_SWAP_

　　BLOCK_ADDR-50*FLASH_BAD_BLOCK_REMAP_ADDR）；

　　文件系統管理的最大字節地址。