<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>

新聞中心

EEPW首頁(yè) > EDA/PCB > 新品快遞 > 基本半導體發(fā)布國內首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

基本半導體發(fā)布國內首款工業(yè)級碳化硅MOSFET

作者:基本半導體 時(shí)間:2019-01-11 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  新年伊始,基本半導體正式發(fā)布國內首款擁有自主知識產(chǎn)權的,該產(chǎn)品各項性能達到國際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時(shí)間更是長(cháng)達6μs。的發(fā)布,標志著(zhù)基本半導體在研發(fā)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續領(lǐng)跑全國。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201901/396656.htm

  近年來(lái),基于硅(Si)、砷化鎵(GaAs)半導體材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理極限,產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)入瓶頸期。而以碳化硅為代表的材料,具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強度高、熱導率高、電子飽和速率高等特點(diǎn),更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電、軌道交通、航天航空、國防軍工等極端環(huán)境應用有著(zhù)不可替代的優(yōu)勢,當前產(chǎn)業(yè)已進(jìn)入爆發(fā)增長(cháng)期。

1547188227151393.jpg

  是具有代表性的碳化硅功率器件,其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。相比于傳統的硅基IGBT,碳化硅MOSFET可帶來(lái)一系列系統級優(yōu)化,包括提高效率、提升功率密度、降低冷卻要求以及降低系統級成本,可廣泛應用于太陽(yáng)能逆變器、車(chē)載電源、新能源汽車(chē)電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。

  基本半導體掌握了國際一流的碳化硅研發(fā)技術(shù),致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。1200V碳化硅MOSFET是基本半導體發(fā)布的第二款重量級產(chǎn)品,首款產(chǎn)品3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管已于2018年3月上市,產(chǎn)品推出后獲得眾多客戶(hù)認可。此次發(fā)布的碳化硅MOSFET是第一款由中國企業(yè)自主設計并通過(guò)可靠性測試的工業(yè)級產(chǎn)品。

  基本半導體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵工藝和元胞鎮流電阻設計,具有導通電阻低、溫度特性?xún)?yōu)良和開(kāi)啟電壓較高等特點(diǎn),產(chǎn)品性能優(yōu)越。其中短路耐受時(shí)間長(cháng)達6μs,閾值電壓Vth≥2.9V(25℃),目前產(chǎn)品已通過(guò)多家客戶(hù)的測試認證,進(jìn)入批量供應階段。

  高可靠性是基本半導體1200V碳化硅MOSFET的另一大特點(diǎn)。其中MOSFET柵氧溝道電子遷移率14cm/Vs,擊穿場(chǎng)強接近8.8MV/cm,在TDDB測試中,根據門(mén)極偏壓30-36V數據推算柵極電壓20V應用條件下柵氧壽命在200年以上。Tj=150℃條件下,Vth>2V,可降低器件在使用中受干擾因素影響出現誤開(kāi)通的風(fēng)險,提升系統可靠性。

  根據知名研究機構Yole預測,到2023年,包括碳化硅MOSFET在內的碳化硅器件市場(chǎng)將超過(guò)15億美元,2017年到2023年的復合年增長(cháng)率將達到31%。目前碳化硅MOSFET應用已經(jīng)在全球多個(gè)行業(yè)落地開(kāi)花。Tesla電驅控制器搭載了碳化硅 MOSFET,歐洲的350kW超級充電站也采用了碳化硅功率器件。目前中國市場(chǎng)對碳化硅器件的需求絕大部分依賴(lài)進(jìn)口,國產(chǎn)化率不足 1%,國產(chǎn)替代的潛力巨大。

  基本半導體是一家由海歸博士團隊創(chuàng )立的第三代半導體研發(fā)企業(yè),總部位于深圳,并在瑞典設立研發(fā)中心,研究方向覆蓋了碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動(dòng)應用等產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節。公司擁有一支實(shí)力雄厚、經(jīng)驗豐富的高水平研發(fā)團隊,核心成員包括來(lái)自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院等世界一流院校的海歸博士,以及長(cháng)期深耕第三代半導體領(lǐng)域的多位資深外籍專(zhuān)家?;景雽w憑借深厚的研發(fā)功底,在短時(shí)間內突破技術(shù)難點(diǎn),陸續推出擁有自主知識產(chǎn)權的碳化硅肖特基二極管和碳化硅MOSFET。

  目前新能源汽車(chē)、5G和人工智能等行業(yè)的市場(chǎng)需求迅速增長(cháng),國家也陸續推出了針對第三代半導體的各項扶持政策。在市場(chǎng)和政策的雙輪驅動(dòng)下,以基本半導體為代表的第三代半導體企業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇,掌握核心關(guān)鍵技術(shù),充分迎合市場(chǎng)需求,中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展未來(lái)可期。



評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專(zhuān)區

關(guān)閉
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>