英飛凌達成200mm碳化硅（SiC）新里程碑：開(kāi)始交付首批產(chǎn)品

英飛凌在200mm SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶(hù)提供首批基于先進(jìn)的200mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為高壓應用領(lǐng)域提供先進(jìn)的SiC功率技術(shù)，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動(dòng)汽車(chē)等。此外，英飛凌位于馬來(lái)西亞居林的生產(chǎn)基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過(guò)渡。新建的第三廠(chǎng)區將根據市場(chǎng)需求開(kāi)始大批量生產(chǎn)。

英飛凌200mm SiC晶圓

Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營(yíng)官

我們正在按計劃實(shí)施SiC產(chǎn)品的生產(chǎn)，并且十分高興將開(kāi)始為客戶(hù)提供首批產(chǎn)品。通過(guò)菲拉赫和居林生產(chǎn)基地的SiC產(chǎn)品分階段進(jìn)入量產(chǎn)，我們正在提升成本效益并持續保證產(chǎn)品質(zhì)量，同時(shí)確保我們的產(chǎn)能滿(mǎn)足客戶(hù)對SiC功率半導體的需求。

英飛凌200mm SiC晶圓

SiC半導體為大功率應用帶來(lái)了變革，它進(jìn)一步提高了電源開(kāi)關(guān)的效率、在極端條件下具有高度的可靠性和穩健性，并且能夠實(shí)現更小尺寸的設計。借助英飛凌的SiC產(chǎn)品，客戶(hù)能夠為電動(dòng)汽車(chē)、快速充電站和鐵路運輸，以及可再生能源系統和AI數據中心開(kāi)發(fā)節能解決方案。向客戶(hù)提供首批基于200mm晶圓技術(shù)的SiC產(chǎn)品標志著(zhù)英飛凌在SiC產(chǎn)品路線(xiàn)圖上邁出了實(shí)質(zhì)性的一步，該路線(xiàn)圖的重點(diǎn)是為客戶(hù)提供全面的高性能功率半導體產(chǎn)品組合，推動(dòng)綠色能源的發(fā)展并對二氧化碳的減排做出貢獻。

作為專(zhuān)注于高度創(chuàng )新寬禁帶（WBG）技術(shù)的 “英飛凌虛擬協(xié)同工廠(chǎng)”，英飛凌位于菲拉赫和居林的生產(chǎn)基地通過(guò)共享技術(shù)和制程工藝，實(shí)現了SiC和氮化鎵（GaN）產(chǎn)品制造的快速進(jìn)入量產(chǎn)和平穩高效的運營(yíng)?，F在，200mm SiC的生產(chǎn)為英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的半導體技術(shù)和功率系統解決方案錦上添花，鞏固了公司在硅以及碳化硅和氮化鎵等整個(gè)功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。