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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
Vishay的新款80V對稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進(jìn)水平，可顯著(zhù)提高功率密度、能效和熱性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強熱性能，減少元器件數量并簡(jiǎn)化設計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
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芯動(dòng)半導體與與意法半導體達成SiC合作
- 3月13日消息，日前，芯動(dòng)半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰略合作協(xié)議，雙方將就SiC芯片業(yè)務(wù)展開(kāi)合作。此次與意法半導體就SiC芯片業(yè)務(wù)簽署戰略合作協(xié)議，也將進(jìn)一步推動(dòng)長(cháng)城汽車(chē)垂直整合，穩定供應鏈發(fā)展。公開(kāi)資料顯示，芯動(dòng)半導體于2022年11月成立于江蘇無(wú)錫，由長(cháng)城汽車(chē)與穩晟科技合資成立，以開(kāi)發(fā)第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動(dòng)半導體位于無(wú)錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規劃車(chē)規級模組年產(chǎn)能為120萬(wàn)套，預計本月正式量產(chǎn)。除了碳化硅模塊外，芯動(dòng)
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英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì )降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
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納芯微推出基于創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng )新型振鈴抑制專(zhuān)利的車(chē)規級CAN SIC（信號改善功能，Signal Improvement Capability）NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車(chē)載通信方案，NCA1462-Q1在滿(mǎn)足ISO 11898-2:2016標準的前提下，進(jìn)一步兼容CiA 601-4標準，可實(shí)現≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專(zhuān)利的振鈴抑制功能，即使在星型網(wǎng)絡(luò )多節點(diǎn)連接的情況下，NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量；此外，超高的EMC表現，更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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晶盛機電披露碳化硅進(jìn)展
- 近日，晶盛機電在接受機構調研時(shí)表示，目前公司已基本實(shí)現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷(xiāo)售，6英寸碳化硅外延設備實(shí)現批量銷(xiāo)售且訂單量快速增長(cháng)，成功研發(fā)出具有國際先進(jìn)水平的8英寸單片式碳化硅外延生長(cháng)設備，實(shí)現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時(shí)公司基于產(chǎn)業(yè)鏈延伸，開(kāi)發(fā)出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開(kāi)始碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到
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?MOSFET共源放大器的頻率響應
- 在本文中，我們通過(guò)研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來(lái)了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線(xiàn)性系統操縱輸入信號（x）以產(chǎn)生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設計為先進(jìn)電機應用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機應用（如高轉速、高頻、高功率密度、高溫等）需要相匹配的逆變器支持，但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅（SiC）功率器件的完整逆變器參考設計很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅動(dòng)器，Silicon Mobility公司的控制板和軟件，超低寄生電感的直流母線(xiàn)電容和EMI濾波器，直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機應用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。 額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車(chē)充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個(gè)分立式 SiC FET，從而簡(jiǎn)化
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Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96
- 關(guān)鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET 共源放大器
?MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
瘋狂的碳化硅，國內狂追！
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車(chē)半導體方面合作動(dòng)態(tài)頻頻，再度引起業(yè)界對碳化硅材料關(guān)注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長(cháng)期150mm碳化硅晶圓供應協(xié)議（原先的協(xié)議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個(gè)多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。這將有助于保證英飛凌整個(gè)供應鏈的穩定，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)充電應用、儲能系統等領(lǐng)域對于碳化硅半導體不斷增長(cháng)的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿(mǎn)足不斷增長(cháng)的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實(shí)一項多供應商戰略，從而在
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 英飛凌 晶圓
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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