Vishay的新款80V對稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進(jìn)水平，可顯著(zhù)提高功率密度、能效和熱性能

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET^? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR^? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強熱性能，減少元器件數量并簡(jiǎn)化設計。

日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節省50%基板空間。器件為設計人員提供節省空間的解決方案，用于同步降壓轉換器、負載點(diǎn)（POL）轉換器、DC/DC轉換器半橋和全橋功率級，適用領(lǐng)域包括無(wú)線(xiàn)電基站、工業(yè)電機驅動(dòng)、焊接設備和電動(dòng)工具。這些應用中，SiZF4800LDT高低邊MOSFET提供50%占空比優(yōu)化組合，同時(shí)4.5 V下邏輯電平導通簡(jiǎn)化電路驅動(dòng)。

為提高功率密度，該MOSFET 在4.5 V條件下導通電阻典型值降至18.5 mW，達到業(yè)內先進(jìn)水平。比相同封裝尺寸最接近的競品器件低16 %。SiZF4800LDT低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉換應用重要優(yōu)值系數（FOM）為 131mW*nC，導通電阻與柵極電荷乘積提高了高頻開(kāi)關(guān)應用的效率。

器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，熱阻比競品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT導通電阻和熱阻低，連續漏電流達36 A，比接近的競品器件高38 %。 MOSFET獨特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開(kāi)關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF4800LDT經(jīng)過(guò)100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。

競品對比表：

SiZF4800LDT現可提供樣品并已實(shí)現量產(chǎn)，供貨周期為26周。