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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
安森美碳化硅技術(shù)專(zhuān)家“把脈”汽車(chē)產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰，但我們看到了不少閃光點(diǎn)，比如AIGC的熱潮、汽車(chē)電子的火爆，以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專(zhuān)家牛嘉浩先生為大家帶來(lái)了他對過(guò)去一年的經(jīng)驗總結和對新一年的展望期盼。汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰在過(guò)去一年中，汽車(chē)芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化，可能是汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題，汽車(chē)制造商需要不斷調整生產(chǎn)和采購策略以應對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著(zhù)更多傳統車(chē)企和新興造車(chē)勢力進(jìn)入新能源汽車(chē)市場(chǎng)，競爭壓力加大，汽車(chē)制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字： 智能電源 智能感知 汽車(chē)領(lǐng)域 SiC
2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統■ 開(kāi)關(guān)損
- 關(guān)鍵字： MOSFET CoolSiC Infineon
談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
- 在電力電子的很多應用，如電機驅動(dòng)，有時(shí)會(huì )出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì )在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標
- 關(guān)鍵字： infineon MOSFET
意法半導體:SiC新工廠(chǎng)今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿(mǎn)足井噴市場(chǎng)需求
- 回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局，探索未來(lái)的前進(jìn)方向，行家說(shuō)三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開(kāi)》專(zhuān)題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場(chǎng)和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠(chǎng)今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說(shuō)三代半：據《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調研白皮書(shū)》統計，2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅車(chē)型又新增了40多款，預計明年部分
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 SiC
臻驅科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬(wàn)片功率模塊、45萬(wàn)片PCBA板和20萬(wàn)臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟技術(shù)開(kāi)發(fā)區新明路南側建造廠(chǎng)房用于生產(chǎn)及研發(fā)等，項目建筑面積達45800m2。公開(kāi)資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產(chǎn)功率半導體及新能源汽車(chē)驅動(dòng)解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen）等地布局了多家子
- 關(guān)鍵字： 功率模塊 碳化硅 SiC
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
用于模擬IC設計的小信號MOSFET模型
- MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著(zhù)重要作用。在本文中，我們將學(xué)習如何對MOSFET的小信號行為進(jìn)行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說(shuō)“小信號”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC
英飛凌與Wolfspeed延長(cháng)多年期碳化硅150mm晶圓供應協(xié)議
- 據外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發(fā)布聲明，宣布擴大并延長(cháng)雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長(cháng)期供應協(xié)議。根據聲明，雙方延長(cháng)的的合作關(guān)系中包括一項多年期產(chǎn)能預留協(xié)議。新協(xié)議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足汽車(chē)、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車(chē)應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產(chǎn)品日益增長(cháng)的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質(zhì)、長(cháng)期供應優(yōu)質(zhì)貨源。
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
SiC生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 眾所周知，提高 SiC 晶圓質(zhì)量對制造商來(lái)說(shuō)非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產(chǎn)成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長(cháng)仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發(fā)展已經(jīng)完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過(guò)渡，正在向8英寸邁進(jìn)。SiC 需要在高溫環(huán)境下生長(cháng)，同時(shí)具有高剛性和化學(xué)穩定性，這導致生長(cháng)的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質(zhì)量和隨后制造的外延層質(zhì)量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長(cháng)過(guò)程及各步驟造成的缺陷
- 關(guān)鍵字： SiC 晶圓
利用低電平有效輸出驅動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現系統電源循環(huán)
- 摘要在無(wú)線(xiàn)收發(fā)器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場(chǎng)進(jìn)行干預，此類(lèi)應用必須持續運行。系統持續無(wú)活動(dòng)或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實(shí)現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開(kāi)系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。 本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監控電路的低電平有效輸出來(lái)驅動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)，從而執行系統電源循環(huán)。 簡(jiǎn)介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測故障并及時(shí)響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
- 關(guān)鍵字： MOSFET 系統電源循環(huán) ADI
致瞻科技采用意法半導體碳化硅技術(shù)，提高新能源汽車(chē)電動(dòng)空調壓縮機控制器能效
- 2024年1月18日，中國--服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。采用高能效的控制器可為新能源汽車(chē)帶來(lái)諸多益處，以動(dòng)力電池容量60kWh~90kWh的中型電動(dòng)汽車(chē)為例，續航里程可延長(cháng)5到10公里，在夏冬
- 關(guān)鍵字： 致瞻 意法半導體 碳化硅 新能源汽車(chē) 空調壓縮機控制器
Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件，針對高功率服務(wù)器、可再生能源、工業(yè)電力轉換領(lǐng)域擴展產(chǎn)品線(xiàn)
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發(fā)布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個(gè)開(kāi)爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶(hù)實(shí)現更全面的開(kāi)關(guān)功能。新
- 關(guān)鍵字： Transphorm 高功率服務(wù)器 工業(yè)電力轉換 氮化鎵場(chǎng)效應晶體管 碳化硅 SiC
英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 達成協(xié)議
- 據英飛凌官網(wǎng)消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協(xié)議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質(zhì)量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產(chǎn)。在后續階段，SK Siltron CSS將在協(xié)助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過(guò)渡方面發(fā)揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來(lái)說(shuō)，供應鏈彈性意味著(zhù)實(shí)施多供應商戰略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng )造新的增長(cháng)機會(huì )并推
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 SK Siltron CSS 晶圓
安森美：緊握第三代半導體市場(chǎng)，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)增長(cháng)的 推動(dòng)下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績(jì)都超預期。 其中，第一季度由先進(jìn)駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場(chǎng)帶來(lái)的收入均同比增長(cháng)約 50%，在第 二季度汽車(chē)業(yè)務(wù)收入超 10 億美元，同比增長(cháng) 35%，創(chuàng ) 歷史新高，第三季度汽車(chē)和工業(yè)終端市場(chǎng)都實(shí)現創(chuàng )紀錄 收入。安森美大中華區銷(xiāo)售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領(lǐng)域在第三代半導體領(lǐng)域，安森美專(zhuān)注于 SiC，重點(diǎn)聚 焦于汽車(chē)、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關(guān)鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
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