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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
談?wù)剮追N常用的MOSFET驅動(dòng)電路
- 一、MOS管驅動(dòng)簡(jiǎn)述MOSFET因導通內阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅動(dòng)常根據電源IC和MOSFET的參數選擇合適的電路。在使用MOSFET設計開(kāi)關(guān)電源時(shí)，大部分人都會(huì )考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個(gè)確定的MOSFET，其驅動(dòng)電路，驅動(dòng)腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會(huì )影響MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。當電源IC與MOS管選定之
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雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響探究
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第一部分，將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析SiC和IGBT模塊的開(kāi)關(guān)特性
- 關(guān)鍵字： 雜散電感 SiC IGBT 開(kāi)關(guān)特性
柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響分析
- IGBT和碳化硅（SiC）模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點(diǎn)討論直流鏈路環(huán)路電感（DC?Link loop inductance）和柵極環(huán)路電感（Gate loop inductance）對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響，本文為第二部分，將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。（點(diǎn)擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析）測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的設置來(lái)分析S
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Microchip推出基于dsPIC? DSC的新型集成電機驅動(dòng)器將控制器、柵極驅動(dòng)器和通信整合到單個(gè)器件
- 為了在空間受限的應用中實(shí)現高效、實(shí)時(shí)的嵌入式電機控制系統，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）推出基于dsPIC?數字信號控制器（DSC）的新型集成電機驅動(dòng)器系列。該系列器件在一個(gè)封裝中集成了dsPIC33 數字信號控制器 （DSC）、一個(gè)三相MOSFET柵極驅動(dòng)器和可選LIN 或 CAN FD 收發(fā)器。這種集成的一個(gè)顯著(zhù)優(yōu)勢是減少電機控制系統設計的元件數量，縮小印刷電路板（PCB）尺寸，并降低復雜性。該系列器件的支持資源包括開(kāi)發(fā)板、參考設計、應用筆記和 Micr
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比
- 在之前一篇題為《功率電子器件從硅（Si）到碳化硅（SiC）的過(guò)渡》的博文中，我們探討了碳化硅（SiC）如何成為功率電子市場(chǎng)一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術(shù)。如圖1所示，與硅（Si）材料相比，SiC具有諸多技術(shù)優(yōu)勢，因此我們不難理解為何它已成為電動(dòng)汽車(chē)（EV）、數據中心和太陽(yáng)能/可再生能源等許多應用領(lǐng)域中備受青睞的首選技術(shù)。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場(chǎng)效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）和絕緣
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC MOSFET
英飛凌為汽車(chē)應用推出業(yè)內導通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7
- 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著(zhù)提高，和采用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應用。它專(zhuān)為滿(mǎn)足高要求汽車(chē)應用所需的高性能、高質(zhì)量和穩健性而打造，包括電動(dòng)汽車(chē)的汽車(chē)直流-直流轉換器、48 V電機控制（例如電動(dòng)助力轉向系統（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
P溝道功率MOSFETs及其應用領(lǐng)域
- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著(zhù)低壓（LV）應用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對低壓變換器（<120 V）和非隔離的負載點(diǎn)更具吸引力。因為無(wú)需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動(dòng)，具有設計簡(jiǎn)單、節省空間，零件數量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過(guò)對N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
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高壓功率器件設計挑戰如何破？
- 不斷提升能效的需求影響著(zhù)汽車(chē)和可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域的電子應用設計。對于電動(dòng)汽車(chē) (EV) 而言，更高效率意味著(zhù)更遠的續航里程；而在可再生能源領(lǐng)域，發(fā)電效率更高代表著(zhù)能夠更充分地將太陽(yáng)能或風(fēng)能轉換為電能。圖1.在電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源領(lǐng)域，對更高效率的不懈追求正推動(dòng)著(zhù)設計向前發(fā)展這兩大領(lǐng)域都廣泛采用開(kāi)關(guān)電子器件，因而又催生了更高電壓器件的需求。電壓和效率之間的關(guān)系遵循歐姆定律，也就是說(shuō)電路中產(chǎn)生的功耗或損耗與電流的平方成正比。同理，當電壓加倍時(shí)，電路中的電流會(huì )減半，因而損耗會(huì )降到四分之一。根據這個(gè)原理，為了減
- 關(guān)鍵字： 高電壓 高電壓 轉換器 逆變器 MOSFET 電力電子 EliteSiC
一鍵解鎖熱泵系統解決方案
- 熱泵是一種經(jīng)過(guò)驗證的、提供安全且可持續供暖的技術(shù)，其滿(mǎn)足低排放電力要求，是全球邁向安全、可持續供暖的核心技術(shù)。盡管逆循環(huán)熱泵也可以同時(shí)滿(mǎn)足供暖和制冷的要求，但熱泵的主要目標是提供供暖。由于熱泵能夠回收廢熱并將其溫度提高到更實(shí)用的水平，因此在節能方面具有巨大的潛力。系統目標熱泵的原理與制冷類(lèi)似，其大部分技術(shù)基于冰箱的設計。2021年，全球約有10%建筑的采暖由熱泵來(lái)完成，且安裝熱泵的步伐仍在不斷加快。鑒于政府對能源安全的關(guān)注以及應對氣候變化的承諾，熱泵將成為減少由建筑采暖以及熱水所產(chǎn)生的碳排放的主要途徑。此
- 關(guān)鍵字： 熱泵 供暖 IPM MOSFET IGBT
意法半導體隔離柵極驅動(dòng)器：碳化硅MOSFET安全控制的優(yōu)化解決方案和完美應用伴侶
- 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動(dòng)器具有集成的高壓半橋、單個(gè)和多個(gè)低壓柵極驅動(dòng)器，非常適合各種應用。在確保安全控制方面，STGAP系列隔離柵極驅動(dòng)器作為優(yōu)選解決方案，在輸入部分和被驅動(dòng)的MOSFET或IGBT之間提供電氣隔離，確保無(wú)縫集成和優(yōu)質(zhì)性能。選擇正確的柵極驅動(dòng)器對于實(shí)現最佳功率轉換效率非常重要。隨著(zhù)SiC技術(shù)得到廣泛采用，對可靠安全的控制解決方案的需求比以往任何時(shí)候都更高，而ST的STGAP系列電氣隔離柵極驅
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通俗易懂的講解晶體管(BJT 和 MOSFET)
- 晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的組件，可以使用它來(lái)構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實(shí)是相當容易的。我們將集中討論兩個(gè)最常見(jiàn)的晶體管：BJT和MOSFET。晶體管的工作原理就像電子開(kāi)關(guān)，它可以打開(kāi)和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒(méi)有任何動(dòng)作部件的開(kāi)關(guān)，晶體管類(lèi)似于繼電器，因為你可以用它來(lái)打開(kāi)或關(guān)閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開(kāi)，這對于放大器的設計很有用。1 晶體管BJT的工作原理讓我們從經(jīng)典的NPN晶體
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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
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SiC邁入8英寸時(shí)代，國際大廠(chǎng)量產(chǎn)前夕國內廠(chǎng)商風(fēng)口狂追
- 近日，包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現新進(jìn)展。從國內外第三代化合物進(jìn)展看，目前在碳化硅領(lǐng)域，國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕，國產(chǎn)廠(chǎng)商方面則有更多廠(chǎng)家具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟，下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠(chǎng)或將延遲至明年建設近日，據外媒消息，Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠(chǎng)建設計劃或被推遲，最早將于2025年開(kāi)始。據悉，該工廠(chǎng)由Wolfsp
- 關(guān)鍵字： SiC 8英寸
小米首款汽車(chē)發(fā)售，碳化硅加速前行
- 3月28日，小米公司正式發(fā)布了小米SU7，一共有三款配置，分別是小米SU7 標準版，售價(jià)21.59萬(wàn)元；小米SU7 Pro版，售價(jià)24.59萬(wàn)元；小米SU7 Max版，售價(jià)29.99萬(wàn)元。圖片來(lái)源：小米公司2021年3月，小米創(chuàng )始人雷軍正式宣告小米造車(chē)。近三年時(shí)間過(guò)去，小米SU7正式發(fā)布，其相關(guān)供應商也浮出水面，既有包括高通、英偉達、博世等國際供應商，也包含了比亞迪、寧德時(shí)代、揚杰科技等本土供應鏈廠(chǎng)商。芯片領(lǐng)域，英偉達為小米汽車(chē)提供自動(dòng)駕駛芯片，小米SU7搭載了英偉達兩顆NVIDIA DRIVE Orin
- 關(guān)鍵字： 小米 汽車(chē) 碳化硅
華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機會(huì )
- 華泰證券發(fā)布研報稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國際半導體展覽會(huì ))上，華泰證券與數十家國內外頭部半導體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢：1)前道設備：下游需求旺盛，國產(chǎn)廠(chǎng)商持續推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測試機國產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規模出海與國產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設備主流顯示方案，AI大模型出現可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級AR終端快速增長(cháng)?！ ∪A泰證券主要觀(guān)點(diǎn)如下：
- 關(guān)鍵字： 元宇宙 AR VR 碳化硅 先進(jìn)封裝
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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