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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低側柵極驅動(dòng)器
- Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動(dòng)力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動(dòng)器。 這款創(chuàng )新的驅動(dòng)器專(zhuān)門(mén)設計用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優(yōu)勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關(guān)斷時(shí)序，同時(shí)將開(kāi)關(guān)損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶(hù)可選的負柵極驅動(dòng)偏置，以實(shí)現更高的dV/dt抗擾度和更快的關(guān)斷速度。 該驅動(dòng)器
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動(dòng)器
布局海外市場(chǎng)，兩家半導體企業(yè)開(kāi)展合作
- 根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學(xué)與三福半導體聯(lián)合實(shí)驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發(fā)新一代半導體功率器件智能驅動(dòng)技術(shù)及衍生產(chǎn)品的高新技術(shù)企業(yè)，目前已成功開(kāi)發(fā)了IGBT和SiC智能驅動(dòng)模塊以及工業(yè)電力電子變換器、電力電子繼電器等產(chǎn)品，應用領(lǐng)域涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進(jìn)技術(shù)研發(fā)、成果轉移轉化
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 化合物半導體
這家GaN外延工廠(chǎng)開(kāi)業(yè)!
- 作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產(chǎn)業(yè)正在火熱發(fā)展，頻頻傳出各類(lèi)利好消息；GaN產(chǎn)業(yè)熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術(shù)、融資并購合作、項目建設等動(dòng)作，不時(shí)有新動(dòng)態(tài)披露。在關(guān)注度較高的擴產(chǎn)項目方面，上個(gè)月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經(jīng)開(kāi)區再制造基地正式開(kāi)工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬(wàn)元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產(chǎn)線(xiàn)。項目投產(chǎn)后，將形成月產(chǎn)15000片6英寸GaN外延片的生產(chǎn)能力。而在近日，又有一個(gè)GaN外延片項目取得新進(jìn)展。5
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
多款車(chē)型相繼發(fā)布，SiC技術(shù)加速“上車(chē)”
- SiC技術(shù)似乎已成為蔚來(lái)旗下新車(chē)型標配。蔚來(lái)在去年12月發(fā)布的行政旗艦車(chē)型ET9，搭載了蔚來(lái)自研自產(chǎn)的1200V SiC功率模塊，以及面向900V的46105大圓柱電芯和電池包，單顆電芯能量密度高達292Wh/kg，充電效率達到5C，呈現出來(lái)的效果就是充電5分鐘，續航255公里。近日，蔚來(lái)旗下又一款搭載SiC技術(shù)的車(chē)型正式發(fā)布，這便是其全新品牌樂(lè )道的首款車(chē)型L60。據悉，樂(lè )道全域采用900V高壓架構，包括電驅系統、熱泵空調、輔助加熱器（PTC）、車(chē)載充電機（OBC）、直流電壓變換器（DC-DC）均為900
- 關(guān)鍵字： Sic 新能源汽車(chē) 蔚來(lái)
英飛凌為小米新款SU7智能電動(dòng)汽車(chē)供應一系列產(chǎn)品
- Source:Getty Images/Natee Meepian英飛凌科技在5月6日發(fā)布的一篇新聞稿中表示，將為小米最近發(fā)布的SU7電動(dòng)汽車(chē)供應碳化硅（SiC）功率模塊HybridPACK Drive G2 CoolSiC和裸片產(chǎn)品直至2027年。英飛凌CoolSiC功率模塊支持更高的工作溫度。例如，基于該技術(shù)的牽引逆變器可以進(jìn)一步增加電動(dòng)汽車(chē)的續航里程。英飛凌為小米SU7 Max車(chē)型提供兩顆HybridPACK Drive G2 CoolSiC 1200 V模塊。此外，英飛凌還為小米電動(dòng)汽車(chē)供應了一系
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 小米 SU7 智能電動(dòng)汽車(chē) SiC
欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動(dòng)要求時(shí)，我們經(jīng)常使用簡(jiǎn)化，如“這是一個(gè)3.3 V的微控制器”或“這個(gè)FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒(méi)有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時(shí)，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
安森美2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅和功率解決方案系列研討會(huì )即將啟動(dòng)
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動(dòng)汽車(chē)應用領(lǐng)域的技術(shù)經(jīng)理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術(shù)日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會(huì )。該系列研討會(huì )將針對汽車(chē)電氣化和智能化以及工業(yè)市場(chǎng)可持續性能源發(fā)展的廣泛應用場(chǎng)景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進(jìn)功率半導體技術(shù)的落地，實(shí)現應用系統的最佳能效。在中國，市場(chǎng)對SiC的需求強勁，應用場(chǎng)景日益多樣化。新能源
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅 功率解決方案
中宜創(chuàng )芯SiC粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)達產(chǎn)
- 近日，河南中宜創(chuàng )芯發(fā)展有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中宜創(chuàng )芯”）SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線(xiàn)成功達產(chǎn)，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%，已在國內二十多家企業(yè)和研究機構開(kāi)展試用和驗證。資料顯示，中宜創(chuàng )芯成立于2023年5月24日，由中國平煤神馬控股集團和平頂山發(fā)展投資集團共同出資設立，總投資20億元，分期建設年產(chǎn)2000噸碳化硅半導體粉體生產(chǎn)線(xiàn)。項目一期總投資6億元，年產(chǎn)能500噸，占地12000平方米，2023年6月20日開(kāi)工建設，9月20日項目建成并試生產(chǎn)，9月30日首批產(chǎn)品出爐。預計達產(chǎn)后年產(chǎn)值5億元，據悉
- 關(guān)鍵字： 中宜創(chuàng )芯 SiC
2028年全球SiC功率器件市場(chǎng)規模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢(xún)最新《2024全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報告》顯示，盡管純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）銷(xiāo)量增速的明顯放緩已經(jīng)開(kāi)始影響到SiC供應鏈，但作為未來(lái)電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應用市場(chǎng)中仍然呈現加速滲透之勢，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(cháng)態(tài)勢，預估2028年全球SiC Power Device市場(chǎng)規模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個(gè)備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷(xiāo)售數據，其中Tesla在1
- 關(guān)鍵字： SiC 功率器件 TrendForce
碳化硅智造升級 浪潮信息存儲筑基廣東天域MES核心數據底座
- 隨著(zhù)人工智能技術(shù)的飛速發(fā)展，越來(lái)越多的企業(yè)開(kāi)始探索如何將人工智能技術(shù)融入業(yè)務(wù)流程中，以提升質(zhì)量、降本增效。在高精尖制造業(yè)領(lǐng)域，人工智能、自動(dòng)駕駛等新興產(chǎn)業(yè)對碳化硅材料的需求日益增多，大力發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，可帶動(dòng)原材料與設備2000億級產(chǎn)業(yè)，加快我國向高端材料、高端設備制造業(yè)轉型發(fā)展的步伐。廣東天域聯(lián)手浪潮信息，為MES關(guān)鍵業(yè)務(wù)打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實(shí)現第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
MOSFET開(kāi)關(guān)損耗簡(jiǎn)介
- 本文將通過(guò)解釋MOSFET功耗的重要來(lái)源來(lái)幫助您優(yōu)化開(kāi)關(guān)模式調節器和驅動(dòng)器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線(xiàn)性和開(kāi)關(guān)。在線(xiàn)性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過(guò)溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^(guò)溝道的電流都是顯著(zhù)的，導致晶體管中的高功耗。在開(kāi)關(guān)模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動(dòng)，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態(tài)，在該狀態(tài)下溝道電阻大大降低。在這種狀態(tài)下，晶體管就像一個(gè)閉合的開(kāi)關(guān)：即使大電流流過(guò)通道，功耗也會(huì )很低或中等。隨著(zhù)開(kāi)關(guān)模式操作接近理想情況，功耗變得可
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗
Power Integrations升級你的電池管理系統
- 電池組，無(wú)疑是電動(dòng)汽車(chē)心臟般的存在，它不僅是車(chē)輛動(dòng)力之源，更是決定車(chē)輛成本高低的關(guān)鍵因素。作為電動(dòng)汽車(chē)中最昂貴的單個(gè)組件，電池組承載了車(chē)輛行駛所需的大部分能量，而其內部的每一個(gè)電池單元都需要經(jīng)過(guò)精密的監測和控制，以維持其長(cháng)久且安全的使用壽命。電池管理系統（BMS），作為電池組的“大腦”，其任務(wù)繁重且關(guān)鍵。它要實(shí)時(shí)監控每一個(gè)電池單元的健康狀況，確保它們的平衡與穩定；還要負責操作電池組的加熱和冷卻系統，確保電池在各種環(huán)境條件下都能維持最佳的工作狀態(tài)；此外，BMS還需實(shí)時(shí)報告電池的充電狀態(tài)，以便駕駛員能夠準確了
- 關(guān)鍵字： BMS 電動(dòng)汽車(chē) 碳化硅 Power Integrations
一文詳解電池充電器的反向電壓保護
- 處理電源電壓反轉有幾種眾所周知的方法。最明顯的方法是在電源和負載之間連接一個(gè)二極管，但是由于二極管正向電壓的原因，這種做法會(huì )產(chǎn)生額外的功耗。雖然該方法很簡(jiǎn)潔，但是二極管在便攜式或備份應用中是不起作用的，因為電池在充電時(shí)必須吸收電流，而在不充電時(shí)則須供應電流。另一種方法是使用圖 1 所示的 MOSFET 電路之一。圖 1：傳統的負載側反向保護對于負載側電路而言，這種方法比使用二極管更好，因為電源 (電池) 電壓增強了 MOSFET，因而產(chǎn)生了更少的壓降和實(shí)質(zhì)上更高的電導。該電路的 NMOS 版本比 PM
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源電壓反轉
解析LLC諧振半橋變換器的失效模式
- 在功率轉換市場(chǎng)中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為最具挑戰性的議題。對于功率密度的提高，最普遍方法就是提高開(kāi)關(guān)頻率，以便降低無(wú)源器件的尺寸。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)拓撲因具有極低的開(kāi)關(guān)損耗、較低的器件應力而允許采用高開(kāi)關(guān)頻率以及較小的外形，能夠以正弦方式對能量進(jìn)行處理，開(kāi)關(guān)器件可實(shí)現軟開(kāi)閉，因此可以大大地降低開(kāi)關(guān)損耗和噪聲。在這些拓撲中，移相ZVS全橋拓撲在中、高功率應用中得到了廣泛采用，因為借助功率MOSFET的等效輸出電容和變壓器的漏感可以使所有的開(kāi)關(guān)工作在ZVS狀態(tài)下
- 關(guān)鍵字： LLC MOSFET ZVS 變換器
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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