碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區

天岳先進(jìn)上海碳化硅基地驗收

作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點(diǎn)。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區的生產(chǎn)基地第一個(gè)項目完成驗收，意味著(zhù)該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。01天岳先進(jìn)“瘋狂”擴產(chǎn)據悉，天岳先進(jìn)上?；仨椖孔畛跤?021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產(chǎn)后，SiC襯底的產(chǎn)能約為30萬(wàn)片/年。從投資規模和產(chǎn)能規劃來(lái)看，上?；仨椖坑型屘煸老冗M(jìn)的市場(chǎng)地位再進(jìn)一步。近年來(lái)
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MOSFET在服務(wù)器電源上的應用

服務(wù)器電源主要用在數據中心場(chǎng)景中，主要應用于服務(wù)器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個(gè)規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開(kāi)發(fā)成本，延長(cháng)服務(wù)器的使用壽命
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意法半導體在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園

●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長(cháng)期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產(chǎn)業(yè)園將實(shí)現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個(gè)園區內完成從芯片研發(fā)到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產(chǎn)，賦能汽車(chē)和工業(yè)客戶(hù)的電氣化進(jìn)程和高能效轉型服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
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PANJIT最新高效能60V/100V/150V車(chē)規級MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車(chē)規級?MOSFET，此系列通過(guò)先進(jìn)的溝槽技術(shù)設計達到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專(zhuān)為汽車(chē)和工業(yè)電力系統設計，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數（FOM），顯著(zhù)降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開(kāi)關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
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恩智浦與采埃孚合作開(kāi)發(fā)基于SiC的牽引逆變器

6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動(dòng)汽車(chē)（EV）開(kāi)發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過(guò)利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅動(dòng)器，該解決方案旨在加速800V平臺和SiC功率器件的推廣應用。據介紹，GD316x產(chǎn)品系列支持安全、高效和高性能的牽引逆變器，可延長(cháng)電動(dòng)汽車(chē)的續航里程、減少充電停車(chē)次數、同時(shí)降低OEM廠(chǎng)商的系統級成本。據了解，牽引逆變器是電動(dòng)汽車(chē)電力傳動(dòng)系統的
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室

●? ?意法半導體第三代SiC MOSFET助力吉利相關(guān)品牌純電車(chē)型提高電驅能效●? ?雙方成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，共同推動(dòng)節能智能化電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團(香港交易所代碼: HK0175)宣布，雙方簽署碳化硅(SiC)器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌
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意法半導體與吉利汽車(chē)簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議

6月4日，意法半導體（ST）與吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、高級駕駛輔助（ADAS）和新能源汽車(chē)等相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng )新解決方案。據數據顯
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吉利汽車(chē)與ST簽署SiC長(cháng)期供應協(xié)議，深化新能源汽車(chē)轉型；成立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，推動(dòng)雙方創(chuàng )新合作

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體（簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與全球汽車(chē)及新能源汽車(chē)龍頭制造商吉利汽車(chē)集團宣布，雙方簽署碳化硅（SiC）器件長(cháng)期供應協(xié)議，在原有合作基礎上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。按照協(xié)議規定，意法半導體將為吉利汽車(chē)旗下多個(gè)品牌的中高端純電動(dòng)汽車(chē)提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動(dòng)車(chē)性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程，深化新能源汽車(chē)轉型。此外，吉利和ST還在多個(gè)汽車(chē)應用領(lǐng)域的長(cháng)期合作基礎上，建立創(chuàng )新聯(lián)合實(shí)驗室，交流與探索在汽車(chē)電子/電氣（E/E）架構（如車(chē)載信息娛樂(lè )、智能座艙系統）、
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ST宣布50億歐元在意新建8英寸SiC工廠(chǎng)

自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時(shí)間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠(chǎng)，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠(chǎng)的建設是支持汽車(chē)、工業(yè)和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶(hù)向電氣化過(guò)渡并尋求更高效率的關(guān)鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠(chǎng)的目標是在2026年投入生產(chǎn)，到2033年達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，滿(mǎn)產(chǎn)狀態(tài)下每周可生產(chǎn)多達15,000
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構建新型能源體系，充電樁市場(chǎng)將迎來(lái)高增長(cháng)

能源是人類(lèi)生存和發(fā)展的重要物質(zhì)基礎，能源轉型則是當今國際社會(huì )關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題，隨著(zhù)全球對環(huán)境保護意識的增強和能源危機的擔憂(yōu)，新能源市場(chǎng)的需求正在快速增長(cháng)?！　‘斍叭蚱?chē)產(chǎn)業(yè)電動(dòng)化正在深度推進(jìn)，在新能源革命浪潮下，新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)成為各國重點(diǎn)發(fā)力方向。隨著(zhù)新能源汽車(chē)技術(shù)的日趨成熟，充電基礎設施快速發(fā)展。近年來(lái)，我國已建成世界上數量最多、服務(wù)范圍最廣、品種類(lèi)型最全的充電基礎設施體系。目前按照1公樁=3個(gè)私樁的測算，中國2023年增量市場(chǎng)的純電動(dòng)車(chē)的車(chē)樁比已經(jīng)1：1，領(lǐng)先世界其它國家數倍
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MOSFET基本原理、參數及米勒效應全解

1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場(chǎng)效應管（FET）是利用輸入回路的電場(chǎng)效應來(lái)控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱(chēng)單極型晶體管。場(chǎng)效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場(chǎng)效應管溫度穩定性好、集成化時(shí)工藝簡(jiǎn)單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時(shí)漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
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如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 市場(chǎng)的快速增長(cháng)推動(dòng)了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。事實(shí)上，至少在本世紀下半葉之前，SiC功率器件可能會(huì )供不應求。而隨著(zhù) SiC 襯底應用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來(lái) SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點(diǎn)。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動(dòng)汽車(chē)的功率密度
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功率MOSFET的工作原理

功率MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程原理(1)開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程實(shí)驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開(kāi)關(guān)過(guò)程原理：開(kāi)通過(guò)程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態(tài)，t0 時(shí)，MOSFET 被驅動(dòng)開(kāi)通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經(jīng)Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時(shí)刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開(kāi)始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
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第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案

第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動(dòng)方案相比傳統的硅MOSFET，SiC MOSFET可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域，SiC MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動(dòng)方案備受關(guān)注。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性，也意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動(dòng)方案展開(kāi)了解，其中包括驅動(dòng)過(guò)電流、過(guò)電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來(lái)越受歡迎的D2PAK-7封裝

Nexperia近日宣布，公司現推出業(yè)界領(lǐng)先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發(fā)布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產(chǎn)品，它將使其SiC MOSFET產(chǎn)品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著(zhù)NSF0xx120D7A0的發(fā)布，Nexperia正在滿(mǎn)足市場(chǎng)對采用D2
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