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工藝 文章 進(jìn)入工藝技術(shù)社區
聚合物波導提高了 CPO 共封裝光學(xué)
- 日本的研究人員開(kāi)發(fā)了一種聚合物波導，其性能與現有復雜芯片封裝中的共封裝光學(xué)（CPO）方法相似。這可以降低將光學(xué)連接添加到芯片封裝中的成本，以減少功耗并提高數據速率。CPO 系統需要激光源才能運行，該激光源可以是直接集成到硅光子芯片（PIC）中，也可以是外部提供。雖然集成激光源允許更多連接，但確保一致性可靠性可能具有挑戰性，這可能影響整體系統魯棒性。另一方面，在 CPO 中使用外部激光源（ELS）可以提高系統可靠性。由日本國立先進(jìn)工業(yè)科學(xué)技術(shù)研究所的 Satoshi Suda 博士領(lǐng)導的研究團隊測試了在玻璃
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臺積電可能對1.6nm工藝晶圓漲價(jià)5成
- 隨著(zhù)臺積電準備在今年晚些時(shí)候開(kāi)始采用其 N2（2nm 級）工藝技術(shù)制造芯片，關(guān)于 N2 晶圓定價(jià)以及后續節點(diǎn)定價(jià)的傳言已經(jīng)出現。我們已經(jīng)知道，據報道，臺積電計劃對使用其 N30,000 技術(shù)加工的晶圓收取高達 2 美元的費用，但現在《中國時(shí)報》報道稱(chēng)，該公司將對“更先進(jìn)的節點(diǎn)”收取每片晶圓高達 45,000 美元的費用，據稱(chēng)這指向該公司的 A16（1.6nm 級）節點(diǎn)。2nm 生產(chǎn)成本高“臺積電的 2nm 芯片晶圓代工價(jià)格已飆升至每片晶圓 30,000 美元，據傳 [更多] 先進(jìn)節點(diǎn)將達到 45,000
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芯片的先進(jìn)封裝會(huì )發(fā)展到4D？
- 電子集成技術(shù)分為三個(gè)層次，芯片上的集成，封裝內的集成，PCB板級集成，其代表技術(shù)分別為SoC，SiP和PCB（也可以稱(chēng)為SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D為主，晶體管以平鋪的形式集成于晶圓平面；同樣，PCB上的集成也是以2D為主，電子元器件平鋪安裝在PCB表面，因此，二者都屬于2D集成。而針對于封裝內的集成，情況就要復雜得多。電子集成技術(shù)分類(lèi)的兩個(gè)重要依據：1.物理結構，2.電氣連接(電氣互連)。目前先進(jìn)封裝中按照主流可分為2D封裝、2.5D封裝、3D封裝三種類(lèi)型。2D封裝012D封裝是指在基板的表
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工藝沒(méi)搞定！蘋(píng)果取消iPhone 17 Pro系列屏幕抗刮抗反射涂層
- 4月29日消息，據MacRumors報道，蘋(píng)果原計劃為iPhone 17 Pro的屏幕配備抗刮抗反射涂層，目前已經(jīng)取消。消息稱(chēng)，蘋(píng)果在擴大顯示屏涂層工藝方面遇到了問(wèn)題。此前考慮到Apple生產(chǎn)的數百萬(wàn)臺設備，為iPhone顯示屏添加防反射涂層的過(guò)程太慢了，因此即使它只計劃用于Pro機型，今年似乎仍然不可行。三星早在Galaxy S24 Ultra上就開(kāi)始使用Gorilla Glass Armor面板，也是同類(lèi)型技術(shù)，可以將反射減少75%，在強光、燈光下保持屏幕清晰可見(jiàn)。目前市面上流行的一種AR貼膜就使用了
- 關(guān)鍵字： 工藝 蘋(píng)果 iPhone 17 Pro 屏幕抗 刮抗 反射涂層
英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據稱(chēng)將外包給臺積電生產(chǎn)
- 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過(guò)臺積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱(chēng)將為客戶(hù)提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺積電的一個(gè)原因。但業(yè)內也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅動(dòng)，而不是性能或回報等方面的問(wèn)題。還有傳言稱(chēng)，英特爾可能采取雙源戰略：既使用臺積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 工藝 2納米芯片 臺積電
展望2nm工藝的可持續性
- 隨著(zhù)半導體制造復雜性的不斷增加，相關(guān)的排放量正在以驚人的速度增長(cháng)。TechInsights Manufacturing Carbon Module?數據顯示，位于俄勒岡州的下一代 2nm 晶圓廠(chǎng)將生產(chǎn) ~30 萬(wàn) MtCO2e 每年消耗超過(guò) 400 GWh 的電力。鑒于對電力和范圍 2 排放的依賴(lài)，晶圓廠(chǎng)選址也起著(zhù)重要作用，位于臺灣的同等晶圓廠(chǎng)每年產(chǎn)生的排放量幾乎是其三倍。有勝利。具有高晶體管密度的精細工藝可以大大減少每個(gè)晶體管的輻射。半導體制造的碳中和是可能的，但正如我們將要展示的那樣，這需要
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英特爾突破關(guān)鍵制程技術(shù)：Intel 18A兩大核心技術(shù)解析
- 半導體芯片制程技術(shù)的創(chuàng )新突破，是包括英特爾在內的所有芯片制造商們在未來(lái)能否立足AI和高性能計算時(shí)代的根本。年內即將亮相的Intel 18A，不僅是為此而生的關(guān)鍵制程技術(shù)突破，同時(shí)還肩負著(zhù)讓英特爾重回技術(shù)創(chuàng )新最前沿的使命。那么Intel 18A為何如此重要？它能否成為助力英特爾重返全球半導體制程技術(shù)創(chuàng )新巔峰的“天命人”？RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)與PowerVia背面供電技術(shù)兩大關(guān)鍵技術(shù)突破，會(huì )給出世界一個(gè)答案。攻克兩大技術(shù)突破 實(shí)力出色RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，是破除半
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英特爾澄清：Intel 18A制程產(chǎn)品將于今年下半年如期發(fā)布
- 據外媒報道，近日，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在公開(kāi)澄清了關(guān)于基于Intel 18A制程的首款產(chǎn)品——Panther Lake推遲發(fā)布的傳聞。他表示，Panther Lake仍按計劃于今年下半年發(fā)布，發(fā)布時(shí)間并未改變，且英特爾對于目前的進(jìn)展非常有信心。報道中稱(chēng)，John Pitzer表示當前Panther Lake的良率水平甚至比同期Meteor Lake開(kāi)發(fā)階段的表現還要略勝一籌。幾周前有技術(shù)論文指出， Intel 18A制程的SRAM密度表現已與臺積電N2工藝相當?！半m然技術(shù)比較存在多
- 關(guān)鍵字： 英特爾 芯片支撐 工藝
三星 SF4X 工藝獲 IP 生態(tài)支持：Blue Cheetah 流片 D2D 互聯(lián) PHY
- 1 月 22 日消息，半導體互聯(lián) IP 企業(yè) Blue Cheetah 美國加州當地時(shí)間昨日表示，其新一代 BlueLynx D2D 裸晶對裸晶互聯(lián) PHY 物理層芯片在三星 Foundry 的 SF4X 先進(jìn)制程上成功流片（Tape-Out）。Blue Cheetah 在三星 SF4X 上制得的 D2D PHY 支持高級 2.5D 和標準 2D 芯粒封裝，總吞吐量突破 100 Tbps 大關(guān)，同時(shí)在面積和功耗表現上處于業(yè)界領(lǐng)先水平，將于 2025 年第二季度初在封裝應用中接受硅特性分析。Blue Che
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高通驍龍 8 至尊版 2 芯片曝料：?jiǎn)魏似?4000 分，多核提升超 20%
- 11 月 12 日消息，消息源 Jukanlosreve 昨日（11 月 11 日）在 X 平臺發(fā)布推文，曝料稱(chēng)高通第二代驍龍 8 至尊版芯片在 GeekBench 6 單核成績(jì)突破 4000 分，多核性能比初代驍龍 8 至尊版提升 20%。援引消息源信息，高通第二代驍龍 8 至尊版芯片（高通驍龍 8Gen 5）將混合使用三星的 SF2 代工和臺積電的 N3P 工藝。消息源還透露高通第二代驍龍 8 至尊版芯片和聯(lián)發(fā)科天璣 9500 芯片均支持可擴展矩陣擴展（Scalable Matrix Extensio
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半導體行業(yè)最高性能！Eliyan 推出芯?；ミB PHY：3nm 工藝、64Gbps / bump
- IT之家 10 月 12 日消息，Eliyan 公司于 10 月 9 日發(fā)布博文，宣布在美國加州成功交付首批 NuLink?-2.0 芯?；ミB PHY，該芯片采用 3nm 工藝制造。這項技術(shù)不僅實(shí)現了 64Gbps / bump 的行業(yè)最高性能，還在多芯粒架構中提供了卓越的帶寬和低功耗解決方案，標志著(zhù)半導體互連領(lǐng)域的一次重大突破。IT之家注：芯?；ミB PHY 是一種用于連接多個(gè)芯片小塊（chiplet）的物理層接口，旨在實(shí)現高帶寬、低延遲和低功耗的數據傳輸。Eliyan 的芯片互連 P
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不再執著(zhù)制造工藝 華為：以系統設計工程建設消除芯片代差
- 多年來(lái)持續試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過(guò)系統的設計和工程建設能解決算力與分析能力的問(wèn)題，從而消除在芯片上的代差。未來(lái)芯片創(chuàng )新不應只在單點(diǎn)的芯片工藝上，而是應該在系統架構上，要用空間、帶寬、能源來(lái)?yè)Q取芯片工藝上的缺陷。據《快科技》報導，在今天的數據大會(huì )上，華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過(guò)系統的設計和工程建設可以解決我們整體數字中心的能力、算力和分析能力問(wèn)題，可以消除我們在芯片上的代差?！箯埰桨舱f(shuō)，「在華為看來(lái)，AI數據中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數能結合?！乖谶@之
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臺積電高管張曉強：不在乎摩爾定律是死是活
- 近日，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁張曉強博士在接受采訪(fǎng)時(shí)被問(wèn)到，如何看待“摩爾定律已死”的說(shuō)法，而他的回答非常直接：“很簡(jiǎn)單，不在乎。只要我們能繼續推動(dòng)工藝進(jìn)步，我就不在乎摩爾定律是活著(zhù)，還是死了?！痹趶垥詮娍磥?lái)，臺積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶(hù)改進(jìn)性能、功耗和面積 （PPA）指標進(jìn)。比如說(shuō)最近十年來(lái)，蘋(píng)果一直是臺積電的頭號客戶(hù)，而蘋(píng)果A/M系列處理器的演進(jìn)，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
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Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)
- 英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠(chǎng)進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節點(diǎn)的一些額外細節。新工藝帶來(lái)了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點(diǎn)針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶(hù)。它還將在未來(lái)幾年內發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開(kāi)發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛(ài)爾蘭的工廠(chǎng)進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
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谷歌已經(jīng)與臺積電達成合作：首款芯片為T(mén)ensor G5，選擇3nm工藝制造
- 此前有報道稱(chēng)，明年谷歌可能會(huì )改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠(chǎng)，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線(xiàn)。為了更好地進(jìn)行過(guò)渡，谷歌將擴大在中國臺灣地區的研發(fā)中心。隨后泄露的數據庫信息表明，谷歌已經(jīng)開(kāi)始與臺積電展開(kāi)合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗證。據Wccftech報道，谷歌與臺積電已達成了一項協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線(xiàn)生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
- 關(guān)鍵字： 谷歌 臺積電 Tensor G5 3nm 工藝
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