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54nm
54nm 文章 進(jìn)入54nm技術(shù)社區
海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片
- 據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì )在本月開(kāi)始投入量產(chǎn)。 此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱(chēng)是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計，1Gb DDR3內存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。 根據海力士的介紹，數據中心、服務(wù)器、超級計算機或
- 關(guān)鍵字： 海力士 內存芯片 54nm DDR3
茂德宣布中止與海力士54nm內存芯片制程合作項目
- 茂德電子(Promos)23日向臺灣證交所提報了一份聲明，聲明稱(chēng)茂德與海力士間有關(guān)54nm制程內存芯片制造技術(shù)的合作協(xié)議已宣告中止。業(yè)內人士認為此舉意味著(zhù)茂德將轉而投入爾必達以及即將成立的TMC臺灣內存公司的懷抱。茂德發(fā)言人稱(chēng)，與海力士間54nm制程技術(shù)合作關(guān)系的結束并不會(huì )影響到兩家公司在現有主流制程技術(shù)方面的合作關(guān)系，不過(guò)他并沒(méi)有對此作詳細說(shuō)明。 2005年，茂德在海力士的幫助下成功轉向90nm制程技術(shù)，2007年又在其協(xié)助下轉換為70nm制程。不過(guò)按此前的報道，茂德在轉向54nm制程的過(guò)程中
- 關(guān)鍵字： 茂德 內存芯片 54nm 90nm
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54nm介紹
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