海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片

　　據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì )在本月開(kāi)始投入量產(chǎn)。

　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱(chēng)是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計，1Gb DDR3內存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。

　　根據海力士的介紹，數據中心、服務(wù)器、超級計算機或其它對電池續航要求較高的移動(dòng)產(chǎn)品都可采用這種低功耗芯片。

　　此次1Gb DDR3內存芯片的設計理念還將應用于未來(lái)的40nm 2Gb DDR3芯片設計。