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先進(jìn)制程
先進(jìn)制程 文章 進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)社區
晶圓代工：1nm芯片將至
- 生成式AI強勁需求推動(dòng)之下，不僅高性能AI芯片廠(chǎng)商持續受益，晶圓代工領(lǐng)域也嘗到了先進(jìn)制程帶來(lái)的甜頭，進(jìn)而持續瞄準2nm、1nm等制程芯片生產(chǎn)。近期，晶圓代工廠(chǎng)商先進(jìn)制程布局再次傳出新進(jìn)展。1nm 2027年投入生產(chǎn)？近期，英特爾對外表示Intel 18A將于今年年底量產(chǎn)。為推銷(xiāo)該工藝節點(diǎn)，韓媒表示英特爾執行長(cháng)Pat Gelsinger去年會(huì )見(jiàn)韓國IC設計公司高層，以爭取商機。Intel 18A之后，英特爾還將積極瞄準更先進(jìn)的制程工藝。據悉，英特爾近期對外公布了Intel 14A（1.4nm制程）路線(xiàn)，但未
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英特爾 CEO：18A 制程優(yōu)于臺積電的 2nm
- 英特爾的先進(jìn)制程發(fā)展腳步越邁越大。
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高通、英偉達、AMD、特斯拉等先進(jìn)制程芯片，花落誰(shuí)家？
- 蘋(píng)果、英偉達、AMD、高通和聯(lián)發(fā)科等都采用臺積電半導體制程生產(chǎn)最新芯片，部分芯片可能采用三星晶圓代工，但通常不是旗艦。 隨著(zhù)三星過(guò)去幾個(gè)月良率提升，三星非常希望拿下部分訂單，例如3納米GAA制程。之前市場(chǎng)消息，高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用雙代工廠(chǎng)策略，也就是同時(shí)采用臺積電的N3E制程技術(shù)和三星的SF3E制程技術(shù)。不過(guò)，目前高通和聯(lián)發(fā)科都計劃采用臺積電第二代3納米制程技術(shù)（N3E），制造Snapdragon 3 Gen 8和天璣4的芯片，并沒(méi)有所謂的雙來(lái)源計劃。三星在2022年6
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三大晶圓代工巨頭先進(jìn)制程新進(jìn)展
- 近期，英特爾執行長(cháng)基辛格表示，英特爾可如期達成4年推進(jìn)5世代制程技術(shù)的目標。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準備開(kāi)始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標的終極制程，已確定相關(guān)設計規則。在A(yíng)I、高性能計算等新興技術(shù)驅動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯，吸引臺積電、三星、英特爾積極布局。臺積電方面，該公司N3X、2nm工藝計劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節點(diǎn)首度使用
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3納米市占超車(chē)美國對手 中砂拼先進(jìn)制程 明年靚
- 再生晶圓暨鉆石碟大廠(chǎng)中砂6日舉辦法說(shuō)會(huì )，發(fā)言人李偉彰副總指出，公司于研發(fā)階段便與客戶(hù)共同投入研發(fā)，過(guò)往持續擴增實(shí)驗室規模，于客戶(hù)先進(jìn)制程逐漸斬獲成效，于3納米制程已經(jīng)獲得7成之市占，彎道超車(chē)美國競爭對手。李偉彰強調，未來(lái)在2納米甚至更先進(jìn)制程，皆不會(huì )落下；伴隨線(xiàn)徑微縮極致的追求，耗材使用壽命只會(huì )愈來(lái)愈短，對耗材供應系一大利多。 中砂第三季營(yíng)收獲利逐步回溫，自第一季低點(diǎn)之后、逐季好轉，其中毛利率站回3成之水平，達到32％，營(yíng)益率也回到17％，稅后純益達2.92億元，單季每股稅后純益（EPS）2.02元；前三
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先進(jìn)制程之戰：三星/英特爾/臺積電動(dòng)態(tài)跟蹤
- 近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開(kāi)始跟大型芯片客戶(hù)接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。據朝鮮日報報道，對于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶(hù)方面卻不如臺積電的言論，Samsung Foundry科技長(cháng)Jeong Ki-tae近日在韓國國際會(huì )議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導體博覽會(huì )（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶(hù)大約需要3年才能做出最終購買(mǎi)決定。三星正在跟大
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三大先進(jìn)制程代工廠(chǎng)的路線(xiàn)圖
- 據集邦咨詢(xún)報道，臺積電、三星、英特爾等尖端制程代工廠(chǎng)紛紛發(fā)布 2nm 及以上制程路線(xiàn)圖，凸顯下一代 GAA 技術(shù)領(lǐng)先地位的開(kāi)發(fā)競爭加速。大型晶圓廠(chǎng)的前沿工藝路線(xiàn)圖。請注意，這是 TrendForce 根據各公司公布的計劃創(chuàng )建的，不一定完全如圖所示（來(lái)源：TrendForce，截至 2023 年 9 月）臺積電將于 2025 年在寶山工廠(chǎng)開(kāi)始量產(chǎn) 2nm 工藝關(guān)于產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電，集邦科技將于 2024 年第二季開(kāi)始在中國臺灣新竹科學(xué)園區寶山地區（新竹縣寶山鄉）的工廠(chǎng)安裝量產(chǎn) 2 納米（N2）制程的制造設備。
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晶圓代工大廠(chǎng)角逐先進(jìn)制程迎新進(jìn)展！
- AI、高性能計算等新興技術(shù)驅動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯。近期，產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新進(jìn)展：英特爾宣布Intel 4制程節點(diǎn)已大規模量產(chǎn)。與此同時(shí)，臺積電、三星同樣在積極布局先進(jìn)制程技術(shù)。英特爾Intel 4制程節點(diǎn)已大規模量產(chǎn)10月15日，“英特爾中國”官方公眾號宣布，英特爾已于近日開(kāi)始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規模量產(chǎn)Intel 4制程節點(diǎn)。官方表示，英特爾正以強大執行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節點(diǎn)”計劃，并將用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿(mǎn)足AI推動(dòng)下“芯經(jīng)濟”指數級增長(cháng)的算力需求。作為英特爾首個(gè)采用極紫外光
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先進(jìn)制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒
- 據韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開(kāi)始大規模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱(chēng)，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開(kāi)始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時(shí)間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)的半導體工藝制程為3納米，但市場(chǎng)主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠(chǎng)商主要
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NXP：先進(jìn)制程有助打造更高效率的運算架構
- 物聯(lián)網(wǎng)被視為未來(lái)各種智能化系統的主要架構，透過(guò)底層感測網(wǎng)絡(luò )、中間通訊傳輸與上層云端平臺的組合，讓信息無(wú)縫流動(dòng)，進(jìn)而延伸出更多應用，賦予更智能的生活體驗。不過(guò)隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)應用多元化、許多應用或因功能安全或因直觀(guān)需要實(shí)時(shí)反應，集中式運算的物聯(lián)網(wǎng)架構已難因應所有領(lǐng)域，因此系統終端開(kāi)始被賦予一定程度的運算能力，以提升實(shí)時(shí)反應功能。 恩智浦(NXP)半導體大中華區資深營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理黃健洲恩智浦(NXP)半導體大中華區資深營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理黃健洲指出，而針對此一需求，在MCU已布局多年的NXP在2019年推出了i.MX RT
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半導體從業(yè)人員受訪(fǎng)時(shí)承認：技術(shù)落后2-3代
- 受美國制裁的影響，我國在半導體先進(jìn)制程的發(fā)展速度上嚴重放緩。 日經(jīng)新聞采訪(fǎng)了7家中國主要半導體設備制造商，大多數承認目前主要生產(chǎn)14納米至28納米的芯片，落后對手至少2到3代。日經(jīng)在今年3月的2021中國國際半導體展期間訪(fǎng)問(wèn)了多家半導體公司，獲得了7家公司回復。大多受訪(fǎng)者坦承，中國半導體先進(jìn)芯片制程發(fā)展速度已經(jīng)放緩，也表示美國制裁阻礙他們從國外采購零件和材料，但用國內產(chǎn)品替代又會(huì )降低良品率。上海微電子是中國唯一一家商用光刻機制造商，一名工程師受訪(fǎng)表示：我們的主要光刻機是用于90納米制程的，而28納米和14
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明年資本支出 臺積將首超三星、英特爾
- 先進(jìn)制程成為半導體巨擘兵家必爭之地，臺積電日前于法說(shuō)會(huì )上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)則估，臺積電明年資本支出可望達到115億美元，超越英特爾、三星。 IEK分析，今年全球半導體廠(chǎng)商的資本支出估達643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺積三強均超過(guò)百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴大產(chǎn)能之余，先進(jìn)制程的研發(fā)投資成本亦跟著(zhù)水漲船高。舉例來(lái)說(shuō)，一條20奈米產(chǎn)線(xiàn)的投資金額就
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先進(jìn)制程介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條先進(jìn)制程!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對先進(jìn)制程的理解，并與今后在此搜索先進(jìn)制程的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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