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SK 海力士業(yè)界首推基于 CXL 的存算一體計算存儲器解決方案 CMS
- IT之家 10 月 19 日消息，據 SK 海力士官方消息，繼今年 8 月推出公司首款 CXL 存儲器樣品后，SK 海力士此次成功開(kāi)發(fā)行業(yè)首款將計算功能與 CXL 存儲器相結合的 CMS（Computational Memory Solution）。據介紹，該解決方案擬搭載于下一代服務(wù)器平臺上，有望提升系統性能和能源效率。美國時(shí)間 10 月 18 日，SK 海力士在美國圣何塞召開(kāi)的 OCP（Open Compute Project）全球峰會(huì )上同時(shí)公開(kāi) CMS 及應用該方案的軟件平臺，進(jìn)而證明了面向下一代高
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
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SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM
- SK海力士宣布公司開(kāi)始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開(kāi)發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個(gè)月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實(shí)現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進(jìn)一步鞏固公司在高端 DRAM 市場(chǎng)的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價(jià)值、高性能內存
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SK海力士采用是德PCIe 5.0測試平臺 加速內存開(kāi)發(fā)
- 是德科技宣布SK海力士（SK hynix）選用是德科技的整合式高速外圍組件互連協(xié)議（PCIe）5.0測試平臺，以加速內存開(kāi)發(fā)，進(jìn)而設計出可支持高速數據傳輸與大量數據管理的先進(jìn)產(chǎn)品。SK海力士是內存芯片領(lǐng)導廠(chǎng)商，為滿(mǎn)足下一代移動(dòng)電話(huà)、計算機、數據服務(wù)器和汽車(chē)，對效能和容量的需求，致力于開(kāi)發(fā)采用Compute Express Link（CXL）技術(shù)的內存半導體解決方案。透過(guò)是德科技整合式解決方案，SK海力士可對PCIe 5.0組件進(jìn)行物理層仿真、特性分析和驗證，并透過(guò)CXL高速內存互連技術(shù)，加速測試和開(kāi)發(fā)下一
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SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續優(yōu)化兩家公司的運營(yíng)，以創(chuàng )造協(xié)同效應和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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SK海力士稱(chēng)SK Square正考慮進(jìn)行有關(guān)芯片公司的并購交易
- 路透社報道稱(chēng)，韓國芯片制造商SK海力士(SK Hynix)首席執行官表示，其最大股東SK Square正考慮進(jìn)行涉及芯片公司的并購交易?！ 私獾?，SK Square Co.,Ltd.成立于2021年，是由韓國最大通訊業(yè)者SK Telecom分拆成立的投資公司，掌握非電信與技術(shù)部門(mén)，專(zhuān)注投資于新興高科技技術(shù)與半導體方面的業(yè)務(wù)，旗下子公司包括韓國半導體制造的SK Hynix、App應用商品經(jīng)營(yíng)業(yè)者ONE Store、電商平臺11Street等等?！ K海力士共同代表樸正浩(SK Square代表)在
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SK海力士或將面臨漲價(jià) 至少持續三個(gè)月
- 近日有媒體報道稱(chēng)，由于上游廠(chǎng)家閃存芯片受到污染，三星、SK海力士等廠(chǎng)家產(chǎn)品漲價(jià)在即，而且預計持續時(shí)間在3個(gè)月左右。先前西部數據向消費類(lèi)市場(chǎng)客戶(hù)發(fā)郵件稱(chēng)，將全面提高所有Flash產(chǎn)品價(jià)格，產(chǎn)品線(xiàn)沒(méi)有受到任何影響的美光也將合約價(jià)提升了17~18%，現貨價(jià)格提升25%以上。需要注意的是，雖然各大廠(chǎng)家都在漲價(jià)，但上周SSD現貨價(jià)格在出現上漲苗頭后馬上就停止波動(dòng)，價(jià)格與之前相比提升非常有限，想象中的價(jià)格暴漲并沒(méi)有出現。每年的3月份是需求旺季，再加上近段時(shí)間因為香港疫情導致來(lái)貨時(shí)間拉長(cháng)，種種因素下價(jià)格暴漲并不會(huì )讓人意
- 關(guān)鍵字： 內存 SK海力士 三星
SK海力士開(kāi)發(fā)出下一代智能內存芯片技術(shù)PIM
- 應用PIM的“GDDR6-AiM”產(chǎn)品將在權威國際學(xué)術(shù)大會(huì )上亮相通過(guò)在內存中加入計算功能，得以最大限度地提高數據處理速度低電壓運行可提高能效，減少碳排放，從而改善ESG表現公司計劃與SAPEON Inc.合作，推出與人工智能半導體相結合的全新技術(shù)SK海力士今日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出具備計算功能的下一代內存半導體技術(shù)“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”1)。SK海力士開(kāi)發(fā)出基于PIM技術(shù)的首款樣品GDDR6-AiM到目前為止，存儲半導體負責保存數據，而非存儲半導體（如CPU或GPU
- 關(guān)鍵字： SK海力士 智能內存 PIM
內存市場(chǎng)全面崛起！預估SK海力士Q3盈利大增52.2%
- 全球半導體的缺貨，使得一眾擁有完善產(chǎn)業(yè)鏈的原廠(chǎng)，賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。近日，業(yè)內著(zhù)名咨詢(xún)機構發(fā)布報告稱(chēng)，預計SK海力士今年第三季度營(yíng)業(yè)利潤為4.1萬(wàn)億韓元，環(huán)比增長(cháng)52.2%。強勁的增長(cháng)可能是由DRAM和NAND的ASP上漲推動(dòng)的，兩者在該季度均將環(huán)比上漲8%。 報告指出，市場(chǎng)對第三季度收益的預期已經(jīng)下調。由于IT供應鏈中斷，2021年第四季度和2022年第一季度盈利的不確定性增加，加劇了對內存市場(chǎng)在2021年第三季度后見(jiàn)頂的擔憂(yōu)。DRAM和NA
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外資加速撤離韓國，2大芯片巨頭市值蒸發(fā)3238億！
- 在全球缺芯的背景下，半導體成為公認的最熱板塊之一，不僅各大芯企斥巨資研發(fā)制作，就連各大經(jīng)濟體也紛紛“下場(chǎng)”，制定芯片發(fā)展計劃，在此情況下，市場(chǎng)預測，半導體熱還將持續很久。但近期以來(lái)，半導體似乎“不香了”？以韓國市場(chǎng)為例，擁有三星、SK海力士等芯片龍頭的韓國，在半導體領(lǐng)域也是極具代表性的國家。根據財聯(lián)社8月15日援引外媒的報道，近日，由于新冠確診病例數激增，外國投資者正在加速撤出韓國市場(chǎng)，該國主要芯片股的表現幾乎稱(chēng)得上遭遇“滑鐵盧”。權威機構的統計數據顯示，由于德?tīng)査《镜乃僚?，加上當地疫苗接種率低下，進(jìn)入
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SK海力士即將量產(chǎn)DDR5內存 搭配Intel 12代酷睿
- 今年下半年，最快10月底就能升級DDR5內存了，這一次Intel的12代酷睿Alder Lake會(huì )首發(fā)支持DDR5。SK海力士日前在財報會(huì )議上也表示未來(lái)幾個(gè)月就要量產(chǎn)DDR5內存?！ DR5的標準已經(jīng)發(fā)布一年多了，相比DDR4繼續提升性能、降低功耗，標準電壓從1.2V進(jìn)一步降至1.1V，最大單條容量從32GB來(lái)到128GB(單Die密度64Gb)，標準最高頻率從3200MHz翻番到6400MHz(實(shí)際瞄準8400MHz)，此時(shí)帶寬達到51GB/s，基本是DDR4-3200的兩倍?！ ×硗?，DDR5支
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SK海力士開(kāi)始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM
- SK海力士宣布已于7月初開(kāi)始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專(zhuān)為移動(dòng)終端開(kāi)發(fā)的低功耗DRAM規格?！癉DR” 為電子工程設計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)規定的DRAM規格標準名稱(chēng)，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
- 關(guān)鍵字： SK海力士 10納米 DRAM
SK 海力士回應報廢價(jià)2 萬(wàn)億韓元的芯片：部分產(chǎn)品確實(shí)存在缺陷
- 6 月 9 日消息 據外媒 Neowin 報道，此前曾有消息稱(chēng) SK 海力士報廢了 24 萬(wàn)片內存芯片，價(jià)值大約為 2 萬(wàn)億韓元，SK 海力士對此事作出回應稱(chēng)，其部分產(chǎn)品確實(shí)存在缺陷，但不良率處于正常水平，目前仍在分析具體規模和產(chǎn)生的原因?！ K 海力士在聲明中表示，“我們可以確認生產(chǎn)的部分 DRAM 產(chǎn)品存在缺陷。我們目前正在與受此影響的客戶(hù)交談，以解決這個(gè)問(wèn)題。但是據初步估計，我們認為損失不會(huì )太大，因為該缺陷在正常的質(zhì)量問(wèn)題檢測范圍?！薄 〈送?，SK 海力士還補充說(shuō)：“謠言中提到內存芯片
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?sk海力士介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?sk海力士!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?sk海力士的理解，并與今后在此搜索?sk海力士的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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