?氮化鎵文章進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區

氮化鎵或將釋放光伏技術(shù)的長(cháng)期潛力

2023 年全球可再生能源發(fā)電量首次超過(guò)全球總發(fā)電量的 30%創(chuàng )歷史新高，這則消息的背后是技術(shù)的不斷創(chuàng )新與突破。一直以來(lái)，可再生能源利用的一大問(wèn)題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據光照進(jìn)行發(fā)電，而無(wú)法根據需求而定。不過(guò)，隨著(zhù)儲能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變器正朝向雙向操作技術(shù)方向演進(jìn)，且隨時(shí)可以按需智能地融入電網(wǎng)。一個(gè)重要且可預見(jiàn)的趨勢是氮化鎵可作為下一代家庭太陽(yáng)能生產(chǎn)的重要組成部分，提供更高的功率密度，更小的外部無(wú)源元件、從而降低系統成本，增加系統效率，提供智能電網(wǎng)的彈性。作為氮化鎵供應商的先驅
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美印宣布將在印度建立半導體工廠(chǎng)，生產(chǎn)氮化鎵、碳化硅等芯片

美國和印度達成協(xié)議，將共同在印度建立一家半導體制造廠(chǎng)，助力印度總理莫迪加強該國制造業(yè)的雄心計劃。據白宮消息人士稱(chēng)，擬建的工廠(chǎng)將生產(chǎn)紅外、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導體，這是美國總統拜登和莫迪在特拉華州會(huì )晤后發(fā)布的。消息人士稱(chēng)，該工廠(chǎng)的建立將得到印度半導體計劃（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美國太空部隊之間的戰略技術(shù)伙伴關(guān)系的支持。印度在亞洲的戰略地緣政治地位為該國及其在技術(shù)領(lǐng)域所能提供的機會(huì )提供了新的關(guān)注點(diǎn)。在過(guò)去十年中，莫迪曾多次表示，他將把印度定位為中國的替代品，并
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信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助

第三代半導體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導體材料大廠(chǎng)信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(cháng)帶來(lái)了有力輔助。2024年9月3日，信越化學(xué)宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長(cháng)的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開(kāi)始供應樣品。圖片來(lái)源：信越化學(xué)從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN器件制造商可以使用現有的Si生產(chǎn)線(xiàn)來(lái)生產(chǎn)GaN，但由于缺乏適合GaN生長(cháng)的大直徑基板，因此無(wú)法從增加材料直徑中獲益。上述的300毫米QST基板具有與GaN相同的熱膨脹系數，可實(shí)現大直徑的高質(zhì)量厚GaN外延生長(cháng)，并抑制SEMI標準厚度的QS
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三星加碼氮化鎵功率半導體

根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規模生產(chǎn)GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車(chē)等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長(cháng)潛力，并一直在推動(dòng)其進(jìn)入市場(chǎng)。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車(chē)領(lǐng)域推出8英寸GaN功率半導體代工服務(wù)?！备鶕@一戰略，三星電子第二季度在其器興工廠(chǎng)引入了德國愛(ài)思
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泰克先進(jìn)半導體實(shí)驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試

_____在泰克先進(jìn)半導體開(kāi)放實(shí)驗室，2024年8月份，我們有幸見(jiàn)證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動(dòng)態(tài)參數測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠(chǎng)商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著(zhù)提升，不僅展現了技術(shù)的進(jìn)步，也為我們的客戶(hù)帶來(lái)了新的解決方案。測試概覽今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（70mΩ），在柵極電壓12V的條件下，輸出電流提升至20A以上。這一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在
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拆解報告：HUAWEI華為100W全能充多口充電器P0018

前言HUAWEI華為旗下快充產(chǎn)品相當多，除了隨機附送的充電器外，這些年還陸續推出過(guò)多口充、超薄快充以及全能充等產(chǎn)品，其中全能充系列涵蓋了快充充電器、車(chē)載充電器以及磁吸無(wú)線(xiàn)充移動(dòng)電源等品類(lèi)，功率也有66W、88W、100W可選?？梢哉f(shuō)光是這個(gè)系列的產(chǎn)品，就相當琳瑯滿(mǎn)目了。華為100W全能充多口充電器P0018是華為近期推出的新品，這款充電器除了配置代表性的干涉型融合端口外，還額外擁有一個(gè)獨立的USB-C接口，這便使得充電器具有了同時(shí)為兩個(gè)華為系設備供電的能力。下面充電頭網(wǎng)就對華為這款新品進(jìn)行詳細拆解，一起來(lái)
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拆解報告：HP惠普65W 2C1A氮化鎵快充充電器ZHAN 65

前言HP惠普是知名的國際電腦品牌，平時(shí)大家遇到的惠普電源多為大功率大尺寸的筆記本電源適配器，雖說(shuō)大品牌的產(chǎn)品在用料規格和做工方面沒(méi)得說(shuō)，但終歸不便攜。而隨著(zhù)快充的普及，近期充電頭網(wǎng)拿到了惠普一款符合當下主流消費者需求的65W氮化鎵快充充電器。這款充電器配置2C1A三個(gè)主流USB接口，不僅支持最大65W快充，還支持45W+20W等輸出策略，此外這款充電器還支持國內新興的UFCS融合快充，可以說(shuō)完全是一款針對國內市場(chǎng)推出的快充產(chǎn)品。下面充電頭網(wǎng)就對其進(jìn)行拆解，看看做工用料如何?；萜?5W氮化鎵快充充電器開(kāi)箱包
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氮化鎵外延廠(chǎng)瑞典企業(yè)SweGaN宣布已開(kāi)始出貨

8月13日，瑞典企業(yè)SweGaN宣布，公司生產(chǎn)碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）晶圓的新工廠(chǎng)已開(kāi)始出貨，產(chǎn)品將用于下一代5G先進(jìn)網(wǎng)絡(luò )高功率射頻應用。資料顯示，SweGaN新工廠(chǎng)位于瑞典林雪平，于2023年3月動(dòng)工建設，可年產(chǎn)4萬(wàn)片4/6英寸碳化硅基氮化鎵外延片。SweGaN表示，旗下新工廠(chǎng)開(kāi)始出貨標志著(zhù)公司從一家無(wú)晶圓廠(chǎng)設計廠(chǎng)商，正式轉型為一家半導體制造商。合作方面，今年上半年，SweGaN與未公開(kāi)的電信和國防公司簽訂了三份重要的供貨協(xié)議，使其訂單量翻了一番，達到1700萬(wàn)瑞典克朗（折合人民幣約115
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羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會(huì )展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì )（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀元

近年來(lái)，隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步和全球對綠色低碳發(fā)展的需求日益增長(cháng)，半導體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導體領(lǐng)導者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續深耕，通過(guò)戰略布局、技術(shù)創(chuàng )新、市場(chǎng)應用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì )期間舉辦了一場(chǎng)專(zhuān)門(mén)的氮化鎵新品媒體溝通會(huì )，會(huì )上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著(zhù)優(yōu)勢體現在節能、成本節約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅?zhuān)ㄟ^(guò)實(shí)現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現了數量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進(jìn)了系統性
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永銘電子：創(chuàng )新驅動(dòng)，聚焦新能源與人工智能的未來(lái)

在2024年7月11日的慕尼黑電子展上，EEPW采訪(fǎng)了上海永銘電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“永銘電子”）。其以23年的深厚技術(shù)積累和創(chuàng )新精神，再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。作為一家集研發(fā)、制造、銷(xiāo)售于一體的電容器企業(yè)，永銘電子在新能源汽車(chē)電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、IDC服務(wù)器、算力服務(wù)器以及人工智能等多個(gè)領(lǐng)域展現出了其技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競爭力。本屆慕展上的永銘電子展臺永銘電子自2001年成立以來(lái)，一直致力于電容器的研發(fā)與創(chuàng )新。公司目前擁有十個(gè)事業(yè)部，專(zhuān)注于新能源汽車(chē)電子、光伏逆變器、風(fēng)力發(fā)電、5G通訊、服
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西電廣研團隊攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)

7月12日消息，近日，西安電子科技大學(xué)廣州研究院第三代半導體創(chuàng )新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授課題組李祥東團隊在藍寶石基增強型e-GaN電力電子芯片量產(chǎn)技術(shù)研發(fā)方面取得突破性進(jìn)展。研發(fā)成果6英寸增強型e-GaN電力電子芯片以“p-GaN Gate HEMTs on 6 Inch Sapphire by CMOSCompatible Process: A Promising Game Chang
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革新GaN IPM技術(shù)：引領(lǐng)高壓電機驅動(dòng)系統進(jìn)入新時(shí)代

在當今能效需求日益增長(cháng)的時(shí)代背景下，家電及HVAC系統的設計師們正全力以赴地追求更高的能效標準。與此同時(shí)，他們也積極響應消費者對可靠、靜音、緊湊且經(jīng)濟實(shí)用的系統的期待。市場(chǎng)上的主要設計挑戰在于，如何在不增加系統成本的前提下，設計并開(kāi)發(fā)出更為小巧、高效且經(jīng)濟適用的電機驅動(dòng)器。這一挑戰要求設計師們不斷創(chuàng )新，以實(shí)現能效與實(shí)用性的完美結合?；谝陨媳尘?，德州儀器（TI）再次走在行業(yè)前沿，通過(guò)其最新發(fā)布的DRV7308氮化鎵（GaN）智能功率模塊（IPM），為高壓電機驅動(dòng)系統帶來(lái)了革命性的改變。近日，德州儀器在發(fā)布
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德州儀器推出先進(jìn)的 GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)，助力家電和暖通空調（HVAC）系統逆變器達到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。中國上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）推出了適用于 250W 電機驅動(dòng)器應用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調 (HVAC) 系統時(shí)通
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