?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區

蘋(píng)果明年恐推氮化鎵快充，USB充電頭恐將不復存在

• 臺積電為何會(huì )破天荒的將制程外包給一家LED廠(chǎng)？原來(lái)背后原因是明年將掀起的“氮化鎵快充”熱潮?，F在正熱賣(mài)中的iPhone 12，果粉打開(kāi)包裝盒會(huì )發(fā)現，不但沒(méi)有耳機，連昵稱(chēng)為“豆腐頭”的USB充電器也一并消失了。蘋(píng)果宣稱(chēng)是因為環(huán)保因素，對手三星一度在官方臉書(shū)嘲笑此說(shuō)法。但不久前，一份外泄的三星資料透露，三星也將跟進(jìn)，預計明年1月上市的最新款Galaxy手機也不附充電器。也就是說(shuō)，光是明年，可能將有至少上億顆免費充電器從全球市場(chǎng)消失。因此掀起的蝴蝶效應是，由昂貴且稀有的半導體材料制成的充電器將會(huì )加速普及?！疤O(píng)果
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拆解報告：Smartisan堅果65W氮化鎵快充充電器DP65C

• 　　Smartisan堅果旗下首款氮化鎵充電器設計上獨樹(shù)一幟，采用白綠配色機身殼，不走尋常路。此外充電器支持PD3.0和PPS快充協(xié)議，實(shí)測可為iPhone 12滿(mǎn)速充電，緊抓時(shí)下熱點(diǎn)?！　〗裉斐潆婎^網(wǎng)就為大家分享Smartisan 65W氮化鎵快充充電器的拆解，一起來(lái)看看其內部設計做工如何?！　∫?、Smartisan 65W氮化鎵快充充電器外觀(guān)　　包裝一如既往采用透明塑料盒加紅色紙盒底托設計，包裝上可以看到logo、產(chǎn)品名稱(chēng)以及三大特性信息?！　”趁嫒胍粡埌咨ㄆ?，印有充電器參數信息?！　〖埡械撞坑∮?/li>
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氮化鎵快充研發(fā)重大突破！三大核心芯片實(shí)現全國產(chǎn)

• 近日從供應鏈獲悉，國產(chǎn)氮化鎵快充研發(fā)取得重大突破，三大核心芯片實(shí)現自主可控，性能達到國際先進(jìn)水準。一、氮化鎵快充市場(chǎng)規模氮化鎵（gallium nitride，GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊式傳統硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠實(shí)現高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現遠遠超過(guò)現有產(chǎn)品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率提高了三倍。也正是得益于這些性能優(yōu)勢，氮化鎵在消費類(lèi)快充電源市場(chǎng)中有著(zhù)廣泛的應用。充電頭網(wǎng)統計數據顯示，目前已有數十家主流電源廠(chǎng)商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線(xiàn)，推出的
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VisIC 推出新的 8毫歐姆氮化鎵開(kāi)關(guān)管 用于電動(dòng)汽車(chē)逆變器

• 基于 D3GaN 技術(shù)的低導通電阻功率GaN 開(kāi)關(guān)，用于 EV 市場(chǎng)專(zhuān)為 EV 逆變器應用設計的新解決方案VisIC Technologies Ltd公司，汽車(chē)高壓應用氮化鎵（GaN）器件的全球領(lǐng)導者，自豪地宣布其新的低導通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對電動(dòng)汽車(chē)逆變器應用，此款產(chǎn)品將有助于提高電機控制器效率，降低整機制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶(hù)和改進(jìn)電源轉換系統的持續努力中的又一步驟。  8毫歐姆 D3GaN 功率開(kāi)關(guān)管“與VisIC上一代產(chǎn)品相
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這顆國產(chǎn)器看似簡(jiǎn)單：每個(gè)氮化鎵充電器都少不了

Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

• 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現了更出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關(guān)參數，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應管無(wú)需復雜的驅動(dòng)和控制，應用設計大為簡(jiǎn)化；使用標準的硅MOSFET 驅動(dòng)器也可以很容易地驅動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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拆解報告：RAVPOWER 61W氮化鎵USB PD快充充電器RP-PC112

• 近期氮化鎵充電器市場(chǎng)競爭非常激烈，眾多知名品牌紛紛加入戰場(chǎng)，最近我們拿到了RAVPOWER的61W和65W兩款氮化鎵充電器。其中，RAVPOWER 61W氮化鎵充電器采用典型的方正圓角機身搭配可折疊插腳設計，非常便攜。產(chǎn)品具備齊全的電壓檔位，能夠很好的滿(mǎn)足手機和筆記本的快充需求。下面我們就和小伙伴分享這款充電器的拆解，看看其用料做工如何。一、RAVPOWER 61W氮化鎵充電器外觀(guān)RAVPOWER這款61W氮化鎵充電器采用圓角方正造型設計，機身正背面微微弧面凸起，再搭配上可折疊插腳，讓產(chǎn)品顯得非常小巧，攜
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第三代半導體六英寸氮化鎵項目落戶(hù)廣西桂林

• 日前，高新區管委會(huì )與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過(guò)視頻連線(xiàn)召開(kāi)海峽兩岸項目推進(jìn)會(huì )，就第三代半導體六英寸氮化鎵項目推進(jìn)開(kāi)展“云洽談”。這個(gè)亞太地區半導體設備商的領(lǐng)頭羊即將把16億元的項目放到漓東這片熱土上。
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氮化鎵射頻及功率器件項目在嘉興開(kāi)工

• 近日，氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開(kāi)工。這個(gè)項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實(shí)施，全部達產(chǎn)后預計實(shí)現年銷(xiāo)售30億元以上，可進(jìn)一步推動(dòng)嘉興集成電路新一代半導體產(chǎn)業(yè)。
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第三代半導體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

• 半導體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，隨著(zhù)半導體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對半導體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。除了進(jìn)一步發(fā)展在摩爾定律下的制造工藝外，尋找硅（Si）以外新一代的半導體材料，也就成了一個(gè)重要方向。在這個(gè)過(guò)程中，氮化鎵（GaN）近年來(lái)作為一個(gè)高頻詞匯，進(jìn)入了人們的視野。GaN是一種新型的半導體材料，中文名為氮化鎵，英文名稱(chēng)是 Gallium nitride。它是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（Direct Bandgap）的半導體，也是一種寬禁帶半導體材料。與碳化硅（
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氮化鎵“爆紅”，康佳全面布局半導體產(chǎn)業(yè)

• 提起康佳這個(gè)品牌,相信很多人第一印象都會(huì )想到電視機。不過(guò)近些年由于市場(chǎng)競爭的家居,康佳電視的風(fēng)光程度也大不如從前。不過(guò)康佳也早有未雨綢繆,從家電行業(yè)轉進(jìn)半導體芯片市場(chǎng)的不止格力電器一家,康佳公司這兩年也開(kāi)始布局芯片市場(chǎng)。并且成果漸顯,首款存儲芯片實(shí)現量產(chǎn)引發(fā)多方關(guān)注?？导讶雸?chǎng)芯片領(lǐng)域康佳集團于1992年上市,曾是中國彩電和手機行業(yè)的龍頭公司,擁有消費多媒體、移動(dòng)通信、信息網(wǎng)絡(luò )和相關(guān)配套器件等產(chǎn)業(yè)板塊。2018年5月,康佳宣布由家電企業(yè)轉型為以科技創(chuàng )新驅動(dòng)的投資平臺,同時(shí)成立了半導體科技事業(yè)部,正式進(jìn)軍芯片
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ST與TSMC攜手推動(dòng)氮化鎵使用率

• 加快先進(jìn)功率氮化鎵解決方案的開(kāi)發(fā)和上市；充分利用意法半導體的汽車(chē)市場(chǎng)專(zhuān)業(yè)知識和臺積電的世界領(lǐng)先的制造技術(shù)；改進(jìn)寬帶隙產(chǎn)品的能效，使功率轉換應用獲得更高能效。
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Power Integrations發(fā)布基于氮化鎵的InnoSwitch3 AC-DC變換器IC

• 美國加利福尼亞州圣何塞，2019年7月25日訊– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日發(fā)布InnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)電源IC的新成員。新IC可在整個(gè)負載范圍內提供95%的高效率，并且在密閉適配器內不使用散熱片的情況下可提供100 W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自?xún)炔块_(kāi)發(fā)的高壓氮化鎵開(kāi)關(guān)技術(shù)。準諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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5G時(shí)代，砷化鎵依舊稱(chēng)王？

• 5G時(shí)代即將來(lái)臨，有觀(guān)點(diǎn)認為第二代砷化鎵芯片面臨被取代的命運，甚至有許多砷化鎵廠(chǎng)商宣稱(chēng)早已跨進(jìn)第三代...
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國內碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，5G芯片國產(chǎn)化再進(jìn)一步

• 據業(yè)內人士透露，作為蕪湖大院大所合作的重點(diǎn)項目，國產(chǎn)化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著(zhù)今后國內各大芯片企業(yè)生產(chǎn)5G通信芯片，有望用上國產(chǎn)材料。
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