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?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區
SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法
- 當今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機遇與挑戰。風(fēng)暴仍在繼續，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶(hù)對于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設備的普及，用戶(hù)對于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競爭中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應多樣化的標準和滿(mǎn)足用戶(hù)個(gè)性化的需求。在種種挑戰之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC，在內部集成750V或900V PowiGaN?初級開(kāi)關(guān)、初級側控制器、FluxLink?
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基于第三代半導體射頻微系統芯片研究項目啟動(dòng)
- 據云塔科技官微消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“戰略性科技創(chuàng )新合作”重點(diǎn)專(zhuān)項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統芯片研究”項目啟動(dòng)會(huì )暨實(shí)施方案論證會(huì )在云塔科技（安努奇）舉行。據悉，該項目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開(kāi)展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統
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“白菜化”的有源相控陣雷達
- 就在幾個(gè)月之前，一則消息被各大媒體平臺報道：2023年7月3日，為維護國家安全和利益，中國相關(guān)部門(mén)發(fā)布公告，決定自8月1日起，對鎵和鍺兩種關(guān)鍵金屬實(shí)行出口管制。至此有不少不關(guān)注該領(lǐng)域的讀者突然意識到，不知道從什么時(shí)候開(kāi)始，我國的鎵和鍺已經(jīng)悄悄成為了世界最大的出口國。根據一份中國地質(zhì)科學(xué)院礦產(chǎn)資源研究所2020年的一份報告顯示，目前鎵的世界總儲量約 23 萬(wàn)噸，中國的鎵金屬儲量居世界第一，約占世界總儲量的 80%-85%，而我國的鎵產(chǎn)量則是壓倒性的占到了全球產(chǎn)量的90%到95%。而作為鎵的化合物，砷化鎵、氮
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瑞薩電子3.39億美元收購Transphorm
- 1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領(lǐng)導者Transphorm達成最終協(xié)議，根據協(xié)議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價(jià)格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術(shù)，從而擴展其在電動(dòng)汽車(chē)、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(cháng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)范圍。據悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車(chē)級GaN技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)新的增強型
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垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能
- 美國弗吉尼亞理工學(xué)院、州立大學(xué)和NexGen電力系統公司首次對垂直氮化鎵（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩定性進(jìn)行了實(shí)驗表征。研究人員研究了額定電壓高達1200V（1.2kV）的NexGen結型場(chǎng)效應晶體管（JFET）器件。動(dòng)態(tài)?RON描述了開(kāi)關(guān)晶體管的電阻相對于穩定直流狀態(tài)下的電阻的增加。該團隊評論道：“這個(gè)問(wèn)題可能會(huì )導致器件的導通損耗增加，并縮短器件在應用中的壽命?！毖芯咳藛T將NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ級GaN JFET（
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電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)催生碳化硅新前景
- 第三代半導體材料是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體材料。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度，更高的擊穿電場(chǎng)、熱導率以及電子飽和速率，并且在抗輻射能力方面也具有優(yōu)勢。這些特性使得第三代半導體材料制備的半導體器件適用于高電壓、高頻率場(chǎng)景，并且能夠以較少的電能消耗獲得更高的運行能力。因此，第三代半導體材料在5G基站、新能源車(chē)、光伏、風(fēng)電、高鐵等領(lǐng)域具有廣泛的應用潛力。其中，碳化硅作為第三代半導體材料的典型代表，在汽車(chē)電子領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域，
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宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費電子應用場(chǎng)景
- PC公司的氮化鎵專(zhuān)家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強消費電子產(chǎn)品的功能和性能?增強型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì )展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻 ，包括實(shí)現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì )期間，EPC的技術(shù)專(zhuān)家將于1月9日至12日在套房與客戶(hù)會(huì )面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費應用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
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意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值
- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設計，實(shí)現最新的生態(tài)設計目標。意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅動(dòng)器、系統保護功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動(dòng)開(kāi)發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。這兩款新器件內置兩個(gè)連接成半橋的Ga
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中國科學(xué)院在氮化鎵 GaN 器件可靠性及熱管理研究方面取得重要進(jìn)展
- IT之家 12 月 11 日消息，據中國科學(xué)院微電子研究所消息，近日，微電子所高頻高壓中心劉新宇研究員團隊在氮化鎵電子器件可靠性及熱管理方面取得突破，六項研究成果入選第 14 屆氮化物半導體國際會(huì )議 ICNS-14（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）。氮化物半導體材料在光電子、能源、通信等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。隨著(zhù)下游新應用的快速發(fā)展以及襯底制備技術(shù)的不斷突破，氮化物半導體功率器件實(shí)現了成本和效率的大幅改善，
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德州儀器發(fā)布低功耗氮化鎵系列新品,可將交流/直流電源適配器體積縮小一半
- ●? ?助力工程師開(kāi)發(fā)系統尺寸減半且效率超過(guò) 95% 的交流/直流解決方案，從而簡(jiǎn)化散熱設計●? ?全新氮化鎵器件可兼容交流/直流電源轉換中常見(jiàn)的拓撲結構德州儀器 (TI)近日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統效率，同時(shí)縮小交流/直流消費類(lèi)電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 全系列產(chǎn)品均集成了柵極驅動(dòng)器，能解決常見(jiàn)的散熱設計問(wèn)題，既能讓適配器保持涼爽，又能在更小的尺寸中提供更高功率。德州儀
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Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件,助力計算、人工智能、能源和汽車(chē)電源系統實(shí)現卓越的熱性能和電氣性能
- 新推出器件是業(yè)界首款采用頂部散熱的 TOLT 氮化鎵晶體管,擴展Transphorm多樣化的產(chǎn)品封裝組合
- 關(guān)鍵字： Transphorm TOLT封裝 氮化鎵 SuperGaN
實(shí)現電源芯片國產(chǎn)化替代，鈺泰半導體ACDC獲聯(lián)想、意象快充采用
- 多年前，僅僅65W左右的筆記充電器如同磚頭一般大小，外出攜帶十分不便，但隨著(zhù)隨著(zhù)氮化鎵器件的全面使用，充電器的功率密度已經(jīng)翻了一倍有余，同樣65W的充電器只有之前的一半大小，很輕松就可以放入包內攜帶。但隨著(zhù)充電器集成度越來(lái)越高，對ACDC芯片的要求也愈加苛刻。為應對市場(chǎng)需求，鈺泰半導體潛心研發(fā)，相繼推出ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片。鈺泰半導體ACDC芯片鈺泰半導體ETA8003、ETA8047、ETA8056、ETA80033多款ACDC芯片部分規格如圖
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Omdia：人工智能將在電動(dòng)汽車(chē)革命中超越下一代半導體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著(zhù)Omdia預測電動(dòng)汽車(chē) (EV) 革命將引發(fā)新型半導體激增，電力半導體行業(yè)的幾十年舊規范正面臨挑戰。人工智能熱潮是否會(huì )產(chǎn)生類(lèi)似的影響？功率分立器件、模塊和IC預測Omdia半導體元件高級分析師卡勒姆·米德?tīng)栴D表示：“長(cháng)期以來(lái)依賴(lài)硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設備的挑戰和推動(dòng)。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開(kāi)發(fā)始于上個(gè)世紀，但它們的技術(shù)成熟度與可持續發(fā)展運動(dòng)相匹配，新材料制造的設備在能源匱乏的世界中有著(zhù)顯著(zhù)的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開(kāi)始？
- 在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著(zhù)提升，但是如何定量分析這三類(lèi)產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓經(jīng)理Jason Yan日前結合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細解釋了三類(lèi)產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來(lái)的判斷，同時(shí)還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點(diǎn)及優(yōu)勢。在功率器件選擇過(guò)程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導體越來(lái)越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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?氮化鎵介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?氮化鎵!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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