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?氮化鎵
?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區
意法半導體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破
- ?●? ?產(chǎn)品達到成本和性能雙重目標，現進(jìn)入認證測試階段●? ?實(shí)現彈性量產(chǎn)和供貨取得巨大進(jìn)展服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功?；谶@一成果，意法半導體和MACOM將繼續攜手，深化合作。射頻硅基氮化
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新一代單片式整合氮化鎵芯片 升級功率電路性能
- 在這篇文章里，imec氮化鎵電力電子研究計劃主持人Stefann Decoutere探討在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平臺上，整合高性能蕭基二極管與空乏型高電子遷移率晶體管（HEMT）的成功案例。該平臺以p型氮化鎵（GaN）HEMT制成，并成功整合多個(gè)GaN組件，將能協(xié)助新一代芯片擴充功能與升級性能，推進(jìn)GaN功率IC的全新發(fā)展。同時(shí)提供DC/DC轉換器與負載點(diǎn)（POL）轉換器所需的開(kāi)發(fā)動(dòng)能，進(jìn)一步縮小組件尺寸與提高運作效率。電力電子半導體的最佳解答：氮化鎵（GaN）過(guò)去
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EPC新推最小型化的100 V、2.2 m?氮化鎵場(chǎng)效應晶體管
- 宜普電源轉換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（EPC2071）,為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應商宜普電源轉換公司為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路，最新推出100 V、典型值為1.7 mΩ?的EPC2071氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，為客戶(hù)提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。?EPC2071是面向要求高功率密度的應用的理想器件，包括用于新型服務(wù)器和人工智能的
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意法半導體首款氮化鎵功率轉換器瞄準下一代50W高能效電源設計
- VIPERGAN50是意法半導體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓（9 V至23 V）下提供高達50?W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件，VIPERGAN50在自適應間歇工作模式(burstmode) 開(kāi)啟的情況下，待機功耗低于30 mW。此外，該器件的保護功能可提高穩健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨，配有USB-PD供電端口的開(kāi)
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第三代半導體核芯氮化鎵，何時(shí)紅透半邊天？
- 半導體研究隨著(zhù)以空間技術(shù)、計算機為導向的第三次科技革命（1950年）拉開(kāi)帷幕。半導體產(chǎn)業(yè)作為知識技術(shù)高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè)，由上游（半導體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產(chǎn)品）組成。第一代半導體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類(lèi)電子器件、集成電路中廣泛應用。第二代半導體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應用效果不理想，砷化鎵源材料有
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射頻硅基氮化鎵：兩個(gè)世界的最佳選擇
- 當世界繼續努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時(shí)，信息通信技術(shù)的能耗繼續飆升。這些市場(chǎng)需求不僅將5G帶到許多關(guān)鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡(luò )性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規模MIMO（mMIMO）系統的推動(dòng)下，基站無(wú)線(xiàn)電中的半導體器件數量急劇增加，移動(dòng)網(wǎng)絡(luò )運營(yíng)商在降低資本支出和運營(yíng)支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡(luò )的安裝和
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從手機快充到電動(dòng)汽車(chē)，氮化鎵功率半導體潛力無(wú)限
- 近期，蘋(píng)果“爆料大神”郭明錤透露，蘋(píng)果可能年某個(gè)時(shí)候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時(shí)采用新的外觀(guān)設計?！ ∨c三星、小米、OPPO等廠(chǎng)商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋(píng)果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋(píng)果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋(píng)果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價(jià)729元。圖片來(lái)源：蘋(píng)果 如今，蘋(píng)果有望持續加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場(chǎng)有望迎來(lái)高歌猛進(jìn)式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場(chǎng)規模將達1
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氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰
- EETOP編譯整理自techinsights 在處理氮化鎵（GaN）時(shí)，與硅(Si)相比，還有兩個(gè)額外的考慮因素可以?xún)?yōu)化器件性能?！ ∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開(kāi)關(guān)的潛力?！ 〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時(shí)約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K) 雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結周?chē)囊粋€(gè)小區域。漸進(jìn)式的改進(jìn) 雖然不理想，但傳統的硅封裝可以而且已
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氮化鎵集成方案如何提高功率密度
- 氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話(huà)題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電站等設計得以實(shí)施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅動(dòng)更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實(shí)現的性能，使得使用GaN元件進(jìn)行設計時(shí)，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰?！ aN場(chǎng)效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類(lèi)型，并且每種都具有各自的
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不只是充電器！99％的人不知道的事實(shí)：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關(guān)
- 過(guò)去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無(wú)疑為大家帶來(lái)了更快的上網(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時(shí)，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數據傳輸提升10倍以上，延時(shí)更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！ ‘斎?，5G對數據傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠(chǎng)商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進(jìn)最新的氮化鎵技術(shù)，實(shí)現在提高充電器功率的同時(shí)，將體積控制得更小巧?！ 《@里其實(shí)有一個(gè)有趣的事實(shí)： 這項為5G手機帶來(lái)
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氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析
- 根據阿里巴巴達摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預測的第一大趨勢是“以氮化鎵（GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體迎來(lái)應用大爆發(fā)”。達摩院指出，近年來(lái)第三代半導體的性?xún)r(jià)比優(yōu)勢逐漸顯現，正在打開(kāi)應用市場(chǎng)：SiC元件已用作汽車(chē)逆變器，GaN快速充電器也大量上市。半導體材料演進(jìn)圖：資料來(lái)源：Yole, 國盛證券相對于第一代（硅基）半導體，第三代半導體禁帶寬度大，電導率高、熱導率高，其具有臨界擊穿電場(chǎng)高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。氮化鎵（GaN）是最具代表性的第三代半導體材料，成為高溫、高頻、大功
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氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同，為什么選擇的人特別多？
- 氮化鎵充電器頻繁的出現在我們的視線(xiàn)中，那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢？我們一起來(lái)看看?！ 〉壥堑玩壍幕衔?，是一種直接能隙的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的
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拆解報告：全有興65W 2C1A氮化鎵充電器XG65T300
- 全有興65W氮化鎵快充開(kāi)箱充電器采用PC材質(zhì)白色外殼，整體高光亮面處理，邊角過(guò)渡圓潤。機身正面印有芯冠科技的中英文名稱(chēng)。另一面設計有耕源科技中英文名稱(chēng)，正背面這一設計表明了產(chǎn)品是基于芯冠科技和耕源科技的快充方案打造的。機身一側還有充電器相關(guān)參數產(chǎn)品型號：XG65T300輸入：100-240V 50/60Hz 1.5A輸出：65WUSB-A：5V2AUSB-C1/2：5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)了CCC、CE、FCC認證。輸入端外殼兩側加入雙翼設計，使用更加穩定。
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拆解報告：ProMini 130W氮化鎵充電器
- ProMini是香港Magic-Pro旗下品牌，旗下產(chǎn)品包括了快充電池、快充數據線(xiàn)、快充充電器、無(wú)線(xiàn)車(chē)充、旅行充電器、影音周邊等系列產(chǎn)品，并且熱銷(xiāo)海內外，深受用戶(hù)青睞。近日，充電頭網(wǎng)入手了兩款來(lái)自ProMini的百瓦級桌面快充充電站，分別是130W 3C1A快充和200W 4C快充。同時(shí)為了實(shí)現小體積、高效率的設計，兩款產(chǎn)品均應用了第三代半導體氮化鎵技術(shù)，多個(gè)接口以及百瓦級大功率配置，讓這兩款產(chǎn)品可以一次滿(mǎn)足四臺設備的同時(shí)充電的需求，非常適合居家客廳、辦公室等使用場(chǎng)景。今天這篇文章先來(lái)給大家帶來(lái)ProMi
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躋身第三代半導體市場(chǎng) ST助力全球碳中和
- 隨著(zhù)第三代半導體的工藝越來(lái)越成熟和穩定，應用在工業(yè)和電動(dòng)汽車(chē)上的產(chǎn)品也變得多樣化。作為半導體行業(yè)中的佼佼者，意法半導體同樣重視第三代半導體帶來(lái)的優(yōu)勢作用，推出了有關(guān)氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）的一系列產(chǎn)品，有力地推動(dòng)了第三代半導體在電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域上的應用發(fā)展。2022年2月意法半導體召開(kāi)媒體交流會(huì )，介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下，如何通過(guò)創(chuàng )新技術(shù)和推出新的產(chǎn)品系列，為世界控制碳排放做出貢獻?！ {查，工業(yè)領(lǐng)域中將電力利用效率提升1%，就能節約95.6億千瓦時(shí)的能源。這意味著(zhù)節約了
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?氮化鎵介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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