<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì )展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> ?氮化鎵

Transphorm推出TOLL封裝FET,將氮化鎵定位為支持高功率能耗人工智能應用的最佳器件

  • 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 -新世代電力系統的未來(lái)、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領(lǐng)先供應商 Transphorm, Inc.(納斯達克股票代碼:TGAN)近日宣布,推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標準,這意味著(zhù)TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經(jīng)驗證的高壓動(dòng)態(tài)(開(kāi)關(guān))導通電阻可
  • 關(guān)鍵字: Transphorm  氮化鎵  GaN  

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定耐壓最高的單管氮化鎵(GaN)電源IC。該IC采用了1250V的PowiGaN?開(kāi)關(guān)技術(shù)。InnoSwitch?3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒壓/恒流準諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列的最新成員。它具有同步整流和FluxLink?安全隔離反饋功能,并且提供豐富的開(kāi)關(guān)選項,包括725V硅開(kāi)關(guān)、1700V碳化硅開(kāi)關(guān)以及其它衍生出
  • 關(guān)鍵字: Power Integrations  1250V  氮化鎵  開(kāi)關(guān)IC  

巧用這三個(gè)GaN 器件 輕松搞定緊湊型電源設計

  • 緊湊型 100 瓦電源的應用范圍不斷增加,從 AC-DC 充電器和適配器、USB 供電 (PD) 充電器和快速充電(QC) 適配器,到 LED 照明、白色家電、電機驅動(dòng)、智能儀表和工業(yè)系統等。對于這些離線(xiàn)反激式電源的設計者來(lái)說(shuō),面臨的挑戰是如何確保穩健性和可靠性,同時(shí)繼續降低成本,提高效率,縮小外形尺寸以提高功率密度。為了解決其中的許多問(wèn)題,設計者可以用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的器件 (GaN) 來(lái)取代硅 (Si) 功率開(kāi)關(guān)。這樣做直接轉化為提高電源效率和減少對散熱器的需求,從而實(shí)現更高的功率密度。然
  • 關(guān)鍵字: 電源效率  氮化鎵  GaN  電源轉換器設計  

氮化鎵爭奪戰火熱進(jìn)行中,規模超60億元的收購案塵埃落定

  • 今年3月,一場(chǎng)收購案迅速登上氮化鎵(GaN)領(lǐng)域頭條,因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導體市場(chǎng)占有率第一的英飛凌。幾個(gè)月過(guò)去,這場(chǎng)收購案迎來(lái)了結局。10月25日,英飛凌官微指出,英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems,以下同)。該交易已獲得所有必要的監管部門(mén)審批,交易結束后,GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分,并為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應用技術(shù)。市場(chǎng)競爭力再上一層樓2023年3月2日,英飛凌和G
  • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  英飛凌  

英飛凌完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems),成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布完成收購氮化鎵系統公司(GaN Systems,以下同)。這家總部位于加拿大渥太華的公司,為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵?(GaN)?功率轉換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應用技術(shù)。已獲得所有必要的監管部門(mén)審批,交易結束后,GaN Systems?已正式成為英飛凌的組成部分。英飛凌科技首席執行官?Jochen Hanebeck?表示,“氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節能的解決方案掃清了障礙,有助于推動(dòng)低碳化進(jìn)程。收購?GaN Syste
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  氮化鎵系統公司  GaN Systems  氮化鎵  

Transphorm最新技術(shù)白皮書(shū):常閉耗盡型(D-Mode)與增強型(E-Mode)氮化鎵晶體管的優(yōu)勢對比

  • 氮化鎵功率半導體產(chǎn)品的全球領(lǐng)先企業(yè)Transphorm, Inc.近日發(fā)布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢』的最新白皮書(shū)。該技術(shù)文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優(yōu)勢。重要的是,該文章還解釋了e-mode平臺為實(shí)現常閉型解決方案,從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優(yōu)勢。要點(diǎn)白皮書(shū)介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢,包括:1.性能更高:優(yōu)越的 TCR (~25%),更低的動(dòng)態(tài)與靜態(tài)導通電阻比
  • 關(guān)鍵字: Transphorm  常閉耗盡型  D-Mode  增強型  E-Mode  氮化鎵  

SuperGaN使氮化鎵產(chǎn)品更高效

  • 1 專(zhuān)注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN(氮化鎵)功率半導體領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè),致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V( 目前處于開(kāi)發(fā)階段)氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專(zhuān)利,氮化鎵器件為單一業(yè)務(wù)。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業(yè)模式運營(yíng)的上市公司,這意味著(zhù)在器件開(kāi)發(fā)的每個(gè)關(guān)鍵階段,我們均能做到自主可控和創(chuàng )新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝,直至最終氮化鎵場(chǎng)效應晶體管芯片。
  • 關(guān)鍵字: 202310  SuperGaN  氮化鎵  GaN  Transphorm  

AI時(shí)代的數據中心成吃電巨獸,氮化鎵會(huì )是能效救星嗎?

  • 數位經(jīng)濟正經(jīng)歷一場(chǎng)由兩大趨勢驅動(dòng)的巨大變革,即時(shí)數據分析的龐大需求為其一,另一則是生成式人工智能(Generative AI)的快速發(fā)展。一場(chǎng)激烈的生成式AI競賽正如火如荼的進(jìn)行中,科技巨頭如亞馬遜(Amazon)、谷歌(Google)、微軟(Microsoft)皆大舉投資生成式AI的研發(fā)創(chuàng )新。根據彭博智庫(Bloomberg Intelligence)預測,生成式AI市場(chǎng)將以42%的年增率成長(cháng),從2022年400億美元市值,于10年內擴大至1.3兆美元。在A(yíng)I的蓬勃發(fā)展下,數據中心對電力與運算的
  • 關(guān)鍵字: AI  數據中心  氮化鎵  

氮化鎵在采用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率

  • 幾乎所有現代工業(yè)系統都涉及交流/直流電源,這些系統從交流電網(wǎng)獲得能量,并將經(jīng)過(guò)妥善調節的直流電壓輸送到電氣設備。隨著(zhù)全球功耗增加,交流/直流電源轉換過(guò)程中的相關(guān)能量損耗,成為電源設計人員整體能源成本考慮的重要部份,特別是高耗電電信和服務(wù)器應用的設計人員。 氮化鎵有助于提高能效并減少交流/直流電源的損耗,進(jìn)而有助于降低終端應用的擁有成本。例如,透過(guò)最低 0.8% 的效率增益,采用氮化鎵的圖騰柱功率因子校正(PFC)有助于100 MW數據中心在10年內節省多達700萬(wàn)美元的能源成本。 選擇正確的 PFC 級拓
  • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  圖騰柱  PFC  電源設計  

GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

  • 全球氮化鎵功率半導體領(lǐng)導廠(chǎng)商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform),不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿,更提供顯著(zhù)的性能表現優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務(wù)器電源供應器來(lái)看,改采用最新第四代平臺,不僅效率超過(guò)鈦金級能效標準,功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
  • 關(guān)鍵字: GaN Systems  氮化鎵  

如何有效利用氮化鎵提高晶體管的應用?

  • 如今,越來(lái)越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。如今,越來(lái)越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降低工作溫度。晶體管,無(wú)論是由硅還是氮化鎵制成,都不是理想的器件,有兩個(gè)主要因素導致其效率下降(在簡(jiǎn)化模型中):一個(gè)是串聯(lián)電阻,稱(chēng)為 RDS(ON),另一個(gè)是并聯(lián)電容器稱(chēng)為 C
  • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  晶體管  

中國宣布出口限制之后,美國如何采購鎵?

GaN Systems 與上海安世博能源科技結盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車(chē)應用市場(chǎng)

  • 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領(lǐng)導廠(chǎng)商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟,共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動(dòng)車(chē)應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導廠(chǎng)商,擁有完整電源供應器、電動(dòng)車(chē)充電模塊及車(chē)載充電器產(chǎn)品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車(chē)用領(lǐng)域所累積的應用實(shí)績(jì),與安世博能源科技在高功率電源系統設計及批量生產(chǎn)的卓越能力,此次策略合作將為中國電動(dòng)車(chē)行業(yè)帶來(lái)突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實(shí)現下世代電動(dòng)車(chē)對尺寸微縮、輕
  • 關(guān)鍵字: GaN Systems  安世博  氮化鎵  電動(dòng)車(chē)  

意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件,讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節能

  • 2023年8月3日,中國 -意法半導體宣布已開(kāi)始量產(chǎn)能夠簡(jiǎn)化高效功率轉換系統設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車(chē)電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關(guān)G-HEMT? 晶體管,采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝,額定電流分別為15A和25A,在25°C時(shí)的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  PowerGaN  氮化鎵  GaN  

集成一顆“大腦”的ST-ONEHP數字控制器

  • 日前,在MWC上海2023上意法半導體為我們帶來(lái)了各個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品及應用,在眼花繚亂的展品中,這次我們重點(diǎn)來(lái)講講這個(gè)“小東西”——ST-ONEHP數字控制器。數字控制器有哪些好處?對于高功率充電器和適配器我們早已不陌生,ST-ONEHP的內部集成了多顆控制芯片,包括初級的PWM控制器,次級的同步整流控制器以及USB-PD協(xié)議芯片,在其次級集成了一顆ARM Cortex M0+的芯片,因此得名數字控制器。數字控制器有哪些好處?第一,在控制上面,研發(fā)工程師在使用芯片的時(shí)候,可以通過(guò)電腦的UI直接操控這個(gè)芯片,開(kāi)
  • 關(guān)鍵字: 意法半導體  ST  數字控制器  適配器  氮化鎵  
共189條 5/13 |‹ « 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 » ›|

?氮化鎵介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條?氮化鎵!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對?氮化鎵的理解,并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。    創(chuàng )建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>