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?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區
EPC新推150V封裝兼容的氮化鎵器件，讓高功率密度應用實(shí)現靈活設計
- 宜普電源轉換公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，讓高功率密度應用實(shí)現更高的性能和更小的解決方案，包括DC/DC轉換、AC/DC SMPS和充電器、太陽(yáng)能優(yōu)化器和微型逆變器，以及電機驅動(dòng)器。?EPC 是增強型氮化鎵(eGaN?)功率FET和 IC 領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者，新推采用更耐熱的QFN封裝且可立即發(fā)貨的150 V EPC2308氮化鎵器件，用于電動(dòng)工具和機器人的電機驅動(dòng)器、用于工業(yè)應用的80 V/100 V高功率密度DC/DC轉換器、用于充電器、適配器和電源供
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能華推出高可靠性65W氮化鎵筆電適配器方案
- 前言 最近充電頭網(wǎng)拿到了一款基于能華CE65H160TOAI氮化鎵功率器件的65W筆電適配器方案樣品，該方案是為配合工信部國產(chǎn)替代政策而設計?！ ≡摲桨覆捎媚贪咨耐鈿?，方形，給人簡(jiǎn)約時(shí)尚感覺(jué)；其內部采用卡扣散熱設計方案，裝配緊湊牢固、安裝方式簡(jiǎn)單，免除其它散熱方案所需要的生產(chǎn)夾具，降低生產(chǎn)成本，利于規?；纳a(chǎn)制造；再加上能華的低熱阻封裝TO-220的CoreGaN產(chǎn)品，使得系統的熱可靠性大為提高，已經(jīng)通過(guò)了環(huán)溫40°下的嚴苛可靠性測試。下面就隨小編來(lái)詳細了解該方案?！ ∧苋A65W快充外觀(guān) 能華
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友尚新推采用安森美NCP1345搭配氮化鎵系統的65瓦PD電源方案_大幅精簡(jiǎn)線(xiàn)路與提高功率密度
- NCP1345是次世代高度集成的準共振Flyback, 適用于設計高性能電源轉換器為了單純adapter 或 adapter with USB-PD (type?C or type-A) , 或 openframe 等電源轉換器, 包括雙 VCC 架構, 允許直接連接到輔助繞組, 以進(jìn)行簡(jiǎn)化 VCC 管理零件計數減少并增加性能。CP1345 還具有精確的基于主要一次側的輸出限制電路，以確保恒定輸出電流限制,無(wú)論設計輸出電壓或輸出功率如何。準共振 (QR）專(zhuān)有波谷鎖定電路，以確保穩定的波谷切換,當下降到第6
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動(dòng)器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì )導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì )影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(cháng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開(kāi)關(guān)的器
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
- 硅材料制作的功率器件，也被稱(chēng)為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應用。氮化鎵（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成為第三代半導體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更低的導通壓降，轉換效率高，也更適應高溫工作環(huán)境。與硅材料和SiC相比，GaN材料電子飽和漂移速率更高，適合高頻率應用場(chǎng)景，因而在電力電子應用中，GaN器件可以在MHz以上頻率工作，大大減小了對外圍電路中電
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第三代半導體擴產(chǎn)，硅的時(shí)代要結束了嗎
- 半導體寒氣襲人知誰(shuí)暖？芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè)，三星半導體部門(mén)負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷(xiāo)售大幅下滑態(tài)勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長(cháng)率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個(gè)月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時(shí)，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來(lái)市場(chǎng)倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后，就將其2022年碳化硅營(yíng)收預期上調為“同比增長(cháng)3倍”，而
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hofer powertrain和VisIC Technologies宣布新一代氮化鎵電力電子元件
- hofer powertrain為新一代電動(dòng)汽車(chē)傳動(dòng)系統奠定基礎。德國動(dòng)力系統專(zhuān)家hofer powertrain選擇前瞻性芯片技術(shù)，通過(guò)汽車(chē)領(lǐng)域氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)導者VisIC Technologies公司提供最新氮化鎵芯片技術(shù)D3GaN（直驅D型）實(shí)現新的多級電力電子元件。新解決方案在效率和功率密度方面超過(guò)硅基技術(shù)的性能，最近的測試證明了它的成功。氮化鎵半導體是提高效率、增加電動(dòng)汽車(chē)行駛里程和壽命的關(guān)鍵。hofer powertrain和VisIC Technologies的目標是開(kāi)發(fā)基于氮化鎵的
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飛宏新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)汽車(chē)充電站供應商飛宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD適配器采用了該公司的氮化鎵技術(shù)。這款適配器采用Transphorm的SuperGaN?第四代技術(shù)，這是一種氮化鎵場(chǎng)效應管(FET)平臺，具有以下優(yōu)點(diǎn)：系統設計簡(jiǎn)單，元件數量少，性能更高，可靠性一流。飛宏的65W適配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配備兩個(gè)US
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功率半導體組件的主流爭霸戰
- 功率半導體組件與電源、電力控制應用有關(guān)，特點(diǎn)是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來(lái)，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類(lèi)半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點(diǎn)高功率組件應用研發(fā)聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)林若蓁博士（現職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長(cháng)）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場(chǎng)效晶體管）與IGBT（絕緣
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比銀行卡還要小的多，智融推出65W 3C口超薄氮化鎵快充方案
- 前言65W氮化鎵充電器能夠為手機和電腦提供理想的快充體驗，同時(shí)不需要PFC，從成本和體積上都很有優(yōu)勢，是工廠(chǎng)和消費者選擇的主力產(chǎn)品。隨著(zhù)近年來(lái)平面變壓器技術(shù)的成熟，通過(guò)使用平面變壓器取代傳統繞線(xiàn)變壓器，充電器從常規的方塊形態(tài)進(jìn)化成為餅干形態(tài)，更加便于攜帶。智融科技推出了多款可用于氮化鎵充電器的協(xié)議降壓二合一芯片，在車(chē)充和氮化鎵快充中應用非常廣泛。智融推出了用于氮化鎵開(kāi)關(guān)管的初級主控芯片SW1106，支持直驅增強型氮化鎵開(kāi)關(guān)管，進(jìn)一步完善氮化鎵快充產(chǎn)品線(xiàn)，致力于推出一站式氮化鎵快充電源解決方案。充電頭網(wǎng)已經(jīng)
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Transphorm推出參考設計組合，加快USB-C PD氮化鎵電源適配器的開(kāi)發(fā)
- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產(chǎn)品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc.?近日宣布推出七款參考設計，旨在加快基于氮化鎵的USB-C PD電源適配器的研發(fā)。該參考設計組合包括廣泛的開(kāi)放式框架設計選項，覆蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W）。SuperGaN?技術(shù)的差異化優(yōu)勢?電源適配器參考設計采用SuperGaN第IV代650V FET，具有設計簡(jiǎn)單、可靠性高和性能強勁的優(yōu)勢，這些特點(diǎn)已經(jīng)成為T(mén)ransphorm氮化鎵器件的代名詞。在最近的對比分析中，與1
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氮化鎵集成電路縮小電動(dòng)自行車(chē)和無(wú)人機的電機驅動(dòng)器
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設計EPC9173無(wú)論是在尺寸、性能、續航里程、精度和扭矩方面，優(yōu)化了電機系統且簡(jiǎn)化設計和加快產(chǎn)品推出市場(chǎng)的時(shí)間。我們可以把這種微型逆變器放進(jìn)電機外殼中，從而把電磁干擾減到最小、實(shí)現最高的功率密度和最輕的重量。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相無(wú)刷直流電機驅動(dòng)逆變器，采用具備嵌入式柵極驅動(dòng)器功能的EPC23101 eGaN?集成電路和一個(gè)3.3 mΩ導通電阻的浮動(dòng)功率氮化鎵場(chǎng)效應晶體管。EPC9173在20 V和85 V之間的輸入電源電壓下工作，峰值電
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EPC新推最小型化的40V、1.1m?場(chǎng)效應晶體管,可實(shí)現最高功率密度
- 宜普電源轉換公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化鎵場(chǎng)效應晶體管（EPC2066），為設計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應用。全球行業(yè)領(lǐng)先供應商宜普電源轉換公司 為業(yè)界提供增強型氮化鎵（eGaN?）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路，新推40 V、典型值為0.8 mΩ的EPC2066氮化鎵場(chǎng)效應晶體管，為客戶(hù)提供更多可選的低壓氮化鎵晶體管和可以立即發(fā)貨。EPC2066的低損耗和小尺寸使其成為用于最新服務(wù)器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
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Power Integrations的InnoSwitch4-CZ系列高集成度開(kāi)關(guān)IC已擴展至220W
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch?4-CZ系列高頻率、零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式開(kāi)關(guān)IC再添新品。當與Power Integrations的ClampZero?有源鉗位IC或者最近發(fā)布的HiperPFS?-5氮化鎵功率因數校正IC搭配使用時(shí)，新IC可輕松符合最新的USB PD 3.1標準，設計出高達220W的適配器和充電器?！吧虅?wù)旅行者需要輕便、緊湊、強大的適配器，能夠為他們所有的重要設備快速充電。新型InnoSwitch4-C
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車(chē)規氮化鎵功率模塊達成合作
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布與國際著(zhù)名的為汽車(chē)行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車(chē)規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(cháng)期保持著(zhù)緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標是共同開(kāi)發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(chē)(EV)上的應用。隨著(zhù)客運車(chē)輛日益電氣化，市場(chǎng)對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來(lái)越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaN FET)與創(chuàng )新型封裝技術(shù)相結合，可以滿(mǎn)
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 氮化鎵 功率模塊
?氮化鎵介紹
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對?氮化鎵的理解，并與今后在此搜索?氮化鎵的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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