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?氮化鎵 文章 進(jìn)入?氮化鎵技術(shù)社區
英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN?功率模塊，進(jìn)一步擴大其氮化鎵功率產(chǎn)品組合
- 隨著(zhù)AI數據中心的快速發(fā)展、電動(dòng)汽車(chē)的日益普及，以及全球數字化和再工業(yè)化趨勢的持續，預計全球對電力的需求將會(huì )快速增長(cháng)。為應對這一挑戰，英飛凌科技股份公司近日推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊，進(jìn)一步擴大其持續壯大的氮化鎵（GaN）功率產(chǎn)品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺，專(zhuān)為數據中心、可再生能源系統、直流電動(dòng)汽車(chē)充電樁等大功率應用開(kāi)發(fā)。它能滿(mǎn)足日益增長(cháng)的高性能需求，提供更大的易用性，幫助客戶(hù)加快設計進(jìn)程，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。英飛凌EasyPACK?英飛凌科技
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現單片集成雙向開(kāi)關(guān)
- 氮化鎵（GaN）單片雙向開(kāi)關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導通，反向電流需依賴(lài)體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現第三象限傳導。這種被動(dòng)式反向導通不僅缺乏門(mén)極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實(shí)現雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統復雜度。由于有效的州電阻（RDSON）加倍，因此需要這些設備的平行組，以使返回到使用單向開(kāi)關(guān)獲得的值?？梢詧绦写祟?lèi)四季度操作的單片設備可以通過(guò)用單個(gè)設備替換四個(gè)活
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桌面收納好幫手，用電安全再升級，航嘉充吧靈動(dòng) H67評測
- 航嘉深耕電源領(lǐng)域30余年，始終以技術(shù)創(chuàng )新與安全標準引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。此前航嘉推出的充吧產(chǎn)品持續迭代，如充吧高能 W68，以 68W 雙 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技術(shù)，成為桌面充電領(lǐng)域的經(jīng)典。該產(chǎn)品采用第三代氮化鎵技術(shù)，體積縮減 40% 的同時(shí)實(shí)現 68W 高效輸出，搭配雙 C 口盲插功能與 10 重電路防護，完美適配筆記本、手機、平板等多設備快充需求。如今，面對用戶(hù)對更便攜的高功率用電的需求，航嘉推出全新充吧靈動(dòng) H67，以 67W GaN 快充與七口聚合設計（3AC+
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意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
- ●? ?雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，致力于為AI數據中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)●? ?英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自?xún)?yōu)
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九峰山實(shí)驗室推出全國首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺
- 近日，九峰山實(shí)驗室發(fā)布國內首個(gè)100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領(lǐng)先、國際一流水平。作為全球第二個(gè)、國內首個(gè)商用方案，其技術(shù)指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛星通信，能夠滿(mǎn)足下一代移動(dòng)通信、商用衛星通信與航天領(lǐng)域、車(chē)聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機終端等多領(lǐng)域對高頻、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動(dòng)我國相關(guān)領(lǐng)域器件從“進(jìn)口替代”邁向“技術(shù)輸出”。PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是半導體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設計者提供工藝參數、器件模型、設計規
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拆解報告：航嘉40W氮化鎵快充充電器
- 本期充電頭網(wǎng)繼續為大家帶來(lái)航嘉靈動(dòng)F40 Pro 40W氮化鎵快速充電器的拆解，這款產(chǎn)品基于此前經(jīng)典G35 Pro款進(jìn)行設計，除新增可折疊插腳設計外，外觀(guān)以及大小等基本沒(méi)有變化，不過(guò)功率提升至40W，并且還支持20W+20W輸出，可以滿(mǎn)足兩部iPhone 16新機快充需求。下面一起來(lái)看看產(chǎn)品內部有何不同。此前充電頭網(wǎng)還拆解過(guò)航嘉20W安全快充充電器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化鎵雙認證安全快充、航嘉65W 1A1C氮化鎵快充充電器等產(chǎn)品，歡迎查閱。航嘉靈動(dòng)F40 Pro安全快充開(kāi)箱包裝盒正面印
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氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市
- 據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。據了解，英諾賽科是一家專(zhuān)注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車(chē)電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng )聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認
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羅姆、臺積電就車(chē)載氮化鎵 GaN 功率器件達成戰略合作伙伴關(guān)系
- 12 月 12 日消息，日本半導體制造商羅姆 ROHM 當地時(shí)間本月 10 日宣布同臺積電就車(chē)載氮化鎵 GaN 功率器件的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰略合作伙伴關(guān)系。羅姆此前已于 2023 年采用臺積電的 650V?氮化鎵 HEMT（注：高電子遷移率晶體管）工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。羅姆、臺積電雙方將致力于把羅姆的氮化鎵器件開(kāi)發(fā)技術(shù)與臺積電業(yè)界先進(jìn)的 GaN-on-Silicon（硅基氮化鎵）工藝技術(shù)優(yōu)勢結合起來(lái)，滿(mǎn)足市場(chǎng)對高耐壓和高頻特性?xún)?yōu)異的功率器件日益增長(cháng)的需求。臺積電在新聞稿中提到，
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發(fā)力氮化鎵，格芯獲巨額補貼
- 12月4日，據GlobalFoundries（格芯）官網(wǎng)消息，其又從美國政府獲得了950萬(wàn)美元（折合人民幣約6900萬(wàn)元）的聯(lián)邦資助，用于推進(jìn)其位于美國佛蒙特州埃塞克斯交界的工廠(chǎng)的硅基氮化鎵（GaN）半導體的生產(chǎn)。據介紹，這筆資金由美國國防部可信接入項目辦公室（TAPO）提供，是美國聯(lián)邦政府為支持格芯在佛蒙特州的氮化鎵項目而投入的最新資金。獲得這筆資金后，格芯將繼續為其氮化鎵IP產(chǎn)品組合和可靠性測試增加新的工具、設備和原型開(kāi)發(fā)能力，其將更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化鎵芯片。據悉，自2020年以來(lái)，包括
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氮化鎵的未來(lái)：IDM 還是 Fabless
- 今年十月份，日本功率器件大廠(chǎng)羅姆半導體（ROHM）公開(kāi)表示，將在氮化鎵功率半導體領(lǐng)域加強與臺積電合作，公司旗下的氮化鎵（GaN）產(chǎn)品將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。值得注意的是，羅姆之前主要利用內部工廠(chǎng)來(lái)生產(chǎn)相關(guān)器件，但是近年來(lái)已經(jīng)開(kāi)始將部分產(chǎn)品委托臺積電代工，只不過(guò)羅姆此前并未對外公布。而此次，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運用于廣泛用途的 650V 耐壓產(chǎn)品，借由活用外部資源，應對急增的需求，擴大業(yè)務(wù)規模。有分析認為，羅姆全面委托臺積電代工氮化鎵產(chǎn)品，旨在降低成本。畢竟，氮化鎵材料雖然性能優(yōu)越，但成本一直
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英飛凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化鎵功率分立器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出新型高壓分立器件系列CoolGaN? 650 V G5晶體管，該系列進(jìn)一步豐富了英飛凌氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該新產(chǎn)品系列的適用范圍廣泛，包括USB-C適配器和充電器、照明、電視、數據中心、電信整流器等消費和工業(yè)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、可再生能源，以及家用電器中的電機驅動(dòng)器。最新一代CoolGaN?晶體管可直接替代CoolGaN? 600 V G1晶體管，實(shí)現了現有平臺的快速重新設計。新器件改進(jìn)了性能指標，確保為重點(diǎn)應用帶來(lái)具有競爭力的開(kāi)關(guān)性能。與主要同類(lèi)產(chǎn)品和英飛凌之前的產(chǎn)
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敢想敢做，PI推出業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC
- 1932年，研究人員在George Herbert Jones實(shí)驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進(jìn)行反應，成功合成了GaN材料。近一個(gè)世紀的時(shí)間里，氮化鎵逐漸引領(lǐng)著(zhù)功率變換領(lǐng)域的新一輪變革。特別是Power Integrations公司近日推出的業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC——InnoMux?-2系列產(chǎn)品，不僅刷新了氮化鎵技術(shù)的耐壓紀錄，更是以其卓越的性能和廣泛的應用前景，成為了電源管理領(lǐng)域的遙遙領(lǐng)先者。 氮化鎵逐漸成為王者 最佳開(kāi)關(guān)電源技術(shù)覆蓋從十瓦至一兆瓦的廣泛
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Power Integrations推出1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC，為氮化鎵技術(shù)樹(shù)立新標桿
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux?-2系列單級、獨立調整多路輸出離線(xiàn)式電源IC的新成員。新器件采用公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)制造而成，是業(yè)界首款1700V氮化鎵開(kāi)關(guān)IC。1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平，此前的業(yè)界首創(chuàng )產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設計中輕松支持1000VDC額定輸入電壓，并在需要一個(gè)、兩個(gè)或三
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德州儀器日本會(huì )津工廠(chǎng)開(kāi)始生產(chǎn)GaN芯片，自有產(chǎn)能將提升四倍
- 自德州儀器官網(wǎng)獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開(kāi)始在日本會(huì )津工廠(chǎng)生產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著(zhù)會(huì )津工廠(chǎng)的投產(chǎn)，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術(shù)與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經(jīng)驗后，TI成功地將200mm GaN技術(shù)（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會(huì )津工廠(chǎng)的量產(chǎn)。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規模，產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
- 新聞亮點(diǎn)：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個(gè)工廠(chǎng)的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類(lèi)齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?！? ?德州儀器已成功開(kāi)展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點(diǎn)項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會(huì )津工廠(chǎng)開(kāi)始投產(chǎn)。隨著(zhù)會(huì )津工廠(chǎng)投產(chǎn)，
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?氮化鎵介紹
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