意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議

●   雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議，致力于為AI數據中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)

●   英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導體可借助英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能

服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科，共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自?xún)?yōu)勢，提升氮化鎵功率解決方案的競爭力和供應鏈韌性。

根據協(xié)議，雙方將合作推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃，并在未來(lái)幾年內共同推動(dòng)該技術(shù)在消費電子、數據中心、汽車(chē)、工業(yè)電源系統等領(lǐng)域得到廣泛應用的光明前景。此外，根據協(xié)議約定，英諾賽科可借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導體也可借助英諾賽科在中國的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。雙方共同的目標是依托這種靈活的供應鏈布局，拓展各自的氮化鎵產(chǎn)品組合和市場(chǎng)供應能力，提升供應鏈韌性，從而滿(mǎn)足更廣泛的應用場(chǎng)景下的各種客戶(hù)需求。

意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產(chǎn)品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發(fā)揮IDM這一模式的優(yōu)勢，為全球客戶(hù)創(chuàng )造價(jià)值。一方面，意法半導體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署，進(jìn)一步完善現有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合；另一方面，意法半導體也將通過(guò)靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶(hù)?！?/p>

英諾賽科董事長(cháng)兼創(chuàng )始人駱薇薇博士表示：“氮化鎵技術(shù)對實(shí)現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關(guān)重要。英諾賽科率先實(shí)現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場(chǎng)。我們對于與意法半導體達成戰略合作感到非常振奮。此次與意法半導體的戰略合作將進(jìn)一步擴大和加速氮化鎵技術(shù)普及，雙方團隊將共同致力于開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)?！?/p>

氮化鎵功率器件憑借其材料特性，為電源轉換、運動(dòng)控制與驅動(dòng)系統樹(shù)立了性能新標桿，可顯著(zhù)降低能耗、提升效率、縮小體積并減輕重量，從而降低整體方案的成本與碳足跡。目前，氮化鎵功率器件已在消費電子、數據中心、工業(yè)電源與光伏逆變器領(lǐng)域迅速普及，并因其顯著(zhù)的輕量化優(yōu)勢，被積極應用于下一代電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統設計中。