九峰山實(shí)驗室推出全國首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺

近日，九峰山實(shí)驗室發(fā)布國內首個(gè)100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），性能指標達到國內領(lǐng)先、國際一流水平。

作為全球第二個(gè)、國內首個(gè)商用方案，其技術(shù)指標可支撐高通量Ku/Ka頻段低軌衛星通信，能夠滿(mǎn)足下一代移動(dòng)通信、商用衛星通信與航天領(lǐng)域、車(chē)聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機終端等多領(lǐng)域對高頻、高功率、高效率氮化鎵器件的需求，推動(dòng)我國相關(guān)領(lǐng)域器件從“進(jìn)口替代”邁向“技術(shù)輸出”。

PDK（Process Design Kit，工藝設計套件）是半導體制造中不可或缺的工具包。它為芯片設計者提供工藝參數、器件模型、設計規則等關(guān)鍵信息，快速實(shí)現從電路設計到實(shí)際制造的轉化，是連接芯片設計與制造的“橋梁”。

近年來(lái)，隨著(zhù)人們對高速率、低延遲通信需求的急劇增長(cháng)，通信技術(shù)正經(jīng)歷著(zhù)快速迭代。在這一背景下，市場(chǎng)對高性能氮化鎵（GaN）器件的需求顯著(zhù)提升。其中硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)憑借其高效率、高功率和高頻率的優(yōu)異性能，同時(shí)兼具硅基大尺寸、低成本的優(yōu)勢，成為高頻高通量通信領(lǐng)域（如商用衛星通信）最具潛力的主流解決方案之一，也是全球各國競相爭奪的技術(shù)高地。

九峰山實(shí)驗室發(fā)布的這款PDK是國內首個(gè)100 nm硅基氮化鎵商用工藝設計套（PDK），已獲得多項自主知識產(chǎn)權。其核心技術(shù)優(yōu)勢體現在：

1、跨代際開(kāi)發(fā)

為滿(mǎn)足高通量衛星通信等場(chǎng)景對更高傳輸速率和更大帶寬的需求，跳過(guò)150 nm以下節點(diǎn)，采用100 nm柵長(cháng)技術(shù)，顯著(zhù)提升器件的截止頻率，使其能夠覆蓋DC到Ka波段的毫米波頻段應用。

2、高性能

通過(guò)外延和器件結構設計，有效降低電流崩塌，減小接觸電阻，提高器件效率，這一系列技術(shù)突破使應用終端在功耗和功率密度方面得到顯著(zhù)提升。

3、低成本

硅基氮化鎵技術(shù)既結合了氮化鎵材料的高頻、高功率和高效率性能優(yōu)勢，又兼具硅基價(jià)格優(yōu)勢，未來(lái)，該技術(shù)可向8寸及以上大尺寸拓展，與CMOS工藝兼容，實(shí)現成本的進(jìn)一步降低。