氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

據英諾賽科官微消息，12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾賽科”）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

據了解，英諾賽科是一家專(zhuān)注于第三代半導體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等，可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車(chē)電子、新能源與工業(yè)等領(lǐng)域。

據悉，英諾賽科此番戰略配售，吸引了包括意法半導體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng )聯(lián)以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者，合共認購了1億美元的發(fā)售股份，其中意法半導體認購半數。

根據計劃，英諾賽科擬將約60%的募資資金所得款凈額用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買(mǎi)及升級生產(chǎn)設備及機器以及招聘生產(chǎn)人員，計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來(lái)五年的每月70000片晶圓。另外，募資資金所得款凈額約20%將用于研發(fā)和擴大氮化鎵產(chǎn)品組合，進(jìn)一步提高終端市場(chǎng)中氮化鎵產(chǎn)品的滲透率；約10%用于擴大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷(xiāo)網(wǎng)絡(luò )；約10%用于營(yíng)運資金及其他一般企業(yè)用途。