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非互補有源鉗位可實(shí)現超高功率密度反激式電源設計
- 離線(xiàn)反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時(shí)稱(chēng)為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無(wú)源網(wǎng)絡(luò )可以有效地實(shí)現電壓鉗位，但在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì )降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對鉗位和功率開(kāi)關(guān)采用互補驅動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì )對電源的工作模式帶來(lái)限制（例如，無(wú)法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來(lái)的設計限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補有源鉗位。該技術(shù)可確保以
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擴展新應用領(lǐng)域，PI推出首款汽車(chē)級開(kāi)關(guān)電源IC
- 2022年2月15日，Power Integrations召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級高壓開(kāi)關(guān)IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產(chǎn)品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開(kāi)關(guān)MOSFET的汽車(chē)級開(kāi)關(guān)電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車(chē)，以及電動(dòng)巴士、卡車(chē)和各種工業(yè)電源應用。在A(yíng)CDC消費類(lèi)應用中積累了深厚經(jīng)驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的ACDC應用上
- 關(guān)鍵字： PI MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) ACDC 開(kāi)關(guān)電源
英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET
- 高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱(chēng)SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內領(lǐng)先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機驅
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Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車(chē)級高壓開(kāi)關(guān)IC
- InnoSwitch3產(chǎn)品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著(zhù)減少元件數量，還可大幅提高電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應用的效率
- 關(guān)鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動(dòng)汽車(chē) 牽引逆變器
大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優(yōu)化
- 電池供電電機控制方案為設計人員帶來(lái)多項挑戰，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時(shí)的工作；現在，應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時(shí)間。
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ROHM開(kāi)發(fā)出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業(yè)設備領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來(lái)，家電和工業(yè)設備領(lǐng)域的AC/DC轉換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構建電源系統。其
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ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運行保駕護航
- 一、復雜的電子環(huán)境汽車(chē)、工業(yè)和航空電子設備所處的供電環(huán)境非常復雜，在這種惡劣的供電環(huán)境中運行，需要具備對抗各種浪涌傷害的能力。以汽車(chē)電子系統供電應用為例，該系統不但需要滿(mǎn)足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩定的電池電壓，具有一定挑戰性；與車(chē)輛電池連接的電子和機械系統的差異性，也可能導致標稱(chēng)12 V電源出現大幅電壓偏移。事實(shí)上，在一定時(shí)間段內，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。這種很高的瞬態(tài)電壓在汽車(chē)和工業(yè)系統是常見(jiàn)的，可以持久從微秒到幾百毫秒，
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使用氮化鎵(GaN)提高電源效率
- 如今，越來(lái)越多的設計者在各種應用中使用基于氮化鎵的反激式ac/dc電源。氮化鎵之所以很重要，是由于其有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源尺寸，降低工作溫度。晶體管無(wú)論是由硅還是由氮化鎵制成，都不是理想的器件，使其效率下降的兩個(gè)主要因素（在一個(gè)簡(jiǎn)化模型中）：一個(gè)是串聯(lián)阻抗，稱(chēng)為rds(on)，另一個(gè)是并聯(lián)電容，稱(chēng)為coss。這兩個(gè)晶體管參數限制了電源的性能。氮化鎵是一種新技術(shù)，設計者可以用它來(lái)降低由于晶體管特性的不同而對電源性能產(chǎn)生的影響。在所有晶體管中，隨著(zhù)rds(on)的減小，管芯尺寸會(huì )增加，這會(huì )導
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意法半導體推出第三代碳化硅產(chǎn)品，推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)應用未來(lái)發(fā)展
- ※? ?意法半導體最新一代碳化硅 (SiC) 功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應用※? ?持續長(cháng)期投資 SiC市場(chǎng)，意法半導體迎接未來(lái)增長(cháng)服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域的全球半導體領(lǐng)導者意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶體管[1]，推進(jìn)在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統功率設備的前沿應用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標的場(chǎng)景應用。作為 Si
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CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器，并以此體現其所建立的合作伙伴關(guān)系
- 高溫半導體和功率模塊方面的領(lǐng)導性企業(yè)CISSOID 公司，與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車(chē)超快速和超高安全性實(shí)時(shí)控制提供現場(chǎng)可編程控制器單元（FPCU）半導體架構的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布： Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅（SiC） 智能功率模塊（IPM）平臺實(shí)現了集成，雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺將加速用于電動(dòng)汽車(chē)電機驅動(dòng)的緊湊型高效碳化硅逆變器的開(kāi)發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個(gè)碳化硅逆變器的模塊化平臺，從而提供高
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安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務(wù)器和電信
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿(mǎn)足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領(lǐng)先同類(lèi)的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的門(mén)極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務(wù)器和電信系統是
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