安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列，應用于服務(wù)器和電信
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領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，近日發(fā)布新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿(mǎn)足嚴苛的能效規定，如80 PLUS Titanium，尤其是在極具挑戰性的10%負載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可在各種不同的應用和拓撲結構中提供領(lǐng)先同類(lèi)的性能。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202112/430188.htm600 V SUPERFET V系列提供出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的門(mén)極噪聲，從而降低電磁干擾（EMI），這對服務(wù)器和電信系統是個(gè)顯著(zhù)的好處。此外，強固的體二極管和較高的VGSS（DC ±30 V）增強了系統可靠性。
安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說(shuō)：“80 Plus Titanium認證以應對氣候變化為目標，要求服務(wù)器和數據存儲硬件在10%負載條件下的電源能效水平達90%，在處理50%負載時(shí)的能效達96%。我們的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在滿(mǎn)足這些要求，提供強固的方案，確保持續的系統可靠性?！?/p>
FAST版本在硬開(kāi)關(guān)拓撲結構（如高端PFC）中提供極高能效，并經(jīng)過(guò)優(yōu)化以提供更低的門(mén)極電荷（Qg）和EOSS損耗，實(shí)現快速開(kāi)關(guān)。該版本的最初器件包括NTNL041N60S5H（41 mΩ RDS(on)）和NTHL185N60S5H（185 mΩ RDS(on)），都采用TO-247封裝。NTP185N60S5H則采用TO-220封裝，NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封裝，保證達到濕度敏感等級MSL 1，并具有開(kāi)爾文(Kelvin)源架構以改善門(mén)極噪聲和開(kāi)關(guān)損耗。
Easy Drive版本適用于硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓撲結構，包含一個(gè)內置門(mén)極電阻（Rg）及經(jīng)優(yōu)化的內置電容。它們適用于許多應用中的一般用途，包括PFC和LLC。在這些器件中，門(mén)極和源極之間的內置齊納二極管的RDS(on) 超過(guò)120 mΩ，對門(mén)極氧化物的應力更小，ESD耐用性更高，從而提高封裝產(chǎn)量，降低不良率。目前供應的兩款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)為99 mΩ和120 mΩ，均采用TO-247封裝。
快速恢復（FRFET）版本適用于軟開(kāi)關(guān)拓撲結構，如移相全橋（PSFB）和LLC。它們的優(yōu)勢是快速體二極管，并提供降低的Qrr和Trr 。強固的二極管耐用性確保更高的系統可靠性。內置齊納二極管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)為125 mΩ，采用TO-220封裝，而NTMT061N60S5F 的RDS(on)為61 mΩ，采用Power88封裝。損耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS(on)僅19 mΩ，采用TO-247封裝。
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