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gan 文章 進(jìn)入 gan技術(shù)社區
面向新基建的GaN技術(shù)
- 新基建涵蓋了廣泛的領(lǐng)域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個(gè)挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關(guān)TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的各類(lèi)應用。TI GaN在一個(gè)封裝中集成高速柵極驅動(dòng)器和保護功能，可提供優(yōu)異的開(kāi)關(guān)速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動(dòng)器、電網(wǎng)基礎設施和汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： OBC GaN 202009
電源設計，進(jìn)無(wú)止境
- 5 推動(dòng)電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開(kāi)發(fā)新的工藝、封裝和電路設計技術(shù)，從而為您的應用提供性能出色的器件。無(wú)論您是需要提高功率密度、延長(cháng)電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器 (TI)：與您攜手推動(dòng)電源進(jìn)一步發(fā)展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實(shí)現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能2? ?低 IQ在不影響
- 關(guān)鍵字： QFN EMI GaN MCM
e絡(luò )盟發(fā)布新一期人工智能電子書(shū)，激發(fā)廣大讀者創(chuàng )新應用開(kāi)發(fā)熱情
- 全球電子元器件與開(kāi)發(fā)服務(wù)分銷(xiāo)商 e絡(luò )盟 新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書(shū)，旨在為專(zhuān)業(yè)工程師、創(chuàng )客和電子愛(ài)好者提供人工智能相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應用開(kāi)發(fā)并開(kāi)拓出更多新型市場(chǎng)應用。本冊電子書(shū)匯集了人工智能詳細路線(xiàn)圖和類(lèi)別，闡釋了人工智能、機器學(xué)習（ML）和深度學(xué)習（DL）之間的關(guān)系，并詳細介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò )相關(guān)技術(shù)。書(shū)中還向讀者推薦了數款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開(kāi)發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變人類(lèi)的工作方式。目前，人工
- 關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN
GaN 器件的直接驅動(dòng)配置
- 受益于集成器件保護，直接驅動(dòng)GaN器件可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無(wú)第三象限反向恢復的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現諸如圖騰柱無(wú)橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開(kāi)關(guān)拓撲。由于它們的高開(kāi)關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現此類(lèi)拓撲。本文中，我們將重點(diǎn)介紹直接驅動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開(kāi)關(guān)損耗、更佳
- 關(guān)鍵字： MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
新基建驅動(dòng)電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進(jìn)行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí)，SiC、GaN等第三代半導體材料風(fēng)生水起，奠定了堅實(shí)的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪(fǎng)，分享了對工業(yè)市場(chǎng)的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區域營(yíng)銷(xiāo)及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
助力新基建，安世半導體升級GaN產(chǎn)品線(xiàn)
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點(diǎn)應用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發(fā)動(dòng)機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業(yè)電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關(guān)設備。 日前，安世半導體MOS業(yè)務(wù)集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯(lián)技術(shù)，利用高壓GaN配合低壓
- 關(guān)鍵字： 安世半導體 GaN
Nexperia（安世半導體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專(zhuān)有的CCPAK。兩者均實(shí)現了更出色的開(kāi)關(guān)和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯(lián)結構并優(yōu)化了器件相關(guān)參數，Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應管無(wú)需復雜的驅動(dòng)和控制，應用設計大為簡(jiǎn)化；使用標準的硅MOSFET 驅動(dòng)器也可以很容易地驅動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過(guò)孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
- 關(guān)鍵字： Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
貿澤即日起供應Qorvo旗下Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品
- 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權分銷(xiāo)商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線(xiàn)產(chǎn)品均可在貿澤官網(wǎng)上在線(xiàn)訂購。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業(yè)應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng )新解決方案制造商，致力于實(shí)現一個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
- 關(guān)鍵字： MMIC GaN
學(xué)習采用氮化鎵（GaN）技術(shù)設計最先進(jìn)的人工智能、機械人、無(wú)人機、 全自動(dòng)駕駛汽車(chē)及高音質(zhì)音頻系統
- EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個(gè)視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無(wú)人機及車(chē)載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類(lèi)放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術(shù)設計面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉換器?、
- 關(guān)鍵字： GaN 音頻放大器
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿澤開(kāi)售，支持高密度電源轉換設計
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動(dòng)器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實(shí)現更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類(lèi)電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
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