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實(shí)時(shí)功率GaN波形監視的設計方案
- 簡(jiǎn)介 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動(dòng)的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開(kāi)關(guān)頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開(kāi)發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術(shù)用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。 使用壽命預測指標 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時(shí)間執行數個(gè)供貨商所使
- 關(guān)鍵字： GaN
氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇
- 當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時(shí)，都會(huì )不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(cháng)至1.1億美元 由碳化硅電力設備市場(chǎng)驅動(dòng)，n型碳化硅基
- 關(guān)鍵字： GaN SiC
氮化鎵元件將擴展功率應用市場(chǎng)
- 根據YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專(zhuān)業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會(huì )發(fā)現逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠(chǎng)商的競爭或并購壓力。 Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場(chǎng)規模約為1千萬(wàn)美元。但從2016-2020年之間，這一市場(chǎng)將以93%的年復合成長(cháng)率(CAGR)成長(cháng)，預計在2020年時(shí)可望達到3千萬(wàn)美元的產(chǎn)值。 目前銷(xiāo)售Ga
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 GaN
EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道
- 根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅動(dòng)電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉型的巨大驅動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續大力推動(dòng)Si
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
高精度的功率轉換效率測量
- 目前，電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)馬達的可變速馬達驅動(dòng)系統，其低損耗·高效率·高頻率的性能正在不斷進(jìn)化。因為使用了以低電阻、高速開(kāi)關(guān)為特點(diǎn)的SiC和GaN等新型功率元件的PWM變頻器和AC/DC轉換器、DC/DC轉換器，其應用系統的普及正在不斷加速。構成這些系統的變頻器·轉換器·馬達等裝置的開(kāi)發(fā)與測試則需要相較以前有著(zhù)更高精度、更寬頻帶、更高穩定性的能夠迅速測量損耗和效率的測量系統。 各裝置的損耗和效率與裝置的輸入功率和輸出功率同時(shí)測量，利用它們的差和比
- 關(guān)鍵字： SiC GaN 電流傳感器
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時(shí)，我有機會(huì )聽(tīng)到一個(gè)由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專(zhuān)題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開(kāi)關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年應用電力電子會(huì )議暨展覽會(huì )（APEC）
- 英飛凌科技股份公司今日宣布擴充其硅基氮化鎵(GaN)技術(shù)和產(chǎn)品組合。目前，英飛凌提供專(zhuān)為要求超高能效的高性能設備而優(yōu)化的增強模式和級聯(lián)模式GaN平臺，包括服務(wù)器、電信設備、移動(dòng)電源等開(kāi)關(guān)電源應用以及諸如Class D音頻系統的消費電子產(chǎn)品。GaN技術(shù)可以大幅地縮小電源的尺寸和減輕電源的重量，這將為GaN產(chǎn)品在諸如超薄LED電視機等終端產(chǎn)品市場(chǎng)開(kāi)辟新的機會(huì )。 英飛凌科技股份公司電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部總裁Andreas Urschitz表示：“英飛凌的硅基GaN產(chǎn)品組合，結合公司了所
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英飛凌將與松下電器聯(lián)袂 雙雙推出常閉型600VGaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 松下 GaN
TI發(fā)布業(yè)內首款80V半橋GaN FET模塊
- 近日，德州儀器推出了業(yè)內首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應晶體管 (FET) 功率級原型機。此次原型機由位于四方扁平無(wú)引線(xiàn) (QFN) 封裝內的一個(gè)高頻驅動(dòng)器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設計。如需了解更多信息，敬請訪(fǎng)問(wèn)www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。 全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機將有助于加快下一代GaN電源轉換解決方案的市場(chǎng)化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應用和電信應用提供更高的功率密度和效率。 TI高壓電源
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
英飛凌將與松下電器聯(lián)袂，雙雙推出常閉型600V GaN功率器件
- 英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達成協(xié)議，將聯(lián)合開(kāi)發(fā)采用松下電器的常閉式(增強型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結構，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結構的許可。按照這份協(xié)議的規定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來(lái)的益處是客戶(hù)可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開(kāi)關(guān)。迄今為止，沒(méi)有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細節。 作為新一代化合物半導體技術(shù)，硅基板Ga
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 GaN
GaN在射頻功率領(lǐng)域會(huì )所向披靡嗎？
- 氮 化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體 文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會(huì )這樣認為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損 耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無(wú)論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應用都表現出色!帥呆了! 至少現在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
- 關(guān)鍵字： GaN 射頻
導入Cascode結構 GaN FET打造高效率開(kāi)關(guān)
- 為提高高壓電源系統能源效率，半導體業(yè)者無(wú)不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場(chǎng)效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結構的...
- 關(guān)鍵字： Cascode GaN 場(chǎng)效應管
英飛凌：GaN功率元件前景雖好，但采用為時(shí)尚早
- GaN被認為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來(lái)自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒(méi)到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來(lái)的部分。
- 關(guān)鍵字： GaN.功率元件
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