三星加速制程微縮　DRAM進(jìn)入40納米世代

　　三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導入40納米制程，第4季已開(kāi)始小幅試產(chǎn)DDR3，預計2010年下半40納米將成為主流制程，成本結構再度領(lǐng)先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營(yíng)50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(Elpida)也將導入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。

　　三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過(guò)一半，并已開(kāi)始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結構再度領(lǐng)先同業(yè)，市調機構預估，年底前三星40納米制程由于剛開(kāi)始，因此產(chǎn)能比重還停在個(gè)位數，預計2010年第1季40納米制程產(chǎn)能可超過(guò)10%。

　　目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)是4大陣營(yíng)各占一方，雖然幾乎沒(méi)有新產(chǎn)能加入，但制程微縮和合作對象的改變，也牽動(dòng)各廠(chǎng)版圖風(fēng)貌。

　　以 2009年第3季全球市占率來(lái)看，三星電子仍是穩坐全球龍頭，市占率超過(guò)30%，海力士(Hynix)市占率也超過(guò)20%，穩居二哥寶座，其次是爾必達和美光，兩者合計策略聯(lián)盟廠(chǎng)商，原本市占率相當接近，但爾必達市占率逐漸提升，拉開(kāi)雙方距離，然預計2010年各自導入新制程后，將會(huì )再有一番纏斗。

　　相較于三星DRAM制程再度領(lǐng)先，海力士也將同步導入40納米制程，而美光陣營(yíng)包括南亞科和華亞科等，2010年將大量產(chǎn)出50納米制程，由于華亞科整體13萬(wàn)片產(chǎn)能相當可觀(guān)，預計2010年可協(xié)助美光陣營(yíng)擴展市占率。

　　再者，爾必達陣營(yíng)也即將導入Extra 65納米制程，在不用額外增添太多的資本支出下，維持成本下降的競爭力，業(yè)界也認為，爾必達Extra 65納米制程的成本競爭力，其實(shí)不輸海力士50納米制程，加上2010年茂德為爾必達代工產(chǎn)能加入，也看好2010年爾必達的成長(cháng)性。

　　整體來(lái)看，三星目前仍是制程領(lǐng)先者，臺廠(chǎng)原本兩個(gè)世代制程，2010年可逐漸追上，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸走向50/40納米制程，驅動(dòng)產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本進(jìn)一步下滑。