三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm

　　三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內，厚度僅為0.6mm，比目前常見(jiàn)的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內，每層晶片的實(shí)際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實(shí)現了0.6mm的厚度。據稱(chēng)這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動(dòng)設備設計者在存儲模塊上節省40%的空間和重量。

　　三星稱(chēng)，這項層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵在于突破了傳統技術(shù)中每層厚度不能低于30微米的瓶頸。通常情況下，如果層疊封裝中的單層厚度小于30微米，則芯片對外部壓力的承受能力將無(wú)法達到標準。三星的新技術(shù)將這一厚度縮小了一半，既可以造出更薄更輕的堆疊封裝芯片，也可以在同樣厚度下實(shí)現雙倍的容量。除了 這種層疊封裝外，該技術(shù)也能夠在其他Multi-die封裝技術(shù)如SiP、PoP中應用。