英特爾與恒憶公布突破性相變存儲器技術(shù)研究成果

　　英特爾公司與恒憶(Numonyx B.V.)今天公布了一項突破性的相變存儲器(PCM)研究成果，這種新的非易失性存儲器技術(shù)結合了目前各種存儲器的優(yōu)勢。研究人員首次展示了能夠在單個(gè)硅片上堆疊或放置多個(gè)PCM陣列層的64Mb測試芯片。這些研究成果為制造更高容量、更低能耗的存儲器設備鋪平了道路，能夠為隨機存取非易失性存儲器和存儲應用降低所占用的空間。

　　這項成果由恒憶和英特爾聯(lián)合開(kāi)發(fā)，雙方一直在合作探索多層或堆疊式PCM單元陣列方面的研究。英特爾和恒憶的研究人員現在能夠展示垂直集成的存儲器單元PCMS(相變存儲器與開(kāi)關(guān))。PCMS由一個(gè)PCM元件和新型雙向閾值開(kāi)關(guān)(OTS)以真正的交叉點(diǎn)陣列方式組成。堆疊多層PCMS陣列的能力提供了更高存儲器密度的可擴展性，同時(shí)保持PCM的性能特征，而基于傳統存儲器技術(shù)則越來(lái)越難以實(shí)現。

　　英特爾院士、存儲器技術(shù)開(kāi)發(fā)總監Al Fazio表示：“我們繼續開(kāi)發(fā)存儲器的相關(guān)技術(shù)，以推動(dòng)計算平臺的進(jìn)步。這項里程碑式的研究成果令人振奮，我們認為對于擴展存儲器在計算解決方案中的作用以及提高性能和存儲器擴展能力，PCMS等未來(lái)存儲器技術(shù)至關(guān)重要。”

　　恒憶公司高級技術(shù)院士Greg Atwood表示：“這項研究成果前景廣闊，使得未來(lái)為PCM產(chǎn)品開(kāi)發(fā)密度更高、可擴展的陣列和類(lèi)NAND使用模式成為可能。傳統閃存技術(shù)面臨物理限制和可靠性問(wèn)題，而從手機到數據中心等設備對存儲器的廣泛需求卻越來(lái)越高，因此這項成果意義重大。”

　　存儲器單元通過(guò)堆疊存儲元件和選擇器而制造，由幾個(gè)單元構成存儲器陣列。英特爾和恒憶的研究人員能夠將薄膜、雙終端OTS部署為為選擇器，其物理和電氣特性非常適合PCM擴展?，F在，薄膜PCMS的兼容性讓多層交叉點(diǎn)存儲器陣列成為可能。分層陣列一旦集成起來(lái)并按照真正的交叉點(diǎn)陣列進(jìn)行嵌入，可與CMOS電路相結合，用于解碼、傳感和邏輯功能。

　　在12月9日即將在美國巴爾的摩市召開(kāi)的2009年國際電子設備大會(huì )(International Electron Devices Meeting，IEDM)上，兩家公司將聯(lián)合發(fā)表標題為《可堆疊交叉點(diǎn)相變存儲器》的論文，披露有關(guān)存儲器單元、交叉點(diǎn)陣列、實(shí)驗以及結果的更多信息。這篇論文由英特爾和恒憶的技術(shù)人員共同撰寫(xiě)，英特爾高級首席工程師DerChange Kau將做相關(guān)演講。