一種新的晶圓級1/f噪聲測量方法
加入技術(shù)交流群
圖5. 漏極電流1/f噪聲與柵極偏壓的關(guān)系
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/97638.htm
5. 結束語(yǔ)
本文介紹了一種評測MOSFET 1/f噪聲的晶圓級測量方法和配置方案。這種測量技術(shù)可以在晶圓上自動(dòng)進(jìn)行。由于這種配置方案能夠測出低于100Hz的低頻噪聲分量，因此能夠有效提取到MOSFET的1/f噪聲。
參考文獻
[1]K.K. Hung, P. K. Ko, C. Hu, Y. C. Cheng, IEEE Transactions On Electron Devices, 37, pp.654-664 (1990)
[2]H. Wong, Microelectronics Reliability, 43, pp.585-599 (2003)
[3]A. Blaum, O. Pilloud, G. Scalea, J. Victory, F. Sischka, IEEE Int. Conference on Microelectronic Test Structures, 14, pp.125–130 (2001)
評論